电子发烧友App

硬声App

创作

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>IR推出新款PQFN封装功率MOSFET PQFN2x2

IR推出新款PQFN封装功率MOSFET PQFN2x2

  • PQFN2x2(1)
  • 功率MOSFET(290)
  • PQFN封装(2)
  • IR(122)
收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

评论

查看更多

相关推荐

英飞凌PQFN封装器件热传播模型散热结果对比分析

如果再采用额外附加的散热措施,如顶部粘贴散热器或采用冷却风扇都可以增加模块的电流输出能力,扩大PQFN封装IPM模块的应用功率范围。当采用铝基板代替FR-4材料PCB板时,IPM模块的电流输出能力可以增加大约一倍。
2022-04-14 11:27:57102

英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,树立技术新标准

英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:41:35515

P沟道增强型功率MOSFET LT2P06SJ资料说明

P沟道增强型功率MOSFET LT2P06SJ资料说明
2022-01-22 10:48:292

英国Pickering公司推出新款高电压LXI可扩展矩阵平台 尺寸最大300x4

英国Pickering公司推出新款65-218系列50x4单刀LXI矩阵插卡模块。这类模块可安装在Pickering的65-200-002 LXI模块化机箱中,共同构建可扩展的高电压矩阵平台,提供单元尺寸为50x4,总尺寸最大300x4的矩阵。
2022-01-21 17:42:372864

Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET

新型 30 V n 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。 Vishay Siliconix SiSS52DN 采用热增强型 3.3 mm x
2021-05-28 17:36:511236

采用 2mm x 2mm DFN 封装的低噪声偏置发生器

采用 2mm x 2mm DFN 封装的低噪声偏置发生器
2021-03-21 15:07:4511

传苹果最早4月推出新款iPad Pro

曝苹果最早4月推出新款iPad Pro的消息引发了业界关注,之所以这款iPad Pro备受关注,很大一部分原因在于这将是苹果旗下首款待在mini led屏幕的产品。知名分析师郭明錤给出最新判断,曝苹果最早4月推出新款iPad Pro,看好mini LED在苹果产品线中的重要度。
2021-03-19 09:10:455704

华为将推出新款MateBook X Pro

据国内媒体报道,有相关博主近日透露华为将会在近期召开一场笔记本新品发布会,推出新款的MateBook X Pro笔记本。
2021-01-04 15:53:201869

英飞凌OptiMOS™源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
2020-11-04 11:23:381092

2SK2771-01R-1功率MOSFET的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是2SK2771-01R-1功率MOSFET的数据手册免费下载。
2020-09-11 06:29:1910

IR推系列逻辑电平栅极驱动沟道,适用于电源应用等

IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值,适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
2020-08-30 08:33:01314

音频放大器工作原理

IR4302,IR4312集成了2通道PWM控制器和数字音频MOSFET,构成了高性能D类音频放大器。由于完全优化的MOSFET与专用控制器IC共同封装IR4302,IR4312的运行无需在典型
2020-07-16 14:52:327202

英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET

基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆,不仅通态电阻(RDS(on))降低,还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛,包括马达驱动、SMPS(包括服务器、电信和
2020-02-18 17:51:281229

60 V第四代n沟道功率MOSFET:业内适用于标准栅极驱动电路的器件

Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 m,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装
2019-09-30 11:06:004488

Teledyne e2v推出新款500万像素规格传感器 采用小巧的有机扇出型封装

Teledyne Technologies【NYSE:TDY】旗下的全球成像解决方案技术创新公司,Teledyne e2v宣布推出新款500万像素规格传感器,扩充Snappy成像传感器产品
2019-03-03 07:31:01737

Teledyne e2v推出新款200万像素的Emerald 2M成像传感器

法国格勒诺布尔 - Media OutReach - 2019年2月21日 - Teledyne Technologies (NYSE: TDY)旗下的成像解决方案全球创新企业技术公司──Teledyne e2v宣布推出新款200万像素规格传感器,扩充 Emerald成像传感器产品系列。
2019-02-25 14:39:02526

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2020-10-05 17:08:02108

IR宣布PQFN 4mm x 4mm封装推出

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出PQFN 4mm x 4mm封装IR最新的高压栅级驱动IC采用该
2018-10-14 17:32:011123

什么是PQFN封装?如何利用PQFN封装技术提高能效和功率密度?

封装接合线和引线框上不必要的电感使得栅极上会维持一定的电压,从而阻止栅极驱动器关断器件。这会大大延迟关断,从而增加MOSFET功率损耗,降低转换效率。此外,杂散电感可导致电路中出现超过器件电压额定值的电压尖峰,从而导致出现故障。
2018-08-20 15:24:5110791

IR推出PowIRaudio集成式功率模块系列,使用高性能音频放大器

单通道IR4301M及双通道IR4302M有助于设计师在各种通道配置内灵活安装立体声放大器及进行多通道设计。这两个器件分别采用5×6 mm和7×7 mm PQFN封装,有助于彰显使用较小D类拓扑的优势。
2018-08-05 07:53:021409

科锐推出新款高光效XP-G2 HE,性能更一步提升

科锐(Nasdaq: CREE)宣布推出新款高光效版XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED,在标准版XLamp XP-G2 LED基础之上进一步提升性能,提供更高光输出和更高效率,从而帮助实现体积更小、重量更轻、成本更低的方案设计。
2018-07-24 11:55:495151

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X,扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间,在小尺寸
2018-05-19 05:56:011202

新款iPhone SE 2功能抢先了解!最快5月现身

苹果新版 iPhone SE 2 市场关注。苹果可能在 5 月推出新款 iPhone SE 2,将具备指纹辨识功能,处理器效能可较目前同型机种高出 40%。
2018-04-24 08:52:022933

TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装,其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。
2016-07-18 17:15:431044

大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET
2016-01-05 18:03:581035

Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET

全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品,采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88
2015-09-01 09:41:49857

IR电池保护MOSFET系列为移动应用提供灵活解决方案

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET
2014-12-03 10:28:451599

IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列

2014年11月10日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR推出完善的IGBT模块系列,适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。
2014-11-11 11:21:511751

Vishay推出应用在便携电子中的最低导通电阻的新款MOSFET

TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件,在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。
2014-04-29 16:33:08690

Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的新系列功率MiniLED---VLMx234。
2014-01-07 15:49:04911

IR推出 AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET,适合需要在紧凑的占位面积内提供高功率密度的重载汽车应用,包括电动助力转向系统、刹车系统、水泵等。
2013-10-16 14:20:351103

IR公司推出汽车级COOLiRFET MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出汽车级COOLiRFET ® MOSFET系列,为重载应用提供基准导通电
2013-05-20 15:17:171466

瑞萨电子推出新款低导通电阻MOSFET产品

瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品,包括经过最佳化的μPA2766T1A,做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:52:29671

IR推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻,有助于提升系统效率,还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:33:44967

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB

Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:07:48986

IR推出40V IR4311M和IR4312M 以扩充PowIRaudio集成式功率模块系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR推出IR4311M 和IR4312M,以扩充PowIRaudio™ 集成式功率模块系列。
2013-01-14 11:49:081795

Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:46:48856

Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:10:37965

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电
2012-12-04 22:22:01895

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:40:151145

Diodes推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装产品

Diodes公司推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。X3-DFN0603-2封装可满足平板电脑、手机等轻巧便携式产品对组件微型化日益增长的需求。
2012-10-25 15:43:041605

飞思卡尔推出高性能、低功率三轴加速计Xtrinsic MMA8652FC

飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)日前宣布,在2x2 mm小型封装中新推出新型高性能、低功率的三轴加速计。
2012-08-16 10:15:351974

IR推出低导通电阻的车用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:26:461078

Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:52:37787

AOS推出超薄DFN3X3封装功率MOSFET

日前,集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS),发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:36:541561

IR推出采用TSOP-6封装的HEXFET MOSFET系列产品

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等
2012-04-25 09:39:40814

最小导通电阻!瑞萨发售封装2mm见方的功率MOSFET

瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中,实现了业界最高水平的低导通电阻”。
2012-04-13 09:22:101117

Vishay推出新款高性能Power Metal Strip电阻WSLP2512

日前,Vishay 宣布,推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512,这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:46:31755

英飞凌科技推出汽车封装无铅功率MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET
2011-12-08 10:43:28677

Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:28:171027

IR推出车用MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列,可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ,包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制
2011-09-15 09:28:351104

IR215X在荧光灯电子镇流器中的应用

介绍一种新型的功率MOSFET驱动集成电路IR215X并给出了使用该芯片的 荧光灯电子镇流器 实际应用电路
2011-08-08 17:47:5644

IR推出坚固的新型平面MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列,适合要求低导通电阻的一系列应用,包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。
2011-07-12 08:43:23818

IR推出采用PQFN4x4封装的高压栅级驱动器

IR扩展其封装系列,推出PQFN 4mm x 4mm封装IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装,为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案
2011-06-29 09:09:48871

IR新型车用MOSFET可减少50%引线电阻,并提高30%电流

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提
2011-05-27 09:20:40608

IR推出新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET

IR推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少 50%引线电阻,并提高30%电流
2011-05-24 08:56:391034

IR推出新款开关模式电源控制IC RS2548D

IR推出IRS2548D开关模式电源 (SMPS) 控制IC,适用于高功率发光二极管 (LED) 照明的节能应用,包括LED路灯照明、体育场馆照明及舞台照明
2011-04-20 09:09:58876

IR推出坚固耐用的车用MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列,适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用
2011-04-12 09:49:00852

Cypress推出新款序列非挥发静态随机存取内存(nv

Cypress Semiconductor公司推出新款序列非挥发静态随机存取内存(nvSRAM),可支持仪表、工业以及汽车等应用所常用的I2C与SPI界面
2011-03-29 11:26:28970

IR推出IR115x系列集成式功率因数校正(PFC)IC

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出 IR115x 系列集成式 ìPFC 功率因数校正 (PFC) IC,适用于多种 AC-DC 应用
2011-03-23 10:36:141717

PQFN封装技术提高能效和功率密度

用改进的PQFN器件一对一替换标准SO-8 MOSFET可提升总体工作效率。电流处理能力也能够得以增强,并实现更高的功率密度。在以并联方式使用的传统MOSFET应用中,采用增强型封装(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用单个组件代替一个并联的组件对。
2011-03-09 09:15:413577

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ

Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装
2011-03-02 10:21:16860

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:06:391043

IR推出IRF6708S2和IRF6728M 30V Dir

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输
2010-12-17 08:55:21865

IR推出采用PQFN封装技术的MOSFET硅器件

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装,为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351193

新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiH

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:57877

IR车用DirectFET功率MOSFET系列

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布拓展了车用DirectFET®2 功率MOSFET
2010-10-29 09:07:321117

IR推出新系列-30V器件 P沟道MOSFET无需使用电平转

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新系列-30 V器件,采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开
2010-09-20 08:59:09725

IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件

IR)推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件,适用于电池充电和放电开关,以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341129

IR推出AUIRF7648M2和AUIRF7669L2 低栅

  全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布针对开关应用,推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率MOSFET ,这些开关
2010-09-10 09:05:58346

车用DirectFET®2 功率MOSFET

国际整流器公司针对开关应用,推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ,这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明,以及其
2010-09-09 10:36:5019

用于汽车D类音频系统的DirectFET2功率MOSFET

  新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D类音频系统的 DirectFET2 功率 MOSFET 阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真 (THD) 和提
2010-08-26 08:48:24566

IR推出全新HEXFET功率 SOT-23 MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电
2010-07-22 09:29:41905

NXP推出全新2x2 mm无铅分立封装

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出两种拥有0.65 mm的行业最低高度新2 mm x 2 mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片,塑料SMD(表面封装器件
2010-06-04 08:48:54512

用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK

用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8 英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:18738

IR推出高效率氮化镓功率器件

IR推出高效率氮化镓功率器件 目前,硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率,不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:57641

IR推出二款DirectFET MOSFET芯片组

IR推出二款DirectFET MOSFET芯片组   国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组,为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台
2010-04-20 10:24:32602

Vishay推出新款薄膜贴片电阻

Vishay推出新款薄膜贴片电阻     日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54517

IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻

IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET
2010-04-09 11:50:32424

Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8

Vishay推出500V N沟道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比,该器件的
2010-04-07 10:52:52534

Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181162

采用PQFN封装MOSFET 适用于ORing和电机驱动应

采用PQFN封装MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:07832

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET  国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391017

创新封装功率MOSFET散热效率提升80%

创新封装功率MOSFET散热效率提升80%   德州仪器 (TI) 公司采用创新的封装技术,面向高电流DC/DC应用,推出5款目前业界首个采用封装顶部散热的标
2010-03-01 11:37:22536

SensorDynamics推出新款采用微型QFN40封装

SensorDynamics推出新款采用微型QFN40封装的新型MEMS陀螺仪:SD70X SensorDynamics新推出用于高端工业、医疗和消费型应用的经济稳定的微型MEMS陀螺仪系列 SD705、SD706、SD70
2010-02-23 08:42:54548

适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET

适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、
2010-01-26 16:25:04869

TI推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET

TI推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET  日前,德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对
2010-01-22 09:40:49541

TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET

TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET 日前,德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准
2010-01-14 09:01:43425

IR推出新型集成稳压器,成就DC/DC应用最大系统效率

IR推出新型集成稳压器,成就DC/DC应用最大系统效率 国际整流器公司(IR)推出IR3870M SupIRBuck集成稳压器,适用于笔记本和台式电脑、游戏机以及消费电子应用,如机顶盒、
2010-01-13 08:35:49506

IR推出新IR3870M SupIRBuck™

IR推出新IR3870M SupIRBuck™ 集成稳压器简化设计     全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International
2010-01-12 17:06:08554

安捷伦推出新款LTE测试解决方案

安捷伦推出新款LTE测试解决方案 安捷伦科技公司宣布推出新款 LTE 测试解决方案。该解决方案结合了市场上领先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析软件,以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:29442

IR 推出24V汽车级智能功率开关

IR 推出24V汽车级智能功率开关 国际整流器公司 (International Rectifier,IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高侧智能功率开关 (IPS) 。新产品具有精确的电流感应和内置保护电路
2009-12-18 08:27:39726

California Micro Devices 推出新款

California Micro Devices 推出新款极低电容静电放电保护设备 California Micro Devices日前宣布针对最先进的数字消费品和计算机应用推出一款超低电容静电放电 (ESD) 装置 PicoGuard
2009-12-10 08:32:26354

California Micro Devices推出新款Pi

California Micro Devices推出新款PicoGuard(R)极低电容静电放电保护设备 数字消费电子产品和计算机的 USB3.0、eSATA 和 DisplayPort 等高速端口应用的理想设备
2009-12-09 10:02:35469

Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ

Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ 日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装,具
2009-11-25 17:56:52443

Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MO

Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET  Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:01655

Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功

Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23386

Vishay推出新款高速PIN光敏二极管

Vishay推出新款高速PIN光敏二极管 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管,新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28598

IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷

IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开
2009-08-18 12:00:51769

MOSFET封装面积减半-Zetex新款无铅型

MOSFET封装面积减半-Zetex新款无铅型Zetex 新款无铅型 MOSFET 将占位面积减半模拟信号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出
2008-03-22 14:46:02337

已全部加载完成