威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N
2025-12-31 17:14:45
1192 
Technologies EiceDRIVER™ 1200V半桥栅极驱动器.pdf 产品概述 这两款器件属于2ED132x系列，能够在半桥配置中控制最大阻断电压为+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其独
2025-12-20 11:30:021308 ，近期推出了全新的OptiMOS™ 6 120 V功率MOSFET技术，为我们带来了诸多惊喜。今天，我们就来深入探讨这一技术及其在三相功率逆变器板上的应用。 文件下载： Infineon
2025-12-20 10:35:06517 EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板：2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台 在电力电子领域，工程师们一直在寻找性能更优、可靠性更高的功率器件及测试方案。今天，我们就来深入
2025-12-19 17:00:15445 OptiMOS™ 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作为电子工程师，我们在设计中常常需要挑选合适的MOSFET来满足特定的应用需求
2025-12-19 09:35:06504 威兆半导体推出的VS2622AE是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持2.5V逻辑电平控制，采用PDFN3x3封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品
2025-12-18 17:42:57173 
CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之选 在当今电子技术飞速发展的时代，功率半导体器件的性能对于各类电子系统的效率、可靠性和性能表现起着至关重要
2025-12-18 13:50:06202 探索IMYR140R008M2H CoolSiC™ 1400 V SiC MOSFET G2：高性能与多功能的完美结合 在电子工程领域，功率半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02214 威兆半导体推出的VS3622DP2是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用PDFN5x6封装，适配双路低压大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一
2025-12-15 09:51:07218 
威兆半导体推出的VS2N7002K是一款面向60V低压小信号场景的N沟道增强型MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低功率信号开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型小信号
2025-12-12 15:43:13301 
：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布推出采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET，为汽车和工业应用的电源封装技术带来突破。这款新品为电动汽车、太阳能基础设施及储能系统等市场的高功率、高电压应用提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半导体推出的VS3640AA是一款面向30V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN2x2封装，适配小型化低压电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率
2025-12-10 11:48:31227 在电子设计领域，MOSFET是不可或缺的关键元件。今天，我们来详细探讨Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD这款N沟道功率MOSFET，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-12-08 16:38:38548 
威兆半导体推出的VS6604GP是一款面向60V中低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中低压大电流DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-08 10:59:34252 
在电子工程领域，功率模块的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天，我们就来深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模块，看看它有哪些独特之处。
2025-12-04 10:35:53413 
作为一名电子工程师，在为电动汽车（xEV）应用设计 DC - DC 转换器和车载充电器时，合适的功率 MOSFET 模块至关重要。今天就为大家详细解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模块 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在电子工程师的日常工作中，为特定应用选择合适的功率模块至关重要。今天，我们就来深入探讨onsemi的NVXK2VR40WXT2这款1200V、40mΩ、55A的三相桥功率模块，看看它在xEV车载充电器（OBC）应用中能带来怎样的优势。
2025-12-03 15:52:29550 
在电动汽车（xEV）应用领域，车载充电器（OBC）的性能至关重要，而功率 MOSFET 模块作为其中的核心组件，其性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天，我们就来深入了解一下 onsemi 的 NVXK2VR80WXT2，一款专为 xEV 应用的 OBC 设计的碳化硅（SiC）3 - 相桥功率模块。
2025-12-03 15:41:55371 
在电子工程领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能和特性对电路设计起着至关重要的作用。今天我们来深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08X，这是一款80V、0.79mΩ、457A的单N沟道功率MOSFET，它在多个方面展现出了卓越的性能。
2025-12-03 11:42:19455 
近日，国民技术正式推出新款安全芯片N32S035，该产品是一款即用型的物联网安全元件解决方案，主打硬件级高安全能力与紧凑型设计，在芯片级提供可信根，能够为物联网系统开箱即用地提供先进的端到云安全能力。面向物联网设备、身份认证、数据加密等应用场景，提供从芯片到系统的全方位安全保护。
2025-12-01 15:17:29291 ）连续波功率：50 W（典型）线性度：IIP3 ≥ 65 dBm（@ 2 GHz）工作温度：-40 °C ~ +85 °C供电：5 V，驱动电流约 50 mA封装：16-PQFN (4 × 4 mm
2025-12-01 09:02:41
纳芯微正式推出新一代线性位置传感器 MT911x与MT912x系列。新品面向无人机、3D打印机、手持稳定器、工业自动化设备等对位置检测精度与响应速度要求严苛的应用场景，兼具高精度、高带宽、低功耗与小型封装优势，为多种位置感知需求提供更可靠、更灵活的解决方案。
2025-11-27 16:04:44320 。NTTFD1D8N02P1E MOSFET还具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低~QG~ 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，设计紧凑。NTTFD1D8N02P1E器件适用于直流/直流转换器和系统电压轨。
2025-11-24 13:40:06394 
应用。该器件的漏极-源极电压为80V，连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。
2025-11-24 09:29:21317 
) 2mm x 2mm封装，在-4.5V时提供仅45mΩ的R ~DS(on)~ ，从而降低了导通损耗，并提高了热性能。NxJS3151P设备的最大漏极电流为-3.3A，漏源电压额定值为-12V，非常适合
2025-11-22 10:27:55880 
，PCB布局，特别是贴片封装功率MOSFET管，要在源极、漏极管脚充分敷设铜皮进行散热。功率MOSFET管数据表的热阻测量通常有一定限制条件，如元件装在1平方英2OZ铜皮电路板上进行测量，实际应用中，源
2025-11-19 06:35:56
仁懋电子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及TO-220F封装适配性，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器
2025-11-17 14:37:39200 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ® 8 x 8LR封装。该MOSFET可为
2025-11-14 10:32:18365 
仁懋电子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及650V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等
2025-11-11 09:23:54216 中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G05T，以150V耐压、51A连续电流、TO-252-2L薄型封装为核心标签，精准匹配3-8kW级中压场景的功率控制需求，其参数设计与应用表现，为理解中压小功率器件的适配性发展逻辑提供了典型样本。
2025-11-04 16:27:15481 
及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品
2025-10-31 11:00:59297 有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球R~DS(ON) x 面积以及全球品质因数（~ FOM）。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。
2025-10-27 14:24:41381 
DRV83x2 是高性能、集成的三相电机驱动器，具有先进的保护系统。
由于 R 较低 ~DS（开）~ 功率MOSFET和智能栅极驱动设计，这些电机驱动器的效率可达97%。这种高效率使用更小的电源和散热器，并且这些器件非常适合节能应用。
2025-10-21 10:41:48575 
PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能，专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统，或高功率工业电机。
2025-10-10 11:22:27700 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。此款器件具有超低导通损耗，导通电
2025-09-18 18:19:141109 ### 一、IR9351-VB 产品简介IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封装的双 P-通道 MOSFET，具有低导通电阻和高效的开关性能。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为
2025-09-02 15:57:19
### IR8342-VB 产品简介IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封装的单N沟道MOSFET，具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）。其低导通电阻和高速开关能力
2025-09-02 15:50:43
### 一、产品简介IR6276-VB 是一款采用 DFN6 (2x2)-B 封装的双 N-沟道 MOSFET，具有高效能、低导通电阻的特性，适用于要求紧凑设计和高性能的应用。其VDS 最大值为
2025-09-02 15:47:38
### 一、IR6242-VB 产品简介IR6242-VB 是一款采用 DFN6 (2x2) 封装的单一 N 沟道 MOSFET，专为高效率和低功耗应用设计。其主要特性包括 30V 的漏源电压
2025-09-02 15:45:18
DRV84xx、DRV89x2和DRV82x2宽电压、大功率驱动器非常适合用于各种工业应用。该器件采用控制EVM所需的图形用户界面 (GUI)。
2025-08-20 09:54:341051 
在功率半导体领域，英飞凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。
2025-08-16 13:50:093154 
合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET，采用SGT屏蔽栅技术，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热，产品均符合RoHS环保标准，以低导通电阻和高电流承载，可适配封闭环境应用，如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54:001608 
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封装 的优势和应用领域的深度分析： 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封装的核心优势 顶面散热设计 热管理优化
2025-08-10 15:11:061220 
【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装
2025-08-01 17:05:091506 
电子发烧友网为你提供()用于白光 LED 应用的高效 1x/1.5x/2x 模式电荷泵相关产品参数、数据手册，更有用于白光 LED 应用的高效 1x/1.5x/2x 模式电荷泵的引脚图、接线图、封装
2025-07-29 18:30:00
电子发烧友网为你提供()用于白光 LED 应用的高效 1X/1.5X/2X 电荷泵相关产品参数、数据手册，更有用于白光 LED 应用的高效 1X/1.5X/2X 电荷泵的引脚图、接线图、封装手册
2025-07-25 18:34:31
致力于高性能电力电子芯片与数字能源解决方案创新的——广芯微电子（广州）股份有限公司今日宣布，基于自主研发的 UM3242F高性能工业实时微处理器芯片 ，成功开发出新一代 2x520W并网型微型逆变器参考开发平台 。
2025-07-21 10:07:533938 
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
2025-07-10 17:21:522287 
Wolfspeed 推出新型顶部散热（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管 优化热管理并节约能耗 Wolfspeed 正在扩展其行业领先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管分立
2025-07-09 10:50:321361 
新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装
2025-07-08 17:08:311019 的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模块真值表，5.9 GHz C-V2X 和 802.11p DSRC 高功率前端模块管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-02 18:34:12
【 2025 年 7 月 1 日 , 德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模块，凭借其低损耗、高耐温及高功率密度等特性，为商空热泵的能效升级提供了创新解决方案。
2025-06-19 16:44:44676 
专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装，采用创新的栅极中置布局技术，可大幅简化 PCB 走线设计。 日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商
2025-06-18 15:18:491438 
问题。今天的文章将会主要聚集在G2的导通特性上。在MOSFET设计选型过程中，工程师往往会以MOSFET常温下漏源极导通电阻RDS(on)作为第一评价要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710 的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性价比提高了15%，是各种
2025-06-09 17:45:191086 ”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。
2025-05-22 14:51:22901 
纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日推出一种全新的可靠性标准，以满足最严苛汽车及工业应用的系统寿命要求。纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。
2025-05-14 15:39:301341 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件
2025-05-09 19:42:5351531 近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等
2025-05-09 11:45:401018 
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驱动板：解锁SiC碳化硅功率模块的极限性能 2CD0210T12x0驱动板不仅是SiC MOSFET的“智慧大脑”，更是电力电子系统迈向高效与可靠的核心
2025-05-06 10:54:02729 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其成为便携式设备、信号开关和ESD敏感电路的理想选择。
2025-04-29 18:14:34
0 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET，集成了ESD保护功能，兼具低导通电阻（RDS(ON)）与高耐压（60V）特性。其超小封装和低阈值电压（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
这款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。2mm × 2mm SON 为封装尺寸提供出色的热性能。
2025-04-15 17:08:38699 
的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将 德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。 中国上海（2025 年4 月 9 日）— 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）于今日推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工
2025-04-09 14:38:46516 
飞兆半导体的IGBT器件FGP20N6S2 （属于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（属于SuperFET 产品族）。这些产品具有相近的芯片尺寸和相同的热阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 )封装技术，称为X.PAK。这种封装技术的创新之处在于其顶面冷却设计，使得设备在高功率应用中能够有效散热，极大地提升了整体性能。新推出的X.PAK封装尺寸紧凑，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出两款先进的表面贴片封装选项，扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
电子发烧友网站提供《LTS1010FL-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 17:31:020 电子发烧友网站提供《LTS1010SQ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 17:28:140 电子发烧友网站提供《LTS1010SR-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-12 17:15:121 英飞凌(Infineon)近日宣布，扩大其辐射耐受功率MOSFET系列，新增P沟道功率MOSFET，以满足日益增长的低地球轨道(LEO)空间应用需求。这一新产品的推出，标志着英飞凌在为新一代“新空间
2025-03-11 11:39:53736 
HMC596LP4(E)是一款低成本4x2开关矩阵产品，采用无引脚QFN 4x4 mm表贴封装，可用于卫星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路开关。 开关上集成由正电压控制的4位解码器。 该开关可用于75 Ω或50 Ω系统。
2025-03-07 16:50:271511 
电子发烧友网站提供《LTS4480FL-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 13:54:367 电子发烧友网站提供《LT7904FJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:51:111 电子发烧友网站提供《LT7904FL-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:10:182 电子发烧友网站提供《LT8810ESL-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 10:59:240 电子发烧友网站提供《LT2209FM-X P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-07 10:55:500 Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款HiperLCS™-2芯片组，可实现输出功率翻倍。新器件采用更高级的半桥开关技术和创新封装，可提供高达1650W的连续输出功率，效率超过98%。该产品系列的这一新品主要面向工业电源以及电动踏板车和户外电动工具的充电器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729 
美国加利福尼亚州圣何塞，2025年3月5日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款HiperLCS-2
2025-03-06 10:59:531176 电子发烧友网站提供《LT1754SI-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:31:020 电子发烧友网站提供《LTD1534MFJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 17:21:331 电子发烧友网站提供《LTD1534RFJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 17:16:490 电子发烧友网站提供《LT1701SI-X P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:43:250 电子发烧友网站提供《LTH004SQ-X 40V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:34:440 电子发烧友网站提供《LT7404FJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:30:000 电子发烧友网站提供《LT7409FJ-X P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-01 15:19:030 电子发烧友网站提供《LT3810FP-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-28 18:04:000 电子发烧友网站提供《LT4201FL-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-28 17:44:401 电子发烧友网站提供《LTS1534FJ-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-28 17:38:391 德州仪器（TI）提供的一种新的驱动器集成氮化镓（GaN）功率级产品系列已在一个低成本、紧凑的四扁平无引脚（QFN）封装中实现，该封装尺寸为12mm x 12mm。这种扩大的QFN封装可以从GaN
2025-02-25 10:36:391037 
公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
2025年2月18日，鼎阳科技推出新一代任意波形发生器SDG3000X系列，此系列产品具有16-bit垂直分辨率，最高200MHz输出频率，1.2GSa/s采样率，每通道最大存储深度40Mpts，并采用了创新的EasyPulse和TrueArb技术，显著降低波形抖动。
2025-02-19 09:11:411206 
近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微电子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低导通电阻，单通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封装的 MOSFET 器件。该器件可应用于 VBUS 过电压保护开关，电池充放电开关和直流-直流转换器。
2025-01-08 16:34:241182 随着现代工业技术的快速发展，功率电子器件在能源转换与控制领域发挥着越来越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N 沟道 MOSFET 模块，凭借其卓越的性能
2025-01-06 14:57:13985 
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