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      新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

      英飞凌工业半导体 • 2025-07-08 17:08 • 次阅读
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      新品

      采用ThinTOLL 8x8封装的

      CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET

      新增26mΩ，33mΩ产品

      1d82b270-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


      第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。


      ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。该封装技术突破了8x8尺寸的热循环极限，并通过优化.XT互连结构显著降低热阻，在保持8x8mm超小尺寸的同时，充分发挥了碳化硅材料的性能优势，实现了功率密度的革命性突破。


      产品型号：

      ■IMTA65R026M2H

      ■IMTA65R033M2H


      框图


      1da7c2ae-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png1db9594c-5bdb-11f0-9cf1-92fbcf53809c.png


      产品特点


      卓越的品质因数（FOMs）

      同类最优导通电阻（RDS(on)）

      高可靠性、高品质

      灵活的驱动电压范围

      支持单极驱动（VGS(off)=0）

      先进的.XT扩散焊封装互连技术

      全系列8x8封装FET引脚兼容

      热循环可靠性TCoB提升4倍


      应用价值


      BOM成本优化

      单位成本最优系统性能

      最高可靠性，延长使用寿命

      顶尖能效与功率密度

      紧凑尺寸，更高功率密度

      高度集成的子卡设计


      应用领域


      智能电视系统解决方案

      暖通空调

      家用电器

      微型逆变器解决方案

      电能转换


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