新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品
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采用ThinTOLL 8x8封装的
CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET
新增26mΩ，33mΩ产品
第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。
ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。该封装技术突破了8x8尺寸的热循环极限，并通过优化.XT互连结构显著降低热阻，在保持8x8mm超小尺寸的同时，充分发挥了碳化硅材料的性能优势，实现了功率密度的革命性突破。
产品型号：
■IMTA65R026M2H
■IMTA65R033M2H
框图
产品特点
卓越的品质因数（FOMs）
同类最优导通电阻（RDS(on)）
高可靠性、高品质
灵活的驱动电压范围
支持单极驱动（VGS(off)=0）
先进的.XT扩散焊封装互连技术
全系列8x8封装FET引脚兼容
热循环可靠性TCoB提升4倍
应用价值
BOM成本优化
单位成本最优系统性能
最高可靠性，延长使用寿命
顶尖能效与功率密度
紧凑尺寸，更高功率密度
高度集成的子卡设计
应用领域
智能电视系统解决方案
暖通空调
家用电器
微型逆变器解决方案
电能转换
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