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新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

英飞凌工业半导体 2025-07-01 17:03 次阅读
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新品

采用D2PAK-7封装的CoolSiC

650VG2 SiC MOSFET

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第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装(TO-263-7),该系列导通电阻(RDS(on))范围扩展至7mΩ至75mΩ等10款产品可选,为用户提供更精准的选择。


基于第一代技术,第二代CoolSiC MOSFET 650V G2采用D2PAK-7封装,进一步优化了系统设计,提供更高性价比、更高效率、更紧凑且更可靠的解决方案。第二代产品在关键性能指标上实现了显著提升,适用于硬开关和软开关拓扑,是AC-DC、DC-DC和DC-AC等常见功率转换器的理想选择。


产品型号:

IMBG65R010M2HXTMA1

IMBG65R026M2HXTMA1

IMBG65R033M2HXTMA1

IMBG65R060M2HXTMA1


产品框图

35cea7fc-565a-11f0-b47f-92fbcf53809c.png35e0eef8-565a-11f0-b47f-92fbcf53809c.png


产品特点


卓越的品质因数(FOMs)

同类最优导通电阻(RDS(on))

高可靠性、高品质

灵活的驱动电压范围

最优抗误开启能力

支持单极驱动(VGS(off)=0)

先进的.XT扩散焊接技术


应用价值


降低BOM成本

单位成本最优系统性能

最高可靠性

顶尖效率与功率密度

易于使用

兼容现有供应商全生态

支持无风扇/散热器设计


应用领域


单相组串式逆变器

储能系统

电动汽车充电

电源转换

固态断路器


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