合科泰N沟道增强型MOSFET HKTS80N06介绍

引言

合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET，采用SGT屏蔽栅技术，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热，产品均符合RoHS环保标准，以低导通电阻和高电流承载，可适配封闭环境应用，如储能电池包BMS和车载OBC应用。

核心性能

1.低导通电阻，高效节能

在VGS=V，ID=A的条件下最大导通电阻(RDS(on))仅为4.5mΩ(典型值6mΩ)，可以显著低降低电路导通损耗，提升系统效率。

2.高连续电流高负载可靠性设计

65V耐压设计，支持80A连续电流与240A脉冲电流，可满足中低压负载条件;

宽温范围-55℃~175℃，适应户外昼夜温差环境。

3.快速开关与低反向恢复

开启延迟时间13ns，关断延迟时间35ns，优化栅极驱动，支持高频拓扑。

超低反向恢复电荷Qrr=50nC和体二极管软恢复特性，减少电磁干扰和开关噪音,提升EMC表现。

电器曲线图

典型应用场景

储能BMS、车载OBC、光伏逆变器、笔记本PD电源等。

选型推荐

目前合科泰HKT系列产品热销中，提供多种封装形式，有意者可联系合科泰销售人员进行选购。

除了HKT系列产品，合科泰HKT还推出了中低压和高压MOS，可针对不同应用场景，提供多封装如TSSOP-8、TO-252、TO-220、SOT-89、SOT-723、SOT-523、SOT-363、SOT-323、SOT-23-6、SOT-23、SOT-223、SOP-8、PDFN5X6、PDFN3333等以满足多个行业需求。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务，满足企业研发需求。

产品供应品类：覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他，一站式配齐研发与生产所需。

两大智能生产制造中心：华南和西南制造中心(惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡)配备共3000多台先进设备及检测仪器;2024年新增3家半导体材料子公司，从源头把控产能与交付效率。

提供封装测试OEM代工：支持样品定制与小批量试产，配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系，让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。

合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心，为企业提供稳定可靠的元件。