选型手册：VS2N7002K N 沟道增强型小信号 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS2N7002K是一款面向 60V 低压小信号场景的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT23 小型封装，适配低功率信号开关、电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型小信号 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压小信号场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V、I_D=500mA\)时典型值3Ω；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时760mA；
  • 最大功率耗散（\(P_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时1W。

二、核心特性

• 小型封装：采用 SOT23 封装，适配紧凑型、高密度电路板设计；
• 低阈值电压：栅源阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）典型值2.5V@250uA，适配低压驱动场景；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	60	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
连续漏极电流	\(I_D\)	760	mA
导通电阻（\(V_{GS}=10V\)）	\(R_{DS(on)}\)	3	Ω
栅源阈值电压	\(V_{GS(th)}\)	2.5@250uA	V
最大功率耗散	\(P_D\)	1	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOT23 表面贴装封装，适配小型化电路设计；
• 典型应用：
  • 低功率信号开关电路；
  • 小型电源管理系统的辅助开关；
  • 便携设备的低功耗负载控制。

五、信息来源

威兆半导体官方资料及电子元件商城公开参数（注：以上参数基于公开资料整理，实际以官方数据手册为准。）