0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET

海阔天空的专栏 来源:厂商供稿 作者:厂商供稿 2025-12-12 11:40 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新型X4级器件简化热设计,提高效率同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。

伊利诺伊州罗斯蒙特,2025年129 -- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低,仅为1.99 mΩ,可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。

MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装,配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比,该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on),使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。

功能与特色

· 200 V阻断电压,1.99 mΩ超低RDS(on),可将传导损耗降至最低;

· 高电流能力(ID = 480 A)减少了所需并联器件的数量;

· 紧凑型SMPD-X隔离封装,具有2500 V隔离和改进的热阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W);

· 低栅极电荷(Qg = 535 nC)降低了栅极驱动功率要求;

· 采用顶部冷却式封装,简化热管理。

这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程,有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。

图片1.png
MMIX1T500N20X4功率MOSFET

应用

该MMIX1T500N20X4非常适合:

· 直流负载开关

· 电池储能系统;

· 工业和过程电源

· 工业充电基础设施;

· 无人机和垂直起降飞行器(VTOL)平台。

“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中,从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道, “这有助于提高系统可靠性,简化栅极驱动器的实施,同时提高功率密度和PCB空间利用率。”

常见问答(FAQ)

  1. 与现有解决方案相比,MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?

MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on),额定电流为480 A,可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET,可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。

  1. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?

该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。

  1. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?

高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W)和2500 VRMS隔离性能,可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理,减小了系统尺寸,并增强了长期可靠性。

供货情况

MMIX1T500N20X4以管式(20支)和卷带式(每卷160支)两种形式提供。通过全球授权的Littelfuse经销商提交样品申请。如需了解Littelfuse授权经销商名单,请访问 Littelfuse.com。

更多信息

可通过以下方式查看更多信息: MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET产品页面。需要技术支持?请访问Littelfuse网站或直接联系:MOS和IGBT(SBU)产品管理高级经理Francois Perraud, FPerraud@Littelfuse.com

关于Littelfuse

Littelfuse (NASDAQ: LFUS) 是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。凭借覆盖超过20个国家的业务和约16,000名全球员工,我们与客户合作,设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户,我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。Littelfuse在中国拥有7个销售办事处、7个研发中心和8个制造工厂,为客户提供全球资源本地服务。详情请访问Littelfuse.com。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    152

    文章

    10906

    浏览量

    235603
  • Littelfuse
    +关注

    关注

    5

    文章

    281

    浏览量

    98411
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SOT-23封装20V N沟道MOSFET技术特性分析

    SOT-23封装20V N沟道MOSFET技术特性分析 一、产品概述 SOT-23封装的20V N沟道M
    发表于 05-08 18:16

    Vishay采用最新DFN6546A封装200 V FRED Pt® 超快恢复整流器支持高达15 A额定电流

    DFN6546A封装,并配备易于吸附焊锡的侧边焊盘。这些200 V器件支持6 A至15 A额定电
    的头像 发表于 04-22 13:22 197次阅读

    芯塔电子推出1200V/32mΩ SMPD封装SiC模块TFF068C12SS3

      芯塔电子近日推出1200V/32mΩ SMPD封装SiC模块——TFF068C12SS3。该产品集成了多项技术创新,为电动汽车、电动飞行器、新能源等高压大功率应用场景提供了性能卓越
    的头像 发表于 03-26 14:48 491次阅读
    芯塔电子<b class='flag-5'>推出</b>1200<b class='flag-5'>V</b>/32mΩ <b class='flag-5'>SMPD</b><b class='flag-5'>封装</b>SiC模块TFF068C12SS3

    MOSFET相关问题分享

    、TO-252、TO-247等。 3.Q: 我们的MOSFET采用什么工艺? A采用的是超级
    发表于 01-26 07:46

    芯源的MOSFET采用什么工艺

    采用的是超级工艺。超级技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的,用于改善
    发表于 01-05 06:12

    选型手册:MOT65R180HF N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数
    的头像 发表于 11-18 15:39 529次阅读
    选型手册:MOT65R180HF N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R380F N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校
    的头像 发表于 11-18 15:32 583次阅读
    选型手册:MOT65R380F N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R380D N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校
    的头像 发表于 11-10 15:42 614次阅读
    选型手册:MOT70R380D N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R280D N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N沟道超级功率MOSFET,凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数
    的头像 发表于 11-07 10:54 453次阅读
    选型手册:MOT70R280D N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT70R280D 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超级技术的N沟道功率MOSFET,凭借700V级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性,广泛适
    的头像 发表于 10-31 17:31 508次阅读
    选型手册:MOT70R280D 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R600F 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R600F是一款基于超级技术的N沟道功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性,广泛适用于
    的头像 发表于 10-31 17:28 696次阅读
    选型手册:MOT65R600F 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT65R380D 系列 N 沟道超级功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380D是一款面向高压功率转换场景的N沟道超级功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性
    的头像 发表于 10-29 10:31 564次阅读
    选型手册:MOT65R380D 系列 N 沟道<b class='flag-5'>超级</b><b class='flag-5'>结</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    龙腾半导体650V 99mΩ超MOSFET重磅发布

    龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超MOSFET,其内置FRD,适应LLC应用,并适合多管应用,具有更快的开关速度,更低的导通损
    的头像 发表于 09-26 17:39 1771次阅读
    龙腾半导体650<b class='flag-5'>V</b> 99mΩ超<b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>重磅发布

    PFR20200CTF肖特基二极管TO-220F封装200V20A

    °c 最高温Tj :175°c 在温为 125℃、正向电流为 10A 时,最大正向压降V F(max)为:0.72V。 特点:具有低功
    发表于 08-20 14:53

    新品 | 650V CoolMOS™ 8超 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供
    的头像 发表于 07-04 17:09 1488次阅读
    新品 | 650<b class='flag-5'>V</b> CoolMOS™ 8超<b class='flag-5'>结</b> (SJ) <b class='flag-5'>MOSFET</b>