基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、储能等领域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力电源、户储逆变器等领域的650V/40mΩ系列产品。其中650V/40mΩ系列产品通过将元胞间距微缩至4.0μm，在低电压等级下实现了更高性能表现。这一系列新品将显著提升终端应用的系统效率和高温性能，降低能量损耗，助力新能源领域实现更高效、更经济的功率器件解决方案。

表1 新一代碳化硅MOSFET参数列表

与国际竞品开关损耗对比

图1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比

开关损耗 Eoff/Etotal 在常温和高温下均优于W*/O*国际竞品，高温下Eon与国际竞品W*接近。

图2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET与国际竞品开关损耗对比

开关损耗Eoff/Eon/Etotal 在常温和高温下表现优异，与W*/S*国际竞品接近。

在产品交付形态上，基本半导体提供裸芯片和晶圆两种形式之外，在封装方面针对不同应用场景进行了全面布局：1200V/13.5mΩ产品提供TO-247-3和TO-247-4封装；1200V/40mΩ产品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封装；650V/40mΩ产品则提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多种封装选择，为新一代高功率密度、低成本应用开发提供了更为完善的解决方案。

表2 新一代碳化硅MOSFET产品封装形式

在产品可靠性方面，基本半导体建立了严格的闭环开发体系，所有产品均通过车规级以上的关键可靠性项目验证：

高温反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS

高温高湿反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS

高温栅极偏压HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS

高温栅极偏压HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS

封装特性

TO-263-7：贴片封装，体积小巧。源极引脚采用特殊设计，电气性能优异，有效降低损耗与噪声。

HSOP8：薄小外形设计，多引脚小间距布局，配备散热结构，展现卓越电气性能。

TOLL：无引脚设计，体积小巧，电气性能好。具有低封装电阻和寄生电感特性。底部散热设计可支持大电流应用。

TOLT：顶部散热结构，提供更高的热可靠性，特别适合对热管理要求严苛的应用场景。

应用领域

1200V 13.5mΩ分立器件及模块：新能源汽车主驱逆变器、PCS、APF

1200V 40mΩ分立器件及模块：光伏发电、储能系统、充电桩、电焊机、新能源汽车OBC及汽车空调压缩机

750V10.5mΩ分立器件及模块：新能源汽车主驱逆变器、新能源汽车OBC及DCDC变换器

650V 40mΩ分立器件：AI算力电源、微型逆变器、通讯电源、储能系统

基本半导体此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在导通电阻、开关损耗、热阻等核心参数上已达到行业先进水平。通过持续的技术创新和工艺优化，基本半导体致力于为客户提供更优性能、更高可靠性的功率半导体解决方案。未来，公司将持续加大研发投入，不断突破技术边界，与合作伙伴携手共进，推动清洁能源技术发展，为构建高效、可持续的能源体系贡献力量。

关于基本半导体

深圳基本半导体股份有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心团队由来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学等国内外知名高校及研究机构的博士组成。

基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于电动汽车、风光储能、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的众多研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心。