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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IR9351-VB一款DFN6(2X2)-B封装P+P-Channel场效应MOS管

型号: IR9351-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package DFN6(2X2)-B
  • Configurat Dual-P+P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 12(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 38mΩ@VGS=10V
  • ID -5.4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IR9351-VB 产品简介

IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封装的双 P-通道 MOSFET,具有低导通电阻和高效的开关性能。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 -30V,栅源电压 (VGS) 最大为 ±12V,适用于低压功率转换应用。它基于先进的沟槽 (Trench) 技术制造,具备高效的导通和关断性能,并能显著降低导通损耗。其两组 P-通道 MOSFET 的设计适用于需要双向电流控制的电路,有助于简化系统设计并提高功率密度。

### 二、IR9351-VB 参数说明

- **封装**: DFN6(2X2)-B  
- **配置**: 双 P+P-通道  
- **漏源电压 (VDS)**: -30V  
- **栅源电压 (VGS)**: 12V (最大 ±V)  
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:  
 - 60mΩ @ VGS=4.5V  
 - 38mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.4A  
- **技术**: 沟槽 (Trench)

### 三、应用领域与模块

1. **电源管理模块**: IR9351-VB 适用于低电压功率转换应用,尤其是在电源管理模块中,如 DC-DC 转换器和负载开关。其双 P-通道配置简化了反向保护电路的设计,同时降低了功率损耗。

2. **消费类电子设备**: 在手机、平板电脑等便携式设备中,IR9351-VB 可以用于电池管理和电源切换电路。其低导通电阻特性可有效提高设备的能效并延长电池寿命。

3. **汽车电子系统**: 在车载低压电源管理和传感器电路中,该双 P-通道 MOSFET 可用于驱动电机、控制灯光等电子设备,提供高效的功率切换能力,同时确保车载电路的稳定性和可靠性。

4. **工业自动化与控制系统**: IR9351-VB 也可应用于工业自动化设备中的低功耗电源模块,如机器人电源管理和电机驱动电路,其耐用性和可靠性适用于高频切换场景。

通过上述特性与应用场景,IR9351-VB 提供了良好的性能与效率平衡,非常适合需要低压功率控制的各种模块与领域。

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