安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有低QRR 、RDS(on) 和 QG ，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车48V系统应用。该器件的漏极-源极电压为80V，连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。

数据手册：*附件：onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET数据手册.pdf

特性

• 低QRR 、软恢复体二极管
• 低 RDS(on) ，可最大限度降低导通损耗
• 低QG 和低电容，可最大限度降低驱动器损耗
• 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
• 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令

封装类型

瞬态热响应

NVBLS1D2N08X：一款高性能80V N沟道功率MOSFET的深度解析

概述

NVBLS1D2N08X是安森美半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的TOLL封装技术。该器件具有80V的额定漏源电压、1.1mΩ的超低导通电阻和299A的最大连续漏极电流，专为要求严苛的功率转换应用而设计。

关键技术特性

电气参数

• ‌额定电压‌：VDSS = 80V，VGS = ±20V
• ‌导通特性‌：RDS(on)最大值仅1.1mΩ（VGS=10V条件下）
• ‌电流能力‌：连续漏极电流最高达299A（TC=25°C）
• ‌栅极阈值电压‌：VGS(th) = 2.4-3.6V
• ‌栅极总电荷‌：QG(tot) = 121nC

热管理特性

器件表现出优异的散热性能：

• 结到外壳热阻：RθJC = 0.76°C/W
• 结到环境热阻：RθJA = 30°C/W
• 最大功率耗散：197W（TC=25°C）

应用优势分析

同步整流应用

在DC-DC和AC-DC转换器的同步整流应用中，NVBLS1D2N08X的低QRR和软恢复体二极管特性可显著降低开关损耗，提高系统效率。其超低RDS(on)有效减少了导通损耗，配合低QG和电容特性，进一步优化了驱动损耗。

汽车48V系统

针对汽车48V系统的特殊需求，该器件具备AEC-Q101认证资格，满足汽车级应用的可靠性要求。其高电流处理能力（299A）和优秀的散热性能，使其在严苛的汽车环境中表现出色。

电机驱动

在电机驱动应用中，器件的高开关速度（td(on)=40ns，tr=23ns）和坚固的雪崩耐量（EAS=441mJ）确保了系统的可靠性和响应速度。

设计考量

驱动设计建议

基于数据手册的开关特性：

• 推荐使用适当的栅极电阻来优化开关性能
• 建议工作栅极电压为10V以获得最佳性能
• 需要考虑栅极电荷特性来设计合适的驱动电路

热设计要点

热管理是充分发挥器件性能的关键：

• 最大工作结温范围：-55°C至+175°C
• 实际连续电流受热设计和电路板布局限制
• 瞬态热响应特性需要在系统设计中充分考虑

性能总结

NVBLS1D2N08X凭借其卓越的电气特性和热性能，在现代功率电子系统中展现出明显优势。其低导通电阻、快速开关特性和稳健的体二极管特性，使其成为高效率功率转换应用的理想选择。特别是在追求高效率和高功率密度的应用中，该器件为设计工程师提供了优秀的解决方案。

随着功率电子技术的不断发展，NVBLS1D2N08X这样的高性能功率MOSFET将在未来的能源转换和电力驱动系统中发挥越来越重要的作用。