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银线二焊键合点剥离失效分析

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客户对HBM的要求为增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合就是可以满足此类需求的技术。   混合技术预计不仅可应用于HBM,还可应用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副总裁姜志浩(音译)表示,“目前的做法是分别创建DRAM单元区域和外围区域,
2025-04-17 00:05:001060

芯片封装中的四种方式:技术演进与产业应用

芯片封装作为半导体制造的核心环节,承担着物理保护、电气互连和散热等关键功能。其中,技术作为连接裸芯片与外部材料的桥梁,直接影响芯片的性能与可靠性。当前,芯片封装领域存在引线键合、倒装芯片、载带
2025-04-11 14:02:252627

MDD超快恢复极管的典型失效模式分析:如何避免过热与短路?

MDD超快恢复极管因其反向恢复时间短、开关损耗低的特性,广泛应用于高频开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路及新能源领域。然而,在实际应用中,超快恢复极管可能因不合理的电路设计或
2025-04-11 09:52:17685

电子元器件失效分析与典型案例(全彩版)

本资料共分两篇,第一篇为基础篇,主要介绍了电子元器件失效分析基本概念、程序、技术及仪器设备;第篇为案例篇,主要介绍了九类元器件的失效特点、失效模式和失效机理以及有效的预防和控制措施,并给出九类
2025-04-10 17:43:54

引线键合里常见的金铝问题

金铝效应是集成电路封装中常见的失效问题,严重影响器件的可靠性。本文系统解析其成因、表现与演化机制,并结合实验与仿真提出多种应对措施,为提升可靠性提供参考。
2025-04-10 14:30:242387

芯片封装的四种技术

芯片封装是半导体制造的关键环节,承担着为芯片提供物理保护、电气互连和散热的功能,这其中的技术(Bonding)就是将晶圆芯片固定于基板上。
2025-04-10 10:15:382839

面向临时/解TBDB的ERS光子解技术

,半导体制造商倾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圆。然而,晶圆越薄就越容易破损,为此,行业开发了各种临时和解 (TBDB) 技术,利用专用胶将器件晶圆临时固定在刚性载板上,以提升制造过程的稳定性和良率。 现有解方法的局限
2025-03-28 20:13:59790

HDI板激光盲孔底部开路失效原因分析

高密度互联(HDI)板的激光盲孔技术是5G、AI芯片的关键工艺,但孔底开路失效却让无数工程师头疼!SGS微电子实验室凭借在失效分析领域的丰富经验,总结了一些失效分析经典案例,旨在为工程师提供更优
2025-03-24 10:45:391271

芯片封装技术工艺流程以及优缺点介绍

芯片封装是半导体制造的关键环节,承担着为芯片提供物理保护、电气互连和散热的功能,这其中的技术就是将裸芯片与外部材料连接起来的方法。可以通俗的理解为接合,对应的英语表达是Bonding,音译
2025-03-22 09:45:315448

粗铝线强度测试:如何选择合适的推拉力测试机?

。因此,对粗铝线强度进行精准测试显得尤为重要。推拉力测试机凭借其高效性和精确性,成为评估粗铝线强度和可靠性的理想工具。本文科准测控小编将深入探讨如何使用推拉力测试机进行粗铝线强度测试,并分析其在实
2025-03-21 11:10:11812

封装失效分析的流程、方法及设备

本文首先介绍了器件失效的定义、分类和失效机理的统计,然后详细介绍了封装失效分析的流程、方法及设备。
2025-03-13 14:45:411819

金丝的主要过程和关键参数

金丝主要依靠热超声键合技术来达成。热超声键合融合了热压与超声键合两者的长处。通常情况下,热压所需温度在300℃以上,而在引入超声作用后,热超声键合所需温度可降至200℃以下。如此一来
2025-03-12 15:28:383669

高密度封装失效分析关键技术和方法

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。
2025-03-05 11:07:531288

一文详解共晶技术

技术主要分为直接和带有中间层的。直接如硅硅,阳极条件高,如高温、高压等。而带有中间层的,所需的温度更低,压力也更小。带金属的中间层技术主要包括共晶、焊料、热压和反应等。本文主要对共晶进行介绍。
2025-03-04 17:10:522628

什么是金属共晶

金属共晶是利用金属间的化学反应,在较低温度下通过低温相变而实现的后的金属化合物熔点高于温度。该定义更侧重于从材料科学的角度定义。
2025-03-04 14:14:411921

铜线IMC生长分析

铜引线键合由于在价格、电导率和热导率等方面的优势有望取代传统的金引线键合, 然而 Cu/Al 引线键合界面的金属间化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的过量生长将增大接触电阻和降低强度, 从而影响器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398

闪存冲击400层+,混合技术传来消息

将两片已经加工完毕的晶圆直接合在一起。这项技术通过直接将两片晶圆贴合,省去了传统的凸连接,从而缩短了电气路径,提高了性能和散热能力,同时优化了生产效率,是目前混合中最常用的技术。   据ZDNet报道,三星之前在NAND生产中使用COP(外围
2025-02-27 01:56:001038

Cu-Cu混合的原理是什么

本文介绍了Cu-Cu混合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:111575

推拉力测试仪:金丝球工艺优化的“神器”

S100推拉力测试仪对金丝球焊点进行可靠性分析,探讨影响其可靠性的因素,并提出优化建议。 一、金丝球焊点的可靠性影响因素 1、材料特性 第焊点的可靠性受区材料的粗糙度、缺陷尺寸及硬度等因素的影响。例
2025-02-22 10:09:071329

焊接强度测试仪如何助力冷/热凸块焊接质量评估,一文详解

块的质量进行精确评估,是确保半导体器件高性能和高可靠性的关键环节。本文科准测控小编将介绍如何焊接强度测试仪进行冷/热凸块拉力测试。 一、常用试验方法 1、引线拉力测试(Pull Test) 原理:在线上施加一个向
2025-02-20 11:29:14919

芯片失效分析的方法和流程

  本文介绍了芯片失效分析的方法和流程,举例了典型失效案例流程,总结了芯片失效分析关键技术面临的挑战和对策,并总结了芯片失效分析的注意事项。     芯片失效分析是一个系统性工程,需要结合电学测试
2025-02-19 09:44:162908

基于剪切力测试的DBC铜线工艺优化研究

中,引线键合技术是实现芯片与外部电路连接的重要手段,而材料的选择和工艺参数的优化则是确保质量的关键因素。 铜线作为一种新型的材料,相较于传统的铝线和金线,展现出了更为优异的导电和导热性能。这使得铜线在
2025-02-08 10:59:151055

整流极管失效分析方法

整流极管失效分析方法主要包括对失效原因的分析以及具体的检测方法。 一、失效原因分析 防雷、过电压保护措施不力 : 整流装置未设置防雷、过电压保护装置,或保护装置工作不可靠,可能因雷击或过电压而损坏
2025-01-15 09:16:581589

芯片制造的关键一步:技术全攻略

在芯片制造领域,技术是一项至关重要的工艺,它直接关系到芯片的性能、可靠性以及生产成本。本文将深入探讨芯片制造技术中的技术,包括其基本概念、分类、工艺流程、应用实例以及未来发展趋势。
2025-01-11 16:51:564229

PDMS和硅片微流控芯片的方法

PDMS和硅片的过程涉及几个关键步骤和注意事项,以确保质量和稳定性。以下是基于提供的搜索结果的详细解释。 等离子处理工艺的作用 等离子处理工艺在PDMS和硅片中起着至关重要的作用。它可
2025-01-09 15:32:241257

如何有效地开展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任务是探究产品或构件在服役过程中出现的各种失效形式。这些失效形式涵盖了疲劳断裂、应力腐蚀开裂、环境应力开裂引发的脆性断裂等诸多类型。深入剖析失效机理,有助于工程师
2025-01-09 11:01:46995

什么是引线键合(WireBonding)

线(WireBonding)线是一种使用细金属线,利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板盘紧密,实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下,引线和基板间会发
2025-01-06 12:24:101966

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