LG电子重兵布局混合键合设备研发，锁定2028年大规模量产目标

近日，LG 电子宣布正式启动混合键合设备的开发项目，目标在 2028 年实现该设备的大规模量产，这一举措标志着 LG 电子在半导体先进封装领域迈出了重要一步。混合键合技术作为半导体制造中的前沿工艺，正逐渐成为提升芯片性能与集成度的关键手段，LG 电子的加入有望为该领域带来新的活力与变革。

混合键合技术通过铜对铜、介质对介质的直接键合方式，实现芯片间的电气与机械连接，相比传统封装技术，它能够显著减小芯片间的间距，提升信号传输速度，并提高芯片的集成度与性能。在当前芯片制造向更高性能、更小尺寸发展的趋势下，混合键合技术对于满足人工智能、高性能计算等领域对芯片的严苛要求具有重要意义。例如，在高带宽内存（HBM）的生产中，混合键合技术可有效降低 DRAM 层间距，提升信号传输速率，更好地适配 AI 计算对高带宽的需求。

据了解，LG 电子此次投入大量研发资源，组建了专业的研发团队，专注于混合键合设备的技术攻关。研发团队将聚焦于提升设备的键合精度、效率以及可靠性等关键性能指标，以满足大规模量产的需求。同时，LG 电子也在积极与上下游企业展开合作，确保在设备开发过程中能够充分整合产业链资源，实现技术的快速突破与产品的优化。

目前，全球范围内已有部分企业在混合键合技术与设备领域取得一定进展。SK 海力士计划于 2026 年在其 HBM 生产中采用混合键合技术，Genesem 已为其提供两台下一代混合键合设备用于试验工厂的工艺测试 。三星电子也在积极布局相关技术，据悉其与长江存储达成了 3D NAND 混合键合专利许可协议，用于下一代高堆叠层数闪存芯片的研发 。在这样的竞争环境下，LG 电子选择此时切入市场，既是对自身技术实力的自信，也展现出其对半导体先进封装领域未来发展潜力的看好。

对于 LG 电子而言，混合键合设备的开发与量产将为其业务版图带来新的增长机遇。一方面，设备的成功推出有望为 LG 电子开拓新的客户群体，在半导体设备市场中占据一席之地；另一方面，这也将助力 LG 电子在自身的芯片制造与封装业务中实现技术升级，提升产品竞争力。特别是在 LG 电子大力发展的 OLED 显示、车载电子等业务领域，高性能芯片的需求日益增长，混合键合设备的应用将为其产品创新提供有力支撑 。

展望 2028 年，若 LG 电子能够如期实现混合键合设备的大规模量产，无疑将对全球半导体先进封装产业格局产生深远影响。届时，随着更多企业能够采用 LG 电子的混合键合设备，芯片制造的效率与质量有望得到进一步提升，从而推动整个半导体产业向更高性能、更小尺寸的方向加速发展。而 LG 电子也将凭借这一技术突破，在半导体领域树立新的里程碑，为自身在全球科技竞争中赢得更为有利的地位。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇