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电子发烧友网>存储技术>美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮

美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮

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HBM市场火爆!与SK海力士今年供货已告罄

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三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM,带宽高达1280GB/s,容量达36G

“随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大,我们的新产品HBM3E 12H应运而生,”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道,“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
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三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

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开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案,加速人工智能发展

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开始量产HBM3E解决方案

近日,全球领先的半导体存储器及影像产品制造商公司宣布,已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着光在半导体技术领域的又一次突破,也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
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三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

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SK海力士HBM3E内存正式量产,AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作,并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称,该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商,每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33,800 部全高清电影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量产,巩固AI存储领域的领先地位

SK海力士作为HBM3E的首发玩家,预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验,将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
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GTC 2024:三大存储厂商齐展HBM3E与GDDR7技术

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SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

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:高带宽存储器芯片至2025年供应已近饱和

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科技Q2业绩超预期 营收同比增长58%

的应用需求增长,比如HBM需求强劲;都为存储芯片行业带来了新的增长机会。 而且科技Q3营收指引高达68亿美元;科技预计在HBM强劲需求驱动下,在第三财季营收区间将达到64亿美元至68亿美元,同比增长高达70%到81%。 HBM3E寄予厚望,英伟达是HBM3E产品的
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NVIDIA预定购三星独家供应的大量12层HBM3E内存

据悉,HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量,较8层堆叠的HBM3 8H,分别提升了50%以上的带宽及容量。
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三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

据最新消息透露,英伟达即将从今年9月开始大规模采购12层HBM3E内存,而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:061180

三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:091917

三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

12层HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s,这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。
2024-03-29 10:47:091352

HBM3E起飞,冲锋战鼓已然擂响

HBM3自2022年1月诞生,便凭借其独特的2.5D/3D内存架构,迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3不仅继承了前代产品的优秀特性,更在技术上取得了显著的突破。它采用了高达1024位的数据路径,并以惊人的6.4 Gb/s的速率运行,实现了高达819 Gb/s的带宽,为高性能计算提供了强大的支持。
2024-03-30 14:34:103382

半导体新款TC键合机助力HBM市场扩张

TC键合机作为一种应用热压技术将芯片与电路板连接的设备,近年来广泛应用于HBM3EHBM3的垂直堆叠工艺中,提升了生产效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

三星与AMD达成HBM3E采购大单,总金额达4万亿韩元

三星方面表示,预计今年上半年将正式生产出HBM3E 12H内存,而AMD则计划于下半年开始生产相应的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H内存的全天候最大带宽可达到惊人的1280GB/s,产品容量更是高达36GB。
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SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年内存或供应不足

韩国 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度财报电话会议上,他们承诺第三季度能够成功研发出 12 层堆叠的 HBM3E 系列芯片,然而由于供应压力,可能在下半年出现短缺现象。
2024-04-25 14:45:071054

三星电子组建HBM4独立团队,力争夺回HBM市场领导地位

具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199

三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:201863

传三星HBM3E尚无法通过英伟达认证

三星电子近期正积极投入验证工作,以确保其HBM3E产品能够顺利供应给英伟达。然而,业界传出消息,因台积电在采用标准上存在的某些问题,导致8层HBM3E产品目前仍需要进一步的检验。
2024-05-17 11:10:13918

调整2024年资本支出预测,加强AI产业HBM投资力度

,这家位于美国爱达荷州波伊西(Boise)的企业,是HBM芯片的三大供应商之一,也是AI服务器所需硬件的关键部件。他们生产的最新一代高频宽存储器3EHBM3E)被AI芯片巨头英伟达(NVDA-US)的H200采用。
2024-05-22 10:08:20877

SK海力士HBM3E内存良率已达80%

早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士:HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率

据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

中国AI芯片和HBM市场的未来

 然而,全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年3月启动HBM3E量产
2024-05-28 09:40:311726

HBM3E解决方案,高带宽内存助力AI未来发展

近期发布的内存和存储产品组合创新备受瞩目,这些成就加速了 AI 的发展。 8 层堆叠和 12 层堆叠 HBM3E 解决方案提供业界前沿性能,功耗比竞品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659

志在HBM市场:计划未来两年大幅提升市占率

在全球高带宽内存(HBM市场竞争日益激烈的背景下,(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市场拓展计划。该公司预计,在2024会计年度,将抢下HBM市场超过20%的份额,而到2025会计年度末,市占率更是计划挑战25%的高位。
2024-06-07 09:58:221115

SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求

据韩国媒体报道,为了应对市场对高性能HBM3E(高带宽内存第三代增强版)内存的激增需求,全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品,同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
2024-06-18 16:25:571084

英伟达巨资预订HBM3E,力拼上半年算力市场

在全球AI芯片领域的激烈竞争中,英伟达以其卓越的技术实力和市场影响力,始终保持着领先地位。最近,这家AI芯片大厂再次展现出了其独特的战略眼光和强大的资金实力,以确保其新品GH200和H200能够顺利出货,不惜以高达13亿美元的预算,向光和SK海力士预订了部分高带宽存储HBM3e的产能。
2024-06-22 16:46:581465

HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

在存储芯片领域,美国巨头(Micron)近日释放了强烈的市场扩张信号,宣布其目标是在2025年自然年将高带宽内存(HBM市场占有率提升至与DRAM市占率相当的水平,即约20%至25%。这一
2024-07-03 09:28:591061

三星电子HBM3E测试传闻引发热议,紧急澄清市场误解

在科技界与金融市场的交汇点,一则关于三星电子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通过英伟达严格质量测试的消息于7月4日悄然传开,瞬间点燃了业界内外对于高性能存储技术未来
2024-07-04 16:22:511195

三星HBM3E质量认证进展:官方否认,测试仍在进行

近日,韩国媒体的一则报道引发了业界广泛关注,称三星电子的新一代高带宽内存HBM3E已经顺利通过了GPU巨头英伟达(NVIDIA)的质量认证,即Qualtest PRA(产品准备批准),并预示着该产品
2024-07-05 10:37:031118

三星否认HBM3E通过英伟达测试传闻

近期,有媒体报道称三星电子已成功通过英伟达(NVIDIA)的HBM3E(高带宽内存)质量测试,并预计很快将启动量产流程,以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。然而,这一消息迅速遭到了三星电子的官方否认。
2024-07-05 15:08:181268

三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,三星电子方面迅速对此消息进行了否认,表示并未收到官方确认。
2024-07-05 16:09:581392

三星HBM3E批量出货在即,DDR5市场或迎供应紧张与价格上涨

在半导体存储领域,三星电子的每一次技术突破与产能调整都牵动着市场的神经。近期,业内传出消息,三星电子的HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)存储器即将完成批量出货验证,这一
2024-07-17 15:19:411221

三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

近日,三星电子在半导体领域再传捷报,其高频宽内存(HBM)产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达(NVIDIA)的严格认证,标志着该产品即将进入规模化生产阶段,预计在本季度内正式向
2024-07-18 09:36:591401

今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先进芯片今年量产

最先进的HBM3e芯片占总HBM的销售额比例将从本季度略高于10%增长到今年最后一个季度的60%。三星存储销售和营销负责人Kim Jaejune表示,该公司将为几家客户供货,但未透露客户姓名。   英伟达是三星和竞争对手正在争取的最重要的客户,三星预测的快速增长表明,
2024-08-01 11:08:111376

量产第九代NAND闪存技术产品

全球领先的存储解决方案提供商科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。
2024-08-01 16:38:461251

三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升

三星电子公司近日宣布了一项重要计划,即今年将全面启动其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e量产工作,并预期这一先进产品将显著提升公司的营收贡献。据三星电子透露,随着HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星电子HBM3E芯片测试进展引发市场关注

8月7日,市场上关于三星电子第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已通过英伟达(Nvidia)测试的消息引起了广泛关注。然而,三星电子对此事态的反应却显得较为谨慎。三星电子官方表示:“我们无法证实与我
2024-08-07 15:23:26968

三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
2024-08-08 10:06:021161

三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟达严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这一报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:561635

TrendForce:三星HBM3E内存通过英伟达验证,8Hi版本正式出货

9月4日最新资讯,据TrendForce集邦咨询的最新报告透露,三星电子已成功完成其HBM3E内存产品的验证流程,并正式启动了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出货,该产品主要面向英伟达H200系列应用。同时,三星电子还积极推进Blackwell系列的验证工作,预示着更先进技术的稳步前行。
2024-09-04 15:57:091772

SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存

自豪地宣布,SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E,已稳坐行业领导地位,而更进一步的是,公司即将在本月底迈入一个新的里程碑,正式启动12层HBM3E量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645

三星电子HBM3E内存获英伟达认证,加速AI GPU市场布局

近日,知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了一项重要进展:三星电子的HBM3E内存产品已成功通过英伟达验证,并正式开启出货流程。具体而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被确认
2024-09-05 17:15:281404

12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付

科技近期宣布,其“生产可用”的12层堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付,标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要行业合作伙伴手中,以全面融入并验证其在整个AI生态系统中的效能。
2024-09-09 17:42:371553

SK海力士引领未来:全球首发12层HBM3E芯片,重塑AI存储技术格局

今日,半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑,该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产,此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度,更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士12层堆叠HBM3E率先量产

SK海力士近日宣布了一项重大突破,公司已成功在全球范围内率先实现12层堆叠HBM3E量产,这一里程碑式的成就标志着其在高端存储技术领域的持续领先地位。这款新品不仅将HBM产品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI应用所需的速度、容量及稳定性等方面均达到了全球顶尖水平。
2024-09-27 16:49:171176

GPU需求高涨,原厂竞相把握HBM3e市场机遇

AI芯片需求在人工智能浪潮中持续攀升,近期消息显示,不仅HBM(高带宽存储器)出现供不应求、原厂积极扩产的情况,英伟达Blackwell架构的GPU也面临市场需求远超供应的局面。
2024-10-15 14:25:351451

三星电子HBM3E商业化遇阻,或重新设计1a DRAM电路

近日,业界传出三星电子HBM3E商业化进程迟缓的消息,据称这一状况或与HBM核心芯片DRAM有关。具体而言,1a DRAM的性能问题成为了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应的绊脚石。
2024-10-23 17:15:101255

SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品

和卓越的研发能力,已经提前开发出48GB 16层HBM3E产品。这一举措不仅展现了SK海力士的技术实力,更凸显了其对市场
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片

在近日举行的SK AI峰会上,韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出,标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士发布HBM3e 16hi产品

在近日举办的SK AI Summit 2024活动中,SK hynix(SK海力士)透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉,该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品,这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB,将为用户带来前所未有的存储体验。
2024-11-14 18:20:201364

发布HBM4与HBM4E项目新进展

2048位接口,这一技术革新将大幅提升数据传输速度和存储效率。计划于2026年开始大规模生产HBM4,以满足日益增长的高性能计算需求。 除了HBM4,还透露了HBM4E的研发计划。HBM4E作为HBM4的升级版,不仅将提供更高的数据传输速度,还将具备根据需求定制基础芯片的能力。这一创新将为
2024-12-23 14:20:391377

SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备

坚实基础。 SK海力士的这一举措,无疑将在全球半导体市场掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品,其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作,SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力,也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:241050

新加坡HBM内存封装工厂破土动工

光在亚洲地区的进一步布局和扩张。 据方面介绍,该工厂将采用最先进的封装技术,致力于提升HBM内存的产能和质量。随着AI芯片行业的迅猛发展,HBM内存的需求也在不断增长。为了满足这一市场需求,决定在新加坡建设这座先进的封装工
2025-01-09 16:02:581155

加入16-Hi HBM3E内存竞争

近日,全球DRAM内存巨头之一的科技公司宣布,将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前,正在对最终设备进行评估,并计划在今年内实现量产。 这一消息标志着光在高性能内存
2025-01-17 14:14:12914

三星电子将供应改良版HBM3E芯片

三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现大规模生产和销售,并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上一代HBM3相比,HBM3E的销售额实现了显著增长。
2025-02-06 17:59:001106

三星与英伟达高层会晤,商讨HBM3E供应

其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题,并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。 此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测,三星8层HBM3E产品的质量认证工作已接近尾声,这标志着三星即将正式迈入英伟达的HBM供应链。对于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

量产12层堆栈HBM,获英伟达供应合同

近日,科技宣布即将开始量产其最新的12层堆栈高带宽内存(HBM),并将这一高性能产品供应给领先的AI半导体公司英伟达。这一消息的发布,标志着光在HBM技术领域的又一次重大突破。
2025-02-18 14:51:191269

确认HBM4将在2026年Q2量产

2025年9月24日,光在2025财年第四季度财报电话会议中确认,第四代高带宽内存(HBM4)将于2026年第二季度量产出货,2026年下半年进入产能爬坡阶段。其送样客户的HBM4产品传输速率突破
2025-09-26 16:42:311181

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3HBM3EHBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695

HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时,已经为英伟达供应HBM3E。至此,高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534

HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产HBM4正在紧锣密鼓地研发,从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展,原本SK海力士计划2026年量产HBM4,不过最近
2024-07-28 00:58:136874

风景独好?12层HBM3E量产,16层HBM3E在研,产业链涌动

海力士宣布公司已开始量产12H HBM3E芯片,实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。运行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496

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