0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士HBM3E正式量产,巩固AI存储领域的领先地位

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-03-19 15:18 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

韩国SK海力士公司于3月19日发布公告,宣布其超高性能AI存储器新品HBM3E已进入批量生产阶段,并将于月底起向客户出货。这距离其首次公开报道HBM3E研发成功已有约七个月时间。

SK海力士作为HBM3E的首发玩家,预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验,将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。

为应对需要处理海量数据的AI系统需求,该半导体器件主要由密集排列的AI芯片和存储器构成,SK海力士预计,在各种针对性的性能测试中,HBM3E有望成为最佳解决方案。

HBM3E实现的1.18TB/s的数据处理速率,能够在一秒内处理超过230部高清电影(按照每个5GB计算),使其在AI存储器所需的各项性能指标中均表现卓越。

除此之外,SK海力士HBM部门副总裁柳成洙指出,HBM3E的大规模生产使公司在业界领先的AI存储器产品组合得到丰富,他表示说:“依托HBM部门的骄人业绩和多年积累的客户合作伙伴关系,SK海力士将继续稳固其AI存储整体供给商的地位。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7771

    浏览量

    172475
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    1019

    浏览量

    42030
  • HBM3
    +关注

    关注

    0

    文章

    75

    浏览量

    522
  • HBM3E
    +关注

    关注

    0

    文章

    82

    浏览量

    800
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    192GB,SK海力士开始为英伟达Vera Rubin量产SOCAMM2

    电子发烧友网报道(文 / 吴子鹏)日前,SK 海力士宣布正式量产基于第六代 10 纳米级(1c)LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2(Small Outline
    的头像 发表于 04-21 15:54 1w次阅读

    SK海力士正式发布控温散热存储技术“iHBM”

    近日,SK海力士正式发布控温散热存储技术"iHBM",核心思路很直接——不在封装外面想办法散热,而是把冷却元件直接做进HBM封装内部。计划应用于HB
    的头像 发表于 05-27 10:34 453次阅读

    AI加速器需求倒逼HBM4量产加速,三家国际存储巨头亮出进度表

    HBM3E中仅承担信号转接,但HBM4开始部分计算任务下沉至base die,以解决内存墙问题,"Base Die将成为HBM下一代竞争的决胜点"。本文将三星、美光、SK
    的头像 发表于 05-27 09:57 6308次阅读
    <b class='flag-5'>AI</b>加速器需求倒逼<b class='flag-5'>HBM</b>4<b class='flag-5'>量产</b>加速,三家国际<b class='flag-5'>存储</b>巨头亮出进度表

    SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM” ,助力提升AI系统效率

      SK海力士26日宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”,显著降低产品运行时的发热量。   * ICE(Integrated Cooling
    的头像 发表于 05-26 10:34 917次阅读

    KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!

    structure)”,同时采用了HBM和HBF两种技术。   在SK海力士设计的仿真实验中,H³架构将HBM和HBF显存并置于GPU旁,由GPU负责计算。该公司将8个
    的头像 发表于 02-12 17:01 7964次阅读
    KV缓存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H³<b class='flag-5'>存储</b>架构”,<b class='flag-5'>HBM</b>和HBF技术加持!

    HBM3E反常涨价20%,AI算力竞赛重塑存储芯片市场格局

    明年HBM3E价格,涨幅接近20%。   此次涨价背后,是AI算力需求爆发与供应链瓶颈的共同作用。随着英伟达H200、谷歌TPU、 亚马逊Trainium 等AI芯片需求激增,HBM3E
    的头像 发表于 12-28 09:50 8026次阅读

    SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。   SK
    的头像 发表于 11-14 09:11 4520次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS<b class='flag-5'>存储</b>技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    SK海力士发布未来存储路线图

    电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线
    的头像 发表于 11-08 10:49 4059次阅读

    SK海力士ZUFS 4.1闪存,手机端AI运行时间缩短47%!

    电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。   SK海力士
    的头像 发表于 09-19 09:00 4336次阅读

    全球首款HBM4量产:2.5TB/s带宽超越JEDEC标准,AI存储迈入新纪元

    ”,更进一步巩固SK 海力士AI 存储器市场的绝对领导地位。不过,
    发表于 09-17 09:29 6777次阅读

    SK海力士宣布量产HBM4芯片,引领AI存储新变革

    在人工智能(AI)技术迅猛发展的当下,数据处理与存储能力成为制约其进一步飞跃的关键因素。2025 年 9 月 12 日,韩国半导体巨头 SK 海力士宣布,已成功完成面向
    的头像 发表于 09-16 17:31 2195次阅读

    英伟达认证推迟,但三星HBM3E有了新进展

    明年。目前博通凭借自有半导体设计能力,正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。   此外,三星电子也积极推进向亚马逊云服务(AWS)供应HBM3E 12层产品,近期已在平泽园区启动实
    的头像 发表于 07-12 00:16 3993次阅读

    SK海力士321层4D NAND的诞生

    SK海力士致力于成为“全方位面向AI存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM
    的头像 发表于 07-10 11:37 2060次阅读

    SK海力士在微细工艺技术领域领先实力

    SK海力士的成功神话背后,离不开众多核心技术的支撑,其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理,SK海力士凭借压倒性的技术实力,引领着全球半导体
    的头像 发表于 07-03 12:29 2175次阅读

    SK海力士HBM技术的发展历史

    SK海力士巩固其面向AI存储领域领导地位方面,
    的头像 发表于 06-18 15:31 2500次阅读