SK海力士推出全球首款HBM3E高带宽存储器，领先三星

韩国媒体Moneytoday透露，SK海力士计划今年3月起量产全球首发的第五代高带宽内存HBM3E，预计下月起开始向英伟达供应用品。作为全球存储半导体领域三巨头之一，SK海力士抢先实现HBM3E的大规模生产和供应，扩大自身在全球HBM市场的竞争力。

早在去年8月，SK海力士便宣称研发出适用于AI场景的超高性能DRAM—— HBM3E，并开始向客户公众提供样品以进行性能验证。

半导体业内信息显示，SK海力士在今年1月中旬圆满完成HBM3E的开发进程。为期半年多的英伟达绩效评估也顺利告一段落。

在严格的9个开发阶段后，当前流程全部完成，步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志，这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可，同步启动大规模生产及交货。

尽管同业三星电子及美光亦向英伟达提供HBM3E样本，但确定是否达到质保品质的最终审核预计仍要等到3月开启。由于SK海力士已在1月完成最后的质量检测环节并定于3月出货，足足领先于预定计划两个月。

值得注意的是，SK海力士提供的HBM3E配置于英伟达定于今年第二季度末乃至季初发布的全新人工智能（AI）GPU B100核心之中。英伟达在AI GPU市场所占比重高达全球90%以上，而作为内存半导体供应商SK海力士为英伟达供给HBM也将助其进一步稳固业界“科技领先”地位。半导体行业中有声音指出，“近期SK海力士推出的HBM3E样本完全契合英伟达设定的最终规格标准”。但SK海力士表示，“无可确认与客户相关的情报。”