美光确认HBM4将在2026年Q2量产

2025年9月24日，美光在2025财年第四季度财报电话会议中确认，第四代高带宽内存（HBM4）将于2026年第二季度量产出货，2026年下半年进入产能爬坡阶段。其送样客户的HBM4产品传输速率突破11Gbps，带宽超2.8TB/s，采用12层堆叠架构，基础逻辑裸片由内部CMOS工艺制造，单颗容量36GB，功耗较竞品低30%，且已通过英伟达等核心客户验证。2025财年第四季度，美光HBM营收近20亿美元，年化营收达80亿美元，计划2026年将HBM相关资本开支提升至总投入的35%，用于先进封装产线升级。

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技术上，美光突破两项瓶颈：采用新型MR-MUF封装工艺，堆叠良率提升至75%以上；通过逻辑裸片优化设计，实现11Gbps传输速率，满足英伟达下一代Hopper2架构AI芯片需求。产能布局采取“渐进式爬坡”，2026年第二季度首批出货量占全年计划20%，供应头部客户，第三季度起快速释放产能，目标全年HBM4出货量占全球市场15%以上。客户合作方面，美光与英伟达就2026年HBM3E大部分产能达成价格协议，同时推进HBM4供应谈判，计划数月内完成与AMD、英特尔等签约，下一代HBM4E产品确定与台积电合作代工逻辑裸片，2027年量产，形成“标准品抢份额、定制品赚利润”的产品矩阵。

美光HBM4量产将重构HBM竞争格局，当前SK海力士以66%市场份额主导，计划2025年下半年量产HBM4（单颗容量48GB，带宽2.0TB/s），三星力争2025年底量产，美光加入后形成“三足鼎立”，其HBM4带宽和低功耗优势适配高算力场景，预计2026年抢占20%以上市场份额。对AI产业，HBM4可将数据存取延迟降低40%，单集群训练效率提升30%，如谷歌DeepMind称其能使Gemini Pro模型训练周期从6个月缩短至4个月。供应链上，HBM4量产加剧硅片竞争，HBM3E较传统DRAM消耗3倍晶圆，HBM4消耗进一步增加，信越化学计划2026年将300mm硅片产能提升20%，优先供应美光等企业。

不过，美光HBM4量产面临挑战。良率方面，SK海力士HBM4良率80%，美光当前75%，推高单位成本；晶圆供应紧张，HBM4所需高纯度硅晶圆依赖日本信越、SUMCO，2026年全球300mm硅片产能增幅仅15%，或制约产能释放。技术迭代上，SK海力士启动16层堆叠HBM4研发，2027年量产，三星整合晶圆代工与SAINT先进封装技术，美光HBM4E与台积电合作存在技术磨合风险。此外，2025年全球HBM3E产能局部过剩，美光若HBM4产能爬坡过快且AI芯片需求不及预期，可能库存积压，其当前库存周转天数82天，较行业平均高12天。

美光HBM4量产标志全球HBM产业进入“技术比拼+产能竞赛”白热化阶段，HBM成为半导体产业核心战略资源。对美光而言，这是重返存储行业巅峰的关键契机，对行业则推动存储密度与传输效率突破。未来两年，HBM市场竞争焦点集中在良率提升、成本控制与技术迭代速度，2026年Q2临近，相关军备竞赛进入冲刺阶段。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇