英伟达认证推迟，但三星HBM3E有了新进展

电子发烧友网综合报道，据韩媒报道，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。目前博通凭借自有半导体设计能力，正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

此外，三星电子也积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应HBM3E 12层产品，近期已在平泽园区启动实地审核。AWS计划明年量产搭载该存储器的下一代AI芯片"Trainium 3"。

7月8日，三星电子在韩国公布2025年第二季度运营利润为4.60万亿韩元，低于分析师预期的6.18万亿韩元；销售额为74.00万亿韩元，也低于预期的75.77万亿韩元，主要因美国制度和库存问题导致非记忆芯片业绩下滑。

三星电子已在位于平泽的P1和P3生产线上量产HBM3E 12层。三星此前设定目标，计划将今年HBM总供应量扩大至上年两倍的80-90亿Gb水平。

但韩媒报道，三星电子已于第二季度末减少了12层HBM3E的产量。三星电子今年第二季度HBM3E 12层硅片的产量预计平均每月7万至8万片。 然而，三星电子在第二季度末大幅减少了晶圆投入，目前的产量为每月3万至4万片。

原因是原本计划在今年年中向英伟达供应该产品，但随着谈判的拖延，下半年需求的不确定性加剧。三星电子最初的目标是在6月份完成测试，但测试或将最迟在9月份完成。业内人士表示，发热问题仍在讨论中。

市场研究机构伯恩斯坦分析预计，到2025年SK海力士仍将以57%的占有率保持领先，但三星(27%)和美光(16%)的追赶将使市场格局更趋均衡。

最近，三星开始向AMD供应其 12 层HBM3E。该公司还与多家客户合作开发定制的 HBM4 产品，预计该产品将从明年开始为公司带来收入。

其他厂商方面，SK海力士展示HBM4技术，其容量可达48GB，带宽高达2.0TB/s，I/O速度为8.0Gbps，SK海力士表示计划在2025年下半年进行量产。SK海力士还拥有全球首例16层HBM3E技术，带宽为1.2TB/s。另外，美光科技已将12层堆叠36GB HBM4送样给多家主要客户，是继SK海力士后第二家宣布出货HBM4的业者。美光HBM4预计将于2026年量产，以配合客户下一代AI平台的扩产进度。

三星芯片业务负责人全永铉在3月股东大会上承认，HBM市场的早期失利导致落后于SK海力士，并承诺在HBM4领域绝不再重蹈覆辙，这款下一代内存将应用于英伟达的Rubin GPU架构。

现阶段，三星一方面与英伟达就12层HBM3E的认证还需要时间，另一方面全球科技巨头的ASIC自研芯片为三星提供了HBM3E出货的新途径。