SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

2024年3月19日，全球半导体行业的目光再次聚焦在SK海力士身上，因为这家科技巨头宣布了一项令人瞩目的成就——成功实现了用于人工智能领域的超高性能存储器新产品HBM3E的量产，并计划于当月末向全球客户供货。这一里程碑式的进展，距离去年8月宣布完成HBM3E的开发仅短短7个月，再次印证了SK海力士在技术创新和产品研发领域的卓越能力。

HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。这款专为AI系统打造的存储器产品，不仅具备出色的数据处理能力，更在速度规格上达到了前所未有的水平。它的出现，为AI领域的发展注入了新的活力，满足了全球大型科技公司对AI芯片性能日益增长的需求。

为了满足AI系统对快速处理大量数据的需求，HBM3E在设计上充分考虑了散热等关键因素。SK海力士在研发过程中，成功应用了先进的Advanced MR-MUF技术，使得新产品的散热性能相比前一代产品有了显著提升，确保了在高负荷运行下的稳定性和可靠性。

HBM3E的最高数据处理速度可达每秒1.18TB，这一惊人的速度意味着它能够在极短的时间内完成大量数据的处理和分析，为AI系统的运行提供了强有力的支持。无论是处理复杂的图像识别任务，还是进行大规模的数据挖掘和分析，HBM3E都能轻松应对，展现出其卓越的性能和稳定性。

SK海力士HBM业务担当副社长柳成洙表示：“我们非常荣幸能够成功实现全球首个HBM3E的量产，这不仅是我们在AI存储器领域的一次重大突破，更是对我们技术实力和研发能力的充分肯定。我们将继续深化与客户的合作关系，巩固我们作为‘全方位人工智能存储器供应商’的地位，为全球AI产业的发展贡献更多创新力量。”

审核编辑：黄飞