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电子发烧友网>存储技术>三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

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2023-11-29 14:13:30376

英伟达斥资预购HBM3内存,为H200及超级芯片储备产能

据最新传闻,英伟达正在筹划发布两款搭载HBM3E内存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超级芯片,这也进一步说明了对于HBM内存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22403

AMD发布HBM3e AI加速器升级版,2025年推新款Instinct MI

目前,只有英伟达的Hopper GH200芯片配备了HBM3e内存。与现有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,单个平台可以达到10TB/s的带宽,单颗芯片能够实现5TB/s的传输速率,内存容量高达141GB
2024-02-25 11:22:42135

美光科技批量生产HBM3E,推动人工智能发展

美光执行副总裁兼首席商务官萨达纳(Sumit Sadana)称,公司已实现HBM3E的市场首发和卓越性能,同时能耗具有显著优势,使公司在AI加速领域稳占先机。他还强调,美光拥有业界顶尖的HBM3EHBM4路线图,DRAM与NAND技术相结合
2024-02-27 09:38:42127

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM,带宽高达1280GB/s,容量达36G

“随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大,我们的新产品HBM3E 12H应运而生,”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道,“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00269

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品,其性能也实现了质的飞跃。
2024-02-27 14:28:21390

三星开创性研发出12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片,存储容量高达36

三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜(TC NCF)技术,成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致,满足了现有的HBM封装要求。
2024-02-27 16:37:45430

美光新款高频宽记忆体HBM3E将被用于英伟达H200

美光在该领域处于业界领先地位。这一消息推动美光股价在当天上涨4%,27日美股早盘继续上涨逾2.5%。 HBM3E是第五代高频宽记忆体,目前提供的容量为24GB,每脚位传输速率超过每秒9.2 Gb,记忆体
2024-02-28 14:17:10173

美光开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案,加速人工智能发展

HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一
2024-03-04 14:51:51569

美光量产行业领先的HBM3E解决方案,加速人工智能发展

内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业
2024-03-04 18:51:41765

三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体技术领域的持续创新能力,也为整个存储行业树立了新的性能标杆。
2024-03-08 10:04:42195

三星电子发布业界最大容量HBM

三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51179

什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核

Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
2024-03-20 14:12:37314

SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379

英伟达CEO赞誉三星HBM内存,计划采购

 提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试,未来可能增加采购量。
2024-03-20 16:17:24390

NVIDIA预定购三星独家供应的大量12HBM3E内存

据悉,HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量,较8层堆叠的HBM3 8H,分别提升了50%以上的带宽及容量。
2024-03-25 15:36:1194

三星独家供货英伟达12HBM3E内存

据最新消息透露,英伟达即将从今年9月开始大规模采购12HBM3E内存,而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:06146

三星电子HBM存储技术进展:12HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:09107

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