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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）

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DRAM简介

　　工作原理

　　动态RAM的工作原理动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

　　3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

　　写操作时，写选择线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

　　读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时，Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电，此时读得的信息为“0”，正好和原存信息相反；若原存信息为“0”，则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为“1”。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反，所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

DRAM百科

　　工作原理

　　动态RAM的工作原理动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

　　3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

　　写操作时，写选择线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

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