SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存

9月4日，半导体行业传来重要动态，SK 海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）在备受瞩目的SEMICON 大师论坛上发表演讲，分享了公司在高带宽内存（HBM）领域的最新进展与未来展望。金柱善社长自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在HBM市场全球最高市占率的地位，也标志着HBM3E技术再次引领行业潮流，特别是在满足日益增长的人工智能服务器对高性能内存需求的背景下。

除了现有的市场领先地位，SK 海力士还展示了其前瞻性的研发实力，透露了与台积电携手共进的下一代HBM4研发计划。据悉，这款创新的HBM4产品将开创性地在基础裸晶（Basedie）芯片上采用先进的逻辑制程工艺进行生产，预计能够根据客户的量产时间表灵活调整供货节奏，有望成为业界首款采用此技术的高性能内存解决方案。

在技术规格上，当前SK 海力士的8层和12层HBM3E产品以其36GB的超大容量和每秒超过1.18TB的惊人数据处理速度，为高性能计算领域树立了新的标杆。而即将面世的HBM4则更上一层楼，将提供12层和16层两种配置选项，最大容量跃升至48GB，数据处理速度更是飙升至每秒超过1.65TB，预示着其在处理复杂AI算法和数据密集型应用方面的无限潜力。

综上所述，SK 海力士通过不断的技术创新与市场拓展，正引领着HBM技术的发展潮流，为全球高性能计算市场注入强劲动力。