据消息人士12月24日透露,全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多层Memory产品广受好评而受到客户关注。
据悉,HBM内存因其精准特性,结合多层次的DRAM技术,使得它能在AI服务器起到迅速提升数据处理能力和效率的作用。随着市场领导者三星电子和SK海力士的持续投入,这一市场规模预计将于2026年达到近8万亿韩元。
美光已明确表示,预期明年将进占市场份额约5%,排名第三。为了缩小与各领军者间的距离,他们决定在受到瞩目的HBM3E上加大研发力度,且计划于2023年最后阶段为英伟达提供测试。
美光CEO萨吉还指出,美光将于2024年满负荷生产HBM芯片,这意味着相关业务的收益必将得到巨大提升。他预计,在两年下滑后,个人电脑和智能手机市场将于2024年稍有反弹,尤其是NOR闪存市场的复苏趋势更为明显。对于产能问题,萨吉表示会视产品价格回升情况再做调整。
引领市场的竞争对手也在积极推陈出新,扩大领先优势。例如,三星电子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代产品中,混合键合技术将有助于减小体积,增大容量。
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