0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

美光量产第九代NAND闪存技术产品

CHANBAEK 来源:网络整理 作者:网络整理 2024-08-01 16:38 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

全球领先的存储解决方案提供商美光科技今日宣布了一项重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技术的固态硬盘(SSD)已正式进入量产出货阶段,标志着美光成为业界首家达成此里程碑的企业。这一创新技术的推出,不仅彰显了美光在制程技术和设计创新领域的卓越实力,更为数据存储市场树立了新的性能标杆。

美光G9 NAND技术以其惊人的3.6 GB/s传输速率傲视群雄,为数据读写提供了前所未有的高带宽体验。无论是在个人设备、边缘服务器,还是企业级和云端数据中心,G9 NAND新品都能展现出同级产品中的最佳性能,完美适配人工智能及大数据处理等高强度应用场景。

据美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer介绍,与市场上现有的竞品相比,美光G9 NAND在密度上实现了73%的大幅提升,这意味着可以构建出体积更小、效率更高的存储解决方案,为用户带来更加紧凑、高效的存储体验。这一进步不仅满足了消费者对高性能存储的迫切需求,也为企业客户在数据密集型应用中提供了强大的支持。

美光G9 NAND技术的量产出货,不仅是美光技术实力的一次集中展示,更是对整个存储行业的一次有力推动。随着数据量的爆炸式增长,高性能、高密度的存储解决方案将成为未来市场的核心需求,而美光G9 NAND技术的推出,无疑为这一趋势的加速发展注入了强劲动力。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1883

    浏览量

    117007
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1747

    浏览量

    140448
  • 美光科技
    +关注

    关注

    0

    文章

    221

    浏览量

    24216
  • 固态硬盘
    +关注

    关注

    12

    文章

    1607

    浏览量

    60108
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    科技出货车用通用闪存4.1解决方案

    科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)近日宣布,其车用通用闪存(UFS)4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一
    的头像 发表于 11-21 09:16 1790次阅读

    第九届集创赛全国总决赛“紫光同创杯”圆满落幕

    近日,第九届全国大学生集成电路创新创业大赛(简称“第九届集创赛”)全国总决赛在上海临港圆满落幕。第九届集创赛覆盖集成电路全产业链,报名队伍超过7400支,参赛师生逾20000人,参与高校500余家,赛事规模和影响力再创新高!
    的头像 发表于 09-04 15:20 1333次阅读

    实锤!中国区业务调整!官方停止移动NAND开发

    业务调整或为光在华业务持续收缩的重要信号。   针对“近日中国区业务调整”一事,正式回应表示:   鉴于移动
    的头像 发表于 08-13 08:46 2902次阅读
    实锤!<b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b>中国区业务调整!官方停止移动<b class='flag-5'>NAND</b>开发

    宣布:停止移动 NAND开发,包括终止UFS5开发

    针对“近日中国区业务调整”一事,正式回应CFM闪存市场: 鉴于移动 NAND
    的头像 发表于 08-12 13:39 2835次阅读

    采用第九QLC NAND2600 NVMe SSD介绍

    一直在QLC市场占有优势,采用G9 QLC NAND
    的头像 发表于 08-05 11:09 1635次阅读

    铠侠第九 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 存储器开始送样

    融合现有存储单元与先进的 CMOS 技术,实现投资效益最大化   全球存储解决方案领导者铠侠宣布,其采用第九 BiCS FLASH™ 3D 闪存
    发表于 07-28 15:30 464次阅读

    什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash

    NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。 其他作用 驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。 虚拟化 FLASH
    发表于 07-03 14:33

    推出自适应写入技术与G9 QLC NAND的2600 NVMe SSD 兼顾出众PCIe 4.0性能

    :MU)宣布,推出2600 NVMe SSD,专为原始设备制造商(OEM)设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD搭载业界首款应用于SSD的第九QLC
    的头像 发表于 07-02 11:09 1462次阅读
    <b class='flag-5'>美</b><b class='flag-5'>光</b>推出自适应写入<b class='flag-5'>技术</b>与G9 QLC <b class='flag-5'>NAND</b>的2600 NVMe SSD 兼顾出众PCIe 4.0性能

    NAND闪存的工作原理和结构特点

    NAND闪存是一种非易失性存储技术,广泛用于固态硬盘、USB闪存盘和手机存储中,具有高速读写和耐用性强的特点。
    的头像 发表于 03-12 10:21 4598次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>的工作原理和结构特点

    科技推出4600 PCIe 5.0 NVMe SSD

    及专业人士带来卓越的性能与用户体验。4600 SSD采用G9 TLC NAND技术,是
    的头像 发表于 02-21 16:44 1014次阅读

    量产12层堆栈HBM,获英伟达供应合同

    近日,科技宣布即将开始量产其最新的12层堆栈高带宽内存(HBM),并将这一高性能产品供应给领先的AI半导体公司英伟达。这一消息的发布,标志着
    的头像 发表于 02-18 14:51 1147次阅读

    三星西安NAND闪存工厂将建第九产线

    还将进一步迈出重要一步——建设第九V-NAND(286层技术)产线。 报道指出,为了实现这一目标,三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产
    的头像 发表于 02-14 13:43 1022次阅读

    调整NAND晶圆生产策略应对市场需求放缓

    近日,根据方面发布的2025财年第一财季财报电话会议文稿,公司高管在会上确认了针对当前闪存市场需求放缓的应对措施。 执行副总裁兼首席
    的头像 发表于 12-26 14:30 887次阅读

    EMMC和NAND闪存的区别

    智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他电子设备中都有应用。 1. 定义和历史 NAND闪存 是一种非易失性存储技术,它允许数据在断电后仍然被保留。NAND
    的头像 发表于 12-25 09:37 4410次阅读

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    技术方案。   三、NAND Flash分类   NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的
    发表于 12-17 17:34