SK海力士：HBM3E量产时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率

据报道，SK海力士宣布第五代高带宽存储（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

SK海力士生产主管Kwon Jae-soon表示：“我们已经成功地将HBM3E芯片量产所需的时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率。”这标志着SK海力士首次公开披露HBM3E的生产信息。此前，业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之间。

SK海力士在HBM3E（第五代高带宽存储）的生产上取得了显著进展，以下是关于其量产时间和良率提升的具体信息：

HBM的制造过程涉及在DRAM层间创建TSV（硅通孔）和多次的芯片键合，其复杂程度远超过标准DRAM内存产品。一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废，这使得提高良率成为了一个重大的技术挑战。SK海力士通过优化生产工艺和引入新的技术解决方案，成功提升了HBM3E的良率。

SK海力士今年的目标是专注于生产8层HBM3E。这一规格目前是客户需求的核心，特别是在人工智能（AI）领域。SK海力士已于今年3月份开始供应8层HBM3E产品，并计划在今年第三季度供应12层HBM3E产品。12层HBM4（第六代HBM）产品计划于2025年推出，而16层版本预计将于2026年投入生产。

快速增长的人工智能市场推动了SK海力士下一代DRAM的快速开发。到2023年，主要用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块按价值计算将占整个存储市场的5%左右。SK海力士预测，到2028年，这些AI存储产品将占据61%的市场份额。