电子发烧友网报道(文/吴子鹏)在半导体存储行业的常规逻辑中,新一代产品面世前夕,前代产品降价清库存是常规定律,但如今HBM(高带宽内存)将打破这一行业共识。据韩媒最新报道,三星电子和SK海力士已上调明年HBM3E价格,涨幅接近20%。
此次涨价背后,是AI算力需求爆发与供应链瓶颈的共同作用。随着英伟达H200、谷歌TPU、亚马逊Trainium等AI芯片需求激增,HBM3E供需缺口持续扩大。与此同时,存储厂商正将产能转向更先进的HBM4,进一步挤压了HBM3E的生产资源。
行业格局重塑:HBM市场进入新周期
HBM3E的逆势涨价并非孤立事件,而是全球存储行业进入“超级周期”的必然结果。自2025年第三季度起,存储芯片行业开启史无前例的上行周期。TrendForce数据显示,2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%,达414亿美元;NAND品牌商合计营收季增16.5%,逼近171亿美元。 这一轮超级周期的核心驱动力,是供需失衡的结构性矛盾。其中,DRAM的增长主要得益于一般型DRAM合约价格上涨、出货量增加以及HBM出货规模扩张。随着存储芯片从消费电子的“成本部件”升级为AI基础设施的“战略物资”,单台AI服务器的存储配置达1.7TB,而传统服务器仅需0.5TB。这种“吞噬式需求”彻底颠覆了存储市场的传统供需逻辑。三星、美光、SK海力士三大海外巨头纷纷将产能向HBM、DDR5等高端存储产品倾斜,甚至完全停产DDR4、DDR3等前代产品。美光更是宣布退出消费级业务,将全部资源集中于数据中心等高利润领域。 高端产能的争夺已成为行业竞争的核心。目前,三星、SK海力士和美光在DRAM市场的合计份额超94%,在HBM领域更是占据垄断地位。此次HBM3E提价,本质上是头部厂商凭借产能优势掌握定价权的体现,且这一轮涨价潮已显著提振三巨头的业绩。“这不仅是一次价格调整,更是HBM市场进入高速增长期的标志。”一位存储产业分析师表示,“随着AI芯片需求激增,HBM已成为AI服务器的核心组件,其重要性不亚于GPU。” HBM3E涨价的涟漪效应正沿产业链持续扩散。对于下游AI芯片厂商、服务器厂商而言,存储成本飙升将大幅挤压利润空间。目前,联想、戴尔等终端厂商已开始上调产品价格,部分厂商甚至选择降低配置以缓解成本压力,最终可能抑制消费端需求,形成反向调节。 联想集团董事长兼CEO杨元庆在联想集团2025/2026财年第二季度业绩发布会上表示,内存、闪存、固态硬盘等零部件的短缺和价格上涨并非短期现象,未来一年都将维持这一态势,但联想相比竞争对手具备更强的应对能力。 对于国产存储厂商而言,这场行业变局却孕育着重要机遇。海外巨头向高端产能转移,导致中低端存储市场出现供给缺口,为本土企业腾出了市场空间。
供需失衡:HBM3E涨价背后的市场逻辑
从当前最新消息来看,2026年本该是HBM4的“主场”。报道显示,本月10日,SK海力士已与英伟达(NVIDIA)就HBM4芯片的供货量完成协商,并已投入量产。三星方面,其存储业务执行副总裁金在俊(Kim Jae-joon)此前表示,三星的HBM4开发工作正按计划推进,将于2025年下半年实现量产,并预计2026年启动商业供应。此外,公司正与多家客户合作开发基于HBM4及增强型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固态技术协会于2025年4月16日通过JESD270-4规范确立的第四代高带宽内存标准,主要面向人工智能、高性能计算及高端显卡领域。该标准采用2048位接口,传输速率达8Gb/s,总带宽2TB/s,支持4/8/12/16层DRAM堆栈,单堆栈最大容量64GB,通道数量增至32个,并引入0.7V-0.9V VDDQ电压与1.0V-1.05V VDDC电压选项。HBM4将实现架构层面的革新:新标准引入的逻辑层集成设计,允许在内存堆叠中嵌入可编程计算单元,使内存具备基础算力功能。这一变革将推动“内存中心计算”架构落地,在AI推理场景中可减少30%的数据搬运量,显著降低系统能耗。 KB Securities数据显示,以ASIC厂商为主要客户的三星,2026年HBM总出货量有望较2025年暴增3倍,预计将达到111亿Gb。需求端呈现多点开花态势:英伟达H200芯片每颗需搭载6颗HBM3E;谷歌第七代TPU每颗搭载8颗HBM3E;亚马逊Trainium则搭载4颗HBM3E。 具体来看谷歌第七代TPU,该产品配备192GB HBM3E显存,带宽达7.37 TB/s,采用3D堆叠封装技术集成双计算核心与内存模块。出货计划方面,谷歌第七代TPU已于2025年发布并启动商用,其AI推理性能显著提升,单颗算力达4614 TFLOPS(FP8精度)。不出意外,2026年搭载该TPU的算力服务器将大规模出货,进一步带动HBM3E用量增长。 然而,供应端正面临产能调整的阵痛。三星与SK海力士正全力推进HBM4产能建设,预计2026年HBM4将占HBM市场营收的55%,而HBM3E占比将降至45%。KB Securities分析师指出:“从2026年第三季度开始,HBM4将快速承接HBM3E的需求,但在此之前,HBM3E的供应将持续紧张。”在此背景下,两大厂商难以大幅提升HBM3E产能,导致供应无法匹配激增的需求,最终催生了近20%的涨价溢价。行业格局重塑:HBM市场进入新周期
HBM3E的逆势涨价并非孤立事件,而是全球存储行业进入“超级周期”的必然结果。自2025年第三季度起,存储芯片行业开启史无前例的上行周期。TrendForce数据显示,2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%,达414亿美元;NAND品牌商合计营收季增16.5%,逼近171亿美元。 这一轮超级周期的核心驱动力,是供需失衡的结构性矛盾。其中,DRAM的增长主要得益于一般型DRAM合约价格上涨、出货量增加以及HBM出货规模扩张。随着存储芯片从消费电子的“成本部件”升级为AI基础设施的“战略物资”,单台AI服务器的存储配置达1.7TB,而传统服务器仅需0.5TB。这种“吞噬式需求”彻底颠覆了存储市场的传统供需逻辑。三星、美光、SK海力士三大海外巨头纷纷将产能向HBM、DDR5等高端存储产品倾斜,甚至完全停产DDR4、DDR3等前代产品。美光更是宣布退出消费级业务,将全部资源集中于数据中心等高利润领域。 高端产能的争夺已成为行业竞争的核心。目前,三星、SK海力士和美光在DRAM市场的合计份额超94%,在HBM领域更是占据垄断地位。此次HBM3E提价,本质上是头部厂商凭借产能优势掌握定价权的体现,且这一轮涨价潮已显著提振三巨头的业绩。“这不仅是一次价格调整,更是HBM市场进入高速增长期的标志。”一位存储产业分析师表示,“随着AI芯片需求激增,HBM已成为AI服务器的核心组件,其重要性不亚于GPU。” HBM3E涨价的涟漪效应正沿产业链持续扩散。对于下游AI芯片厂商、服务器厂商而言,存储成本飙升将大幅挤压利润空间。目前,联想、戴尔等终端厂商已开始上调产品价格,部分厂商甚至选择降低配置以缓解成本压力,最终可能抑制消费端需求,形成反向调节。 联想集团董事长兼CEO杨元庆在联想集团2025/2026财年第二季度业绩发布会上表示,内存、闪存、固态硬盘等零部件的短缺和价格上涨并非短期现象,未来一年都将维持这一态势,但联想相比竞争对手具备更强的应对能力。 对于国产存储厂商而言,这场行业变局却孕育着重要机遇。海外巨头向高端产能转移,导致中低端存储市场出现供给缺口,为本土企业腾出了市场空间。
结语
HBM3E的逆势涨价,既是AI算力需求爆发与供应链结构性失衡共同作用的必然结果,更是存储行业从消费电子配套向AI战略核心转型的鲜明注脚。当前,全球存储行业的“超级周期”已全面开启,供需逻辑重构与产能结构升级正重塑市场格局:头部厂商凭借技术与产能优势巩固定价权,产业链上下游则在成本压力与需求红利中寻求平衡。对于国产存储企业而言,海外巨头向高端产能倾斜带来的中低端市场缺口,无疑是实现突围的关键窗口期。
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