据Bridge Economy报导,三星电子与AMD公司达成价值高达4万亿韩元(约合人民币210.8亿元)的HBM3E供货协议。据悉,此份协议中AMD向三星采购HBM,同时三星则向AMD采购AI加速卡,具体交易数量尚未公布。
三星方面表示,预计今年上半年将正式生产出HBM3E 12H内存,而AMD则计划于下半年开始生产相应的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H内存的全天候最大带宽可达到惊人的1280GB/s,产品容量更是高达36GB。相较于三星8层堆叠的HBM3 8H,HBM3E 12H在带宽和容量上都有超过50%的显著提升。
此外,HBM3E 12H还采用了热压非导电薄膜(TC NCF)技术,确保了12层和8层堆叠产品的高度一致性,从而满足了当前HBM封装的需求。该技术在更高的堆叠中将发挥更大作用,有助于解决因薄片导致的芯片弯曲问题。
三星一直致力于降低非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并将芯片间的间隙缩小到7微米(µm),同时消除层与层之间的空隙。这些努力使得HBM3E 12H产品的垂直密度比HBM3 8H产品提高了20%以上。
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