韩国媒体The Elec于5月10日透露,三星电子已经对其HBM内存开发部门实行了“双轨制”改革,旨在提升HBM业务的竞争力。
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
新成立的HBM开发团队由DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon领导,直接向存储器业务部总裁李禎培汇报工作,并已吸引了部分人才加入。
作为AI算力芯片的重要支持,HBM内存已成为行业焦点。下一代HBM4内存将在多个方面做出重大改变,包括堆叠层数增加到12层甚至16层,以及Base Die走向定制化,以满足用户需求。
值得注意的是,IT之家最近报道称,SK海力士已将其HBM4内存的12层堆叠版本的量产时间提前至2025年下半年,而三星电子目前仍预计在2026年实现这一目标。
此次三星组建HBM4独立团队,旨在解决内存开发难题,缩短开发周期,从而在HBM4节点重新确立HBM内存的竞争地位,争夺市场份额。
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