电子发烧友报道（文/梁浩斌）在10nm及以下先进制程的竞争中，台积电与三星已经成为了唯二的对手。在2020年5nm实现量产时，同样的Cortex-A76内核在基于三星的5nm制程芯片上，同频功耗要比
2021-10-09 09:17:00
4872 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 台积电和三星都将在明年规模量产10nm新工艺，高通、苹果、三星、联发科的下一代处理器自然都会蜂拥而上，抢占制高点，据说第一个将是联发科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 台积电和三星电子的制程大战打得如火如荼，据传台积电7nm制程有望提前在明年底量产，远远超前对手。三星电子不甘示弱，宣布10nm制程已经率先进入量产，领先同业。
2016-10-18 09:48:511079 
据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:482245 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-27 10:04:491826 我们应当知道的是，三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工艺。
2017-05-09 08:24:35911 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 转向三星4纳米工艺代工。报道指出，第二代骁龙4是该系列首款以4纳米制程工艺打造的处理器，高通产品管理总监Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延长电池续航，提升整体效率，最高主频可达到2.2 GHz，CPU效能相较上一代提高10%，还将首次在骁龙4系列中支持DDR5，带
2023-06-29 10:54:293316 %左右开始，随着进入量产阶段，良率会逐渐提高”。
星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片， 虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但 1c DRAM 方面
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
。 日前，龙芯电子反向研究中心在Intel第二代高性能计算产品Knights Landing Xeon Phi上的芯片解密进程已经开始全面启动，或在不久的将来打破美国***的禁售，彻底拥有二代产品
2015-11-30 14:54:14
FLIR第二代热像仪ADK有哪些特点？FLIR第二代热像仪ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
第二代导航卫星系统与第一代导航卫星系统在体制上的差别主要是：第二代用户机可免发上行信号，不再依靠中心站电子高程图处理或由用户提供高程信息，而是直接接收卫星单程测距信号自己定位，系统的用户容量不受限制，并可提高用户位置隐蔽性。
2019-08-14 07:06:41
是南湖，第三代架构是昆明湖。香山开源社区称，第一代“雁栖湖”架构已经成功流片，实测达到预期性能，第二代“南湖”架构正在持续迭代优化中。去年 8 月 24 日，中科院计算所、北京开源芯片研究院、腾讯、阿里
2023-06-05 11:51:36
求分享USB3.1第二代应用的ESD解决方案
2022-01-14 07:35:38
制程工艺的研发和产品线开发资金。此外，为了避免去年在A9芯片上和三星斗得“两败俱伤”，今年台积电在供应链上也做好了充足的准备。唯一美中不足的是，台积电前段时间的全球首款10nm工艺芯片，还没有办法量产
2016-07-21 17:07:54
三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 东芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。
2013-05-23 10:34:251518 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241377 2016年半导体的主流工艺是14/16nm FinFET工艺，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格罗方德）三大阵营，下一个节点是10nm，三方都会在明年量产，不过
2016-05-30 11:53:531179 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特尔的10nm工艺可是要完全领先台积电和三星的10nm工艺。
2017-01-09 11:46:041029 三星是全球最大的DRAM芯片供应商，自己一家就占据了47.5%的份额，远高于SK Hynix和美光。不仅如此，三星在DRAM技术上也遥遥领先于其他两家，去年3月份就宣布量产18nm工艺的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 三星Galaxy S8和苹果的iPhone 8都将进入10nm时代，两者将分别搭载基于10nm工艺的骁龙835和A11芯片，不过现据台媒《电子时报》报道，业内10nm工艺陷入良品率不理想的困境，预计Galaxy S8和iPhone 8将出现供不应求的情况，而由于三星S8发布更早，遭受的影响也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量产10nm芯片的代工厂，涉及骁龙835、Exynos 8895等移动SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。
2017-04-25 01:08:11746 前进的步伐还是不会被彻底推翻的。科技的创新也不会因此而止步。日前，三星官方正式宣布他们将会开产第二代10nm工艺制程的芯片，三星电子在4月20日正式宣布，他们已经完成了第二代10nm制程的验证工作，同时即将正式量产。
2017-04-25 09:50:22852 据韩媒报道，高通已经与三星携手，合作开发下一代手机处理器。继去年10月份三星率先量产第一代10nm LPE（low-power early）工艺处理器后，日前已经完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中，三星则宣布已推出第二代10nm工艺，这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败，而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11815 今天Intel官方公布，第一代基于10nm工艺制程Cannon Lake处理器已经完工，当然还有更进一步的新消息。
2017-06-09 17:20:091082 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已经正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的进展，首次透露，第二代10nm（代号Icelake）已经流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes发布消息称，英特尔可以按计划在今年底首发10nm处理器，但仅限低功耗移动平台，预计是Core m或者后缀U系列的低电压版本。而就在上周，英特尔刚宣布，第一代基于10nm工艺制程Cannon Lake处理器已经完工，同时第二代10nm处理器Ice Lake也已经完成了最终设计。
2017-06-15 11:43:441592 第二代10nm工艺即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用产品将于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:381145 近日华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台已经宣布量产，是在第一代的基础上实现了多方面的技术提升。目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 之前传闻三星Galaxy Note 9将会采用7nm芯片组，但是根据今日最新消息，或将不在采用7nm芯片组，同时三星宣布Galaxy S9智能手机将使用第二代10纳米LPP处理器，并且10纳米LPP芯片已经进行批量生产了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星旗舰芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工艺打造，官方确认支持3D面部识别，单核处理速度可提高约2倍。
2018-02-06 12:54:471176 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前预告的那样，在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件
2018-08-13 11:16:004093 三星前硬件设计工程师近日在LinkedIn透露，三星已经完成第二代NPU解决方案的开发。目前三星第二代NPU规格和其它细节仍不得而知，但据悉将应用于新的Exynos 9820高阶智能手机SoC，核心配置核心为2、2和4个。
2018-10-11 10:39:134633 2018年10月10日，华虹半导体有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。
2018-10-16 15:41:179230 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工艺进入量产，并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:404449 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02533 继Exynos 9820后，三星电子今天（1月3日）发布第二款采用8nm工艺打造的SoC芯片产品。
2019-01-04 14:24:244205 1月4日，三星正式发布了Exynos 9810顶级移动处理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工艺打造，与高通骁龙845使用相同的制造工艺。仅在制程层面，相较第一代LPE （Low Power Early），新工艺就可让芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 在2018年初，三星宣布开始批量生产名为0LPP（low power plus）的第二代10nm工艺。在2018年晚些时候，三星推出了名为10LPU（low power ultimate）的第三代
2019-02-25 16:29:087303 
3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量产了，6月份就会发布10nm Ice Lake处理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake，将会使用全新的CPU内核及GPU内核。
2019-05-09 15:19:032265 彭博报道称，台积电已于4月份就开始了苹果A13芯片的早期测试生产阶段，并且计划在本月进行量产。预计A13芯片将采用台积电的第二代7nm工艺，并且率先采用EUV光刻技术。
2019-05-13 16:39:515355 东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 10nm Ice Lake还没有全面铺开，Intel第二代10nm Tiger Lake已经频频亮相，不过首发还是面向轻薄本等设备的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。
2020-01-06 16:31:033601 三星电子今天宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装，基于三星第二代10nm级工艺技术，可提供业界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手机。继2019年7
2020-02-25 13:48:202465 2月26日，紫光展锐举行了“5G所向 价值所在”的线上发布会，正式推出了第二代5G平台——马卡鲁2.0，第二代5G芯片虎贲T7520由原定的7nm升级到了6nm EUV，这是首款用上台积电6nm工艺的5G芯片。
2020-02-26 16:04:363811 随着Ice Lake处理器的成功，Intel的10nm工艺总算可以长舒一口气，产能已经没什么问题了。今年的重点是Tiger Lake处理器，这是第二代10nm工艺，CPU及GPU架构也会全面升级。
2020-03-04 15:31:041845 根据外媒WCCFTECH的报道，爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程，而不是之前报道的台积电7nm工艺，据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术，另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544 季度为台积电带来了近 10 亿美元的营收。 同此前的 7nm 工艺一样，台积电的 5nm 工艺也不只一代，他们还将推出第二代的 5nm 工艺，也就是他们所说的 N5P。 在 8 月底的全球技术论坛期间，台积电曾披露，同第一代 5nm 工艺相比，第二代 5nm 工艺所制造的芯片，理论上性能将提升
2020-11-06 16:19:022235 年下半年大规模量产。 从英文媒体最新的报道来看，同2018年量产的7nm和今年量产的5nm工艺一样，台积电正在研发的3nm工艺，也将会有第二代。 英文媒体是援引产业链人士透露的消息，报道台积电会推出第二代3nm工艺的，这一消息人士表示台积电计划在2
2020-12-02 17:14:462211 2019 年四季度进入量产，第二代 FinFET 已进入小量试产。 IT之家了解到，中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。 今年9月份，投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代
2020-12-07 11:23:373352 vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新机并表示将于 12 月 29 日发布。vivo X60 系列主打第二代微云台以及蔡司光学镜头，将全球首发三星 5nm 工艺 Exynos
2020-12-22 10:53:582274 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在10nm及以下先进制程的竞争中，台积电与三星已经成为了唯二的对手。在2020年5nm实现量产时，同样的Cortex-A76内核在基于三星的5nm制程芯片上，同频功耗
2021-10-12 11:16:232425 近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:582244 据媒体报道称，谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产，代工方为三星，将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片，第一代在去年8月发布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 日前，三星放出了将在6月30日正式量产3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已经开始了3nm工艺芯片的量产。 三星官方称，其采用了GAA晶体管的3nm工艺芯片已经在韩国华城工厂开始量产。 现在全球
2022-06-30 16:36:272953 利用Arm内核并采用客户开发的相关知识产权（IP）和软件，三星第二代SmartSSD可实现更高效的数据处理。相较于三星传统的数据中心SSD，对数据库进行重度扫描的查询时长可缩短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高达97%。
2022-07-21 10:11:091229 据消息报道，三星电子近日宣布，该公司已与AMD共同研发第二代智能固态硬盘（SmartSSD），这将抢占未来市场。
2022-07-22 17:03:433079 采用了GAA晶体管，芯片整体尺寸得到了缩减，性能和功耗方面也比上一代芯片优化了不少，并且三星已经在着手于第二代3nm芯片技术的研发了，相较之下，台积电的3nm芯片目前还没有量产的消息，而且台积电的3nm芯片还是会采用FinFET晶体管，因此目前来
2022-07-25 11:46:102257 以已经宣布量产的三星3nm为例，三星官方消息显示，与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少 35%。
2022-09-26 16:46:121637 是ZeusCORE100，涵盖支持了800G以太网、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多项前沿标准，致力于服务下一代数据中心服务器。 回到工艺本身，N3E实际上是台积电的第二代3nm，性能相比
2022-10-27 10:03:562099 
据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑，因为三星与台积电竞争下一代先进工艺节点的量产主导权。韩国知名权威
2024-01-22 16:10:141629 
据报道，三星预计在未来6个月时间内，让SF3的工艺良率提高到60%以上。三星SF3工艺会率先应用到可穿戴设备处理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭载SF3工艺芯片。
2024-01-29 15:52:001249 近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208 三星公布了即将推出的首代2nm芯片性能数据；据悉，2nm工艺采用的是全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。
2025-11-19 15:34:341119 ，导致Exynos 2500良率不佳的原因是，这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——SF3工艺，然而目前第二代SF3工艺的良率仅为20%。 三星第二代SF3工艺进展不如预期 今年初，有知情人士向韩媒透露，三星已经开始试产自己第二代SF3工艺，被视为该公司发展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004953 
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