苹果A13芯片将采用台积电第二代7nm工艺 并率先采用EUV光刻技术

彭博报道称，台积电已于4月份就开始了苹果A13芯片的早期测试生产阶段，并且计划在本月进行量产。预计A13芯片将采用台积电的第二代7nm工艺，并且率先采用EUV光刻技术。

现阶段还无法确认A13处理器预计采用架构设计，但预期将比照A11 Bionic或A12 Bionic采用独立类神经网络操作数件，藉此提升装置端学习等人工智能技术应用。

目前包含华为旗下海半导体打造的Kirin 980，以及Qualcomm Snapdragon 855均以台积电7nm制程生产，而苹果A12 Bionic处理器则是在更早时候便7nm FinFET制程生产，意味台积电已经累积不少7nm FinFET制程生产制作经验，因此将使A13处理器能以更高良率制作，同时也可能藉由极紫外光微影技术 （EUV）进一步提升7nm制程精度。

而先前同样也宣布投入7nm制程发展的三星，后续则是在脚步进展稍慢一些，因此用于今年的Exynos 9820处理器是以8nm LLP FinFET制程打造，但三星有可能会进一步投入7nm EUV FinFET制程技术，藉此追赶台积电发展脚步，并且可能藉此瓜分台积电代工订单。

此外，彭博新闻也提及下一款iPhone产品代号为D43，预期会是iPhone XS后继机种，而iPhone XR后继机种代号则是N104，同时将在新机各自增加一组镜头，意味新款iPhone XS将会采用三镜头设计，而新款iPhone XR则会搭载双镜头模块，藉此提升相机拍摄效果，同时也预期加入更多拍摄功能。

在相关说法中，更透露新款iPhone将会加入类似华为、三星在旗舰新机搭载的反向无线充电功能，代表新款iPhpne将可反向为搭载无线充电盒的AirPods充电，甚至也可能支援帮Apple Watch充电。