，LPDDR4和LPDDR4X。数字越大，数据处理速度越快。 12GB LPDDR4X移动DRAM搭载六颗第二代10纳米（1y）16千兆位（Gb）芯片。
2019-03-15 14:55:39
5834 数据速率的DDR4。 这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来，仅仅16个月就开
2019-10-22 10:41:215509 三星电子宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)内存模块
2011-06-01 08:55:552760 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:482245 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-27 10:04:491826 3月25日消息 三星电子（Samsung Electronics）宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-26 09:12:564442 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 转向三星4纳米工艺代工。报道指出，第二代骁龙4是该系列首款以4纳米制程工艺打造的处理器，高通产品管理总监Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延长电池续航，提升整体效率，最高主频可达到2.2 GHz，CPU效能相较上一代提高10%，还将首次在骁龙4系列中支持DDR5，带
2023-06-29 10:54:293316 电子发烧友网综合报道，日前，日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑，全球三大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片。 数据显示，2025年1月，DDR4 8Gb颗粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5
2025-05-13 01:09:006845 似乎遇到了一些问题 。
另一家韩媒《DealSite》当地时间17日报道称，自 1z nm 时期开始出现的电容漏电问题正对三星 1c nm DRAM 的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线宽等
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
与DDR2供给吃紧带动整体平均售价上扬。而在整体DRAM厂DRAM营收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高达24.8%，其次为由英飞凌(Infineon)所独立出来
2008-05-26 14:43:30
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 编辑
近日，Intel在超级计算机大会上正式展示出其第二代高性能计算产品Knights Landing Xeon Phi，强大
2015-11-30 14:54:14
景以期及早检测疾病，避免其发展到晚期，尽量降低疾病对身体的不利影响或损害。 传感器成就 ADI 第二代可穿戴设备 第二代可穿戴设备围绕两片堆叠成三明治形状的 PCB 设计而成。主板包含低功耗处理器
2018-09-21 11:46:21
FLIR第二代热像仪ADK有哪些特点？FLIR第二代热像仪ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
第二代导航卫星系统与第一代导航卫星系统在体制上的差别主要是：第二代用户机可免发上行信号，不再依靠中心站电子高程图处理或由用户提供高程信息，而是直接接收卫星单程测距信号自己定位，系统的用户容量不受限制，并可提高用户位置隐蔽性。
2019-08-14 07:06:41
将达到3200MT/s，于2012年推出市场，到2013年时运行电压将改进至1V。然而到了2011年1月，三星电子宣布完成DDR4 DRAM模块的制造和测试，采用30nm级工艺，数据传输率为
2022-10-26 16:37:40
求分享USB3.1第二代应用的ESD解决方案
2022-01-14 07:35:38
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
Tensilica发布第二代ConnX基带DSP引擎，以满足LTE/4G无线手机及基站算法需求
Tensilica日前发布第二代基带引擎ConnX BBE16，用于LTE（长期演进技术）及4G基带SoC（片上系统）的
2010-02-25 08:37:551138 三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。
2011-01-05 09:23:451660 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241377 本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 现在有消息称，三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，而今年的10月份，他们就曾发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。
2017-04-25 01:08:11746 前进的步伐还是不会被彻底推翻的。科技的创新也不会因此而止步。日前，三星官方正式宣布他们将会开产第二代10nm工艺制程的芯片，三星电子在4月20日正式宣布，他们已经完成了第二代10nm制程的验证工作，同时即将正式量产。
2017-04-25 09:50:22852 据韩媒报道，高通已经与三星携手，合作开发下一代手机处理器。继去年10月份三星率先量产第一代10nm LPE（low-power early）工艺处理器后，日前已经完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中，三星则宣布已推出第二代10nm工艺，这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败，而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11815 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已经正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的进展，首次透露，第二代10nm（代号Icelake）已经流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes发布消息称，英特尔可以按计划在今年底首发10nm处理器，但仅限低功耗移动平台，预计是Core m或者后缀U系列的低电压版本。而就在上周，英特尔刚宣布，第一代基于10nm工艺制程Cannon Lake处理器已经完工，同时第二代10nm处理器Ice Lake也已经完成了最终设计。
2017-06-15 11:43:441592 昨天上午，三星官方发言，宣称已经成功研制开发出全球第一个10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并将在2019年批量生产。众所周知，三星企业在批量生产8GB LPDDR4内存之后，就已经开始着手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 第二代10nm工艺即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用产品将于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:381145 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星电子表示，其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片，第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
2018-01-05 08:57:054250 三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球第一个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条，主要面向企业和云服务应用。
2018-06-13 15:09:004819 之前传闻三星Galaxy Note 9将会采用7nm芯片组，但是根据今日最新消息，或将不在采用7nm芯片组，同时三星宣布Galaxy S9智能手机将使用第二代10纳米LPP处理器，并且10纳米LPP芯片已经进行批量生产了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星旗舰芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工艺打造，官方确认支持3D面部识别，单核处理速度可提高约2倍。
2018-02-06 12:54:471176 三星电子 30 日宣布，已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组（SoDIMM）规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造，可以用户享受丰富的电竞游戏之外，并具有更大的容量与更快的速度，而且佣有更低的耗能表现。
2018-06-11 11:49:001095 近来崛起的农厂 AMD 将在 4 月 19 日发布第二代锐龙 Ryzen 2000 系列，同时还有配套的 X470、B450 主板，使用新的工艺和架构。另一个重要的变化就是 Ryzen 二代支持速度
2018-03-31 10:47:0010103 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。
2018-07-26 16:56:231229 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前预告的那样，在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星电子宣布已开始批量生产汽车用10nm级16Gb LPDDR4X DRAM。这款最新的LPDDR4X产品具备高性能，同时还显著提高需要在极端环境下工作的汽车应用的耐热性水平。这款
2018-08-23 15:48:262837 台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进，完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通过个人电脑（PC）客户认证，本月开始出货，为南亚科转攻利基型DRAM多年后，再度重返个人电脑市场，明年农历年后将再切入服务器市场，南亚科借此成为韩系和美系大厂之后，另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:213452 K视频处理、VR、AR、人工智能领域。三星表示使用的是10nm（10nm－19nm）级工艺，而引脚带宽将达到18Gbps，合计可达72GB／s的数据传输速率。
2018-09-06 14:54:561018 三星前硬件设计工程师近日在LinkedIn透露，三星已经完成第二代NPU解决方案的开发。目前三星第二代NPU规格和其它细节仍不得而知，但据悉将应用于新的Exynos 9820高阶智能手机SoC，核心配置核心为2、2和4个。
2018-10-11 10:39:134633 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式发布了Exynos 9810顶级移动处理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工艺打造，与高通骁龙845使用相同的制造工艺。仅在制程层面，相较第一代LPE （Low Power Early），新工艺就可让芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量产了，6月份就会发布10nm Ice Lake处理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake，将会使用全新的CPU内核及GPU内核。
2019-05-09 15:19:032265 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 10nm Ice Lake还没有全面铺开，Intel第二代10nm Tiger Lake已经频频亮相，不过首发还是面向轻薄本等设备的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 9 月份合肥长鑫宣布量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存。对于国产内存，市场预期不会对三星、SK 海力士及美光三大内存巨头带来太大影响，但是会挤压第四大内存厂商南亚科的空间。对此南亚科予以否认，表示短时间内没什么大影响。
2019-11-19 10:44:313626 12月4日消息 三星正在为其即将推出的智能手机Galaxy S11，S11 Plus和S11e进行最后润色，预计将在明年2月发布，届时这家韩国制造商还有望推出其第二代无线耳机，现在该耳机的信息已经曝光。
2019-12-04 14:35:294304 三星电子今天宣布已经开始大规模生产业内第一个16GB 的 LPDDR5移动 DRAM 封装，基于三星第二代10nm级工艺技术，可提供业界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手机。继2019年7
2020-02-25 13:48:202465 根据外媒WCCFTECH的报道，爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程，而不是之前报道的台积电7nm工艺，据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术，另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 三星电子（Samsung Electronics）今天宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572848 韩国三星电子于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544 据媒体报道称，谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产，代工方为三星，将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片，第一代在去年8月发布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 利用Arm内核并采用客户开发的相关知识产权（IP）和软件，三星第二代SmartSSD可实现更高效的数据处理。相较于三星传统的数据中心SSD，对数据库进行重度扫描的查询时长可缩短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高达97%。
2022-07-21 10:11:091229 据消息报道，三星电子近日宣布，该公司已与AMD共同研发第二代智能固态硬盘（SmartSSD），这将抢占未来市场。
2022-07-22 17:03:433079 （nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 “ 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示： 三星12nm级
2022-12-21 11:08:291205 款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:541342 
三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:081808 2024年，南亚科预披露将启动资本开销约200亿元，有待董事会批准。同时进一步释放消息，计划2024年使用10nm第二代制程技术（1B）来生产8Gb DDR4及16Gb DDR5产品，由此可见其对于未来发展的投入决心。
2024-01-11 09:43:001261 台积电是全球领先的半导体制造企业，也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户，并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
2024-01-22 15:53:261324 近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890 在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035 据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:513468 第二代 AMD Versal Premium 系列自适应 SoC 是一款多功能且可配置的平台，提供全面的 CXL 3.1 子系统。该系列自适应 SoC 旨在满足从简单到复杂的各种 CXL 应用需求
2025-04-24 14:52:031066 
给大家带来一些业界资讯： 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称，三星公司DDR4内存开始涨价，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件，明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束（EOL）阶段，最后订购日期定于 6 月上旬，最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
2025-10-14 17:11:371046 2025 年 12 月 3日，中国苏州 — 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，该产品采用华邦自有先进 16nm 制程技术，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
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