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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片

三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片

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2018-10-28 00:44:01723

三星采用第二代10nm工艺级别的DRAM芯片量产

三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251

三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444

三星电子将开发首款基于第三代10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215

英伟达安培显卡或基于三星10nm工艺

根据外媒WCCFTECH的报道,爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程,而不是之前报道的台积电7nm工艺,据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术,另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。 有意思的是,三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉,三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:292234

英特尔推出10nm SF工艺,号称比其他家7nm工艺还要强

关于芯片工艺,Intel前几天还回应称友商的7nm工艺是数字游戏,Intel被大家误会了。不过今年Intel推出了新一代的10nm工艺,命名为10nm SuperFin工艺,简称10nm SF,号称是有史以来节点内工艺性能提升最大的一次,没换代就提升15%性能,比其他家的7nm还要强。
2020-09-27 10:35:063538

三星8GB LPDDR3 SDRAM产品规格书

三星8GB LPDDR3 SDRAM产品规格书
2021-06-03 09:49:4633

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X内存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X内存是什么意思? LPDDR4LPDDR4X内存是目前市面上最为先进和流行的手机和移动设备内存。 该内存是针对移动设备而设计的,因为移动设备要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

DDR4、LPDDR4LPDDR4x的区别

已保留有6位SDR空间。最后,它占用的片上空间更少,单个封装最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能与LPDDR4向后兼容。即使设备与更快的LPDDR4内存兼容,它也可能不适用于LPDDR4X。
2023-09-19 11:09:368386

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