三星二代10纳米将加速未来DRAM芯片问世 进一步抢攻DRAM市场商机

抢攻DRAM市场商机，三星电子（Samsung Electronics）宣布量产其第二代10奈米等级（1y-nm） 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统（Cell Data Sensing System）及「空气间隔」（Air Spacer）解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。

DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高达720亿美元。

为迎合市场庞大需求，三星内存事业部门总裁Gyoyoung Jin表示，第二代DDR4 DRAM的电路设计与制程新技术，让该公司突破DRAM扩展性的主要障碍;三星将加速新产品的量产，同时也积极扩大第一代DDR4 DRAM的产量。

据悉，三星第二代10奈米制程所生产的8Gb DDR4 DRAM，比第一代在生产效率上提高了近30%。 同时，为提升DRAM效能，该组件使用全新技术，分别为高敏感度的单元数据感测系统及「空气间隔」方案，而非过往的EUV技术。

三星指出，透过高敏感度的单元数据感测系统，可更精准确定每个内存单元内储存的数据，提升电路整合度以及制造生产力;而在字符线（Bit Lines）周遭放置空气间隔，可降低寄生电容，达到更高等级的微缩及快速的单元运作。

新技术的加持让第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省电效益分别提高了约10%和 15%;且每个引脚能以每秒3，600Mbit/s的速度运行，比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3，200Mbit/s速度，提升10%以上。

三星指出，在第二代10奈米等级DRAM所采用的创新技术，将让该公司能加速未来DRAM芯片的问世，包括DDR5、HBM3、LPDDR5与GDDR6，用于企业服务器、超级计算机、高性能运算系统，以及行动设备等。

目前三星已和CPU制造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模块的验证，接下来计划将与全球IT企业紧密合作，开发更高效的运算系统。 未来三星除迅速增加第二代10奈米DRAM产量外，也将持续生产更多第一代DDR4 DRAM的产量，以满足日益增长的DRAM市场。