0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

谷歌第二代Tensor将由三星以4nm制程工艺代工,本月开始量产

汽车玩家 来源:网络整理 作者:网络整理 2022-06-02 14:52 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据媒体报道称,谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产,代工方为三星,将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。

Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片,第一代在去年8月发布,而第二代Tensor将在本月开始量产,据谷歌透露消息称,谷歌的新Pixel 7手机将会搭载第二代Tensor芯片。

与第一代不同的是,第二代Tensor芯片采用了PLP技术,这是一种封装技术,通过这种技术能够减少芯片制造过程中废弃的边缘,从而达到节省成本和提高生产力的效果。

第一代Tensor芯片采用了三星5nm制程工艺,但是其性能与其它同期芯片相比显得相形见绌,并且伴随的还有续航等问题,这次有着更先进的4nm制程工艺做支撑的第二代Tensor表现又会如何呢?

综合整理自 IT之家 cnBeta PConline

审核编辑 黄昊宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 谷歌
    +关注

    关注

    27

    文章

    6299

    浏览量

    113345
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1835

    浏览量

    35997
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    小鹏汽车第二代VLA大模型迎来重大升级

    第二代 VLA 通过模型扩容和架构升级,开始连接过去、现在与未来:记住更长的道路信息,实时理解环境变化,并推演接下来可能发生什么。
    的头像 发表于 09-02 15:17 233次阅读

    为什么小鹏第二代VLA开始强调时间?

    第二代VLA开始强调时间?时间会给自动驾驶带来什么改变? 01 从单帧感知 到理解连续发生的道路事件 自动驾驶系统真正面对的从来不是一张静态图片,而是一个持续变化的环境。 譬如一辆相邻车道的车辆正在逐渐向本车道靠近。 单看某一时刻的画面
    的头像 发表于 08-31 09:38 310次阅读
    为什么小鹏<b class='flag-5'>第二代</b>VLA<b class='flag-5'>开始</b>强调时间?

    揭秘三星Foundry 4nm FinFET的可扩展实力

    三星 Foundry 的 4nm FinFET 制程代表了性能与稳定性之间高度平衡的优化成果。在半导体制造领域,同时实现性能与稳定性的突破始终是一项根本性挑战:前沿先进节点(Leading-edge
    的头像 发表于 08-12 11:31 208次阅读
    揭秘<b class='flag-5'>三星</b>Foundry <b class='flag-5'>4nm</b> FinFET的可扩展实力

    第二代AMD Versal Premium MoP产品简介

    第二代 AMD Versal Premium MoP( Memory on Package,封装上内存)将高速 LPDDR5X DRAM 与第二代 Versal Premium 系列自适应 SoC
    的头像 发表于 07-21 10:52 362次阅读

    三星AI PC加速芯片GAIA送样联想惠普,4nm制程赋能端侧生成式AI

    纳米先进制程工艺,内置高性能独立NPU核心,原生支持三星成熟的存算一体(PIM)技术,将为下一AIPC带来端侧生成式AI算力的全新升级,打破当前端侧AI算力的性能瓶颈。
    的头像 发表于 07-13 10:28 390次阅读

    Cadence与三星晶圆代工厂深化2nm及3D-IC合作

    Cadence(NASDAQ:CDNS)与三星晶圆代工厂近日宣布开发全套内存与接口 IP 产品组合,并针对三星晶圆代工第二代 2
    的头像 发表于 06-03 15:49 1138次阅读

    RZ/G 系列第二代产品:性能强劲的多功能芯片解决方案

    RZ/G 系列第二代产品:性能强劲的多功能芯片解决方案 在当今科技飞速发展的时代,电子设备对于高性能、多功能芯片的需求愈发迫切。Renesas 的 RZ/G 系列第二代产品,包括 RZ/G2H、RZ
    的头像 发表于 04-01 11:35 845次阅读

    3nm大规模导入光模块:Credo推出二代1.6T光DSP

    电子发烧友网综合报道,在博通推出行业首款3nm光DSP后,Crdeo近日也宣布推出第二代Cardinal系列1.6T光DSP产品,同样基于3nm先进工艺。 AI计算集群正持续突破网络基
    的头像 发表于 03-27 08:50 1w次阅读

    三星2nm良率提升至50%,2027年前实现晶圆代工业务盈利可期

    据报道,三星电子第一2nm GAA制程(SF2)良率已稳定在50%,该数据也通过其量产的Exynos 2600处理器得到印证。
    的头像 发表于 01-19 18:16 4159次阅读

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品,新增75mΩ型号

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品,新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一沟槽SiCMOSFET技术打造,通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性
    的头像 发表于 01-12 17:03 869次阅读
    新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>产品,新增75mΩ型号

    类比半导体全新第二代高边开关芯片HD80152和SPI高边HD708204量产

    致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质信号链芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布全新第二代高边开关芯片HD80152和SPI高边HD708204量产。自
    的头像 发表于 01-05 17:57 2059次阅读
    类比半导体全新<b class='flag-5'>第二代</b>高边开关芯片HD80152和SPI高边HD708204<b class='flag-5'>量产</b>

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件

    新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V
    的头像 发表于 12-31 09:05 1142次阅读
    新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V<b class='flag-5'>第二代</b>器件

    TeledyneLeCroy发布第二代DisplayPort 2.1 PHY合规测试与调试解决方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自动化合规测试框架现已支持DisplayPort 2.1物理层(PHY)合规性测试。
    的头像 发表于 12-26 11:04 2167次阅读

    新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ电平模块、EasyPACK2C1200V8mΩ四单元模块以及
    的头像 发表于 11-24 17:05 2165次阅读
    新品 | 采用.XT扩散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    三星公布首批2纳米芯片性能数据

    三星公布了即将推出的首2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比
    的头像 发表于 11-19 15:34 1736次阅读