三星宣布量产第二代10nm级别1y-nm 8Gb DDR4颗粒,高频内存3600MHz起步

据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。

三星刚才宣布量产第二代10nm级别（1y-nm）的8Gb DDR4内存颗粒，新的内存具备更高的频率与更低的供货，以及更小的尺寸，产能可以比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，然而价格嘛……应该暂时不会降。

新的1y-nm 8Gb DDR4颗粒采用了先进的专用电路设计技术，性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%，它能够在3600MHz下运行，而1x-nm的8Gb DDR4颗粒则是3200MHz，也就是说以后的高频内存要以3600MHz起步了。

目前1y-nm内存的生产还没有用上EUV极紫外光设备，这次用的是高灵敏度细胞数据传感系统（high-sensitivity cell data sensing system）与空气垫片（air spacer）方案，前者可以更准确地确定每个单元中存储的数据，从而显著提高电路集成度和生产效率，后者是在位线周围布置独特的空气垫片，这样可以显著降低寄生电容。

现在1y-nm DDR4内存模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作，接下来计划于全球IT客户合作，开发下一代计算系统，随着1y-nm内存投产所带来的技术储备，三星可以加速下一代内存产品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研发，可以进一步巩固三星在存储市场上的地位。