8Gb DDR4生产率提高20%以上，下半年量产 据笔者此前获悉，在今年3月，三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星又宣布首次开发出第三代10nm级1z nm 8Gb双倍
2019-10-22 10:41:21
5509 基于台积电5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人认为是“翻车”的一代产品。 当然，如今各家晶圆代工厂对于工艺节点上的命名更像是玩“数字游戏”。比如三星当年的8nm工艺就跟台积电10nm的晶体管密度几乎相同，而英特尔最近也将他们原本的10nm Enha
2021-10-09 09:17:004872 FinFET制程技术量产阶段的台积电，也传出将投入大量研发资金确保10nm制程技术发展进度，预期将进一步与三星抗衡，至于Intel方面也确定将在 2016年下半年间进入10nm制程技术量产。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 10nm新工艺难产，Intel不得不临时增加了第三代的14nm工艺平台Kaby Lake，但即便如此进展也不快，Intel甚至将其描述为“2017年平台”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081482 台积电和三星都将在明年规模量产10nm新工艺，高通、苹果、三星、联发科的下一代处理器自然都会蜂拥而上，抢占制高点，据说第一个将是联发科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星，不过他们在10nm及之后的工艺上很自信，2020年就会量产5nm工艺，还会用上EUV光刻工艺。
2016-07-18 10:47:091380 台积电和三星电子的制程大战打得如火如荼，据传台积电7nm制程有望提前在明年底量产，远远超前对手。三星电子不甘示弱，宣布10nm制程已经率先进入量产，领先同业。
2016-10-18 09:48:511079 
据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4
2016-10-20 10:55:482245 今日早报：英特尔收购虚拟现实厂商Voke；三星第三代10nm制程细节公布；中芯深圳启动华南首条12英寸集成电路生产线项目；莱迪思半导体接受中资背景Canyon Bridge收购要约；我国可穿戴医疗
2016-11-04 09:39:033104 今年底明年初TSMC、三星的10nm工艺就会量产了，Intel的真·10nm处理器也会在明年下半年发布，而GlobalFoundries已经确定跳过10nm节点，他们下一个高性能工艺直接杀向了7nm，也不再选择三星授权，是自己研发的。
2016-11-08 11:57:171360 我们应当知道的是，三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工艺。
2017-05-09 08:24:35911 此外，三星还计划在今年下半年批量生产基于第三代10nm 级(1z)工艺技术的16Gb LPDDR5产品，以配合6400Mb / s 芯片组的开发。这将有利于三星进一步巩固其在高端移动设备、高端个人电脑和汽车应用程序等市场的竞争优势。
2020-02-25 18:39:173713 三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 5月10日消息 南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体，三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展，台积电、世界等台厂均已卡位，三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局，也
2021-05-10 16:00:573039 较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
硅材料的研究也非常透彻。基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，基于硅材料的器件性能提高的潜力愈来愈小。以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备优异
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
）第三代红外摄像机技术散热性能好、发光点大、亮度高等特点大大提高了红外灯的使用效率，并且采用独特的COB封装技术能有效地将红外灯5年内的光衰减控制在10%以内，比阵列式的使用寿命延长5年。在使用寿命上
2011-02-19 09:35:33
是激光红外与传统红外的4-5倍，散热性能良好，质量等级高，将广泛应用安放民用市场与工程项目市场。IR-III与激光红外差别距离：帕特罗（PATRO）第三代红外摄像机产品照射距离30～100米，适合中短
2011-02-19 09:38:46
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
开始生产。此举也创下二次击败劲敌三星、独吃苹果处理器大单的新记录，2017年营收持续增长基本没什么问题。刚刚失去苹果订单的三星，日前宣布Note6将用上基于10nm工艺的6GB LPDDR4内存，并将于今年下半年上市。这样一来，台积电和三星以及苹果的性能之争，就转移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:04
17 Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。
2011-01-05 09:23:451660 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道，苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏，这种技术将使iPad变得更薄，电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16724 本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召开的2016三星移动解决方案论坛上，这家韩国OEM厂商宣布了最新的6GB LPDDR4内存。和现有芯片和6GB内存芯片最大的区别在于使用了最新的10nm制造生产工艺，承诺带来更快更高效的内存。
2016-05-23 15:20:391455 2016年半导体的主流工艺是14/16nm FinFET工艺，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格罗方德）三大阵营，下一个节点是10nm，三方都会在明年量产，不过
2016-05-30 11:53:531179 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特尔的10nm工艺可是要完全领先台积电和三星的10nm工艺。
2017-01-09 11:46:041029 %的性能提升。 那么我们不禁要问，Intel的10nm怎么了? 先就本次投资会议，Intel表示，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾证实，搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。 这其实不难理解。由于8代酷睿还是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和苹果的iPhone 8都将进入10nm时代，两者将分别搭载基于10nm工艺的骁龙835和A11芯片，不过现据台媒《电子时报》报道，业内10nm工艺陷入良品率不理想的困境，预计Galaxy S8和iPhone 8将出现供不应求的情况，而由于三星S8发布更早，遭受的影响也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411823 据韩媒报道，高通已经与三星携手，合作开发下一代手机处理器。继去年10月份三星率先量产第一代10nm LPE（low-power early）工艺处理器后，日前已经完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 台积电的10nm工艺眼下还处于提升良率中，三星则宣布已推出第二代10nm工艺，这是前者继14/16nmFinFET工艺败给后者后再次在10nm工艺上落败，而且这可能会影响到它在7nm工艺上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 目前在售的紫光DDR4内存并没有使用国产颗粒，而是SK Hynix颗粒，是韩国公司的颗粒，也就是说现在的国内DDR4内存依然是挂羊头卖狗肉，跟市场上其他内存条没有什么区别，国产的只是PCB之类的。不过店家也很坦诚，说紫光颗粒的DDR4内存下半年问世。
2018-03-05 09:36:013569 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 继5G、新基建后，第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外，更重要是有证券研报指出，第三代半导体有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者
2020-09-21 11:57:554538 根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 如之前预告的那样，在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件
2018-08-13 11:16:004093 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工艺进入量产，并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:404449 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 华虹半导体有限公司（“华虹半导体”）宣布其第三代90纳米嵌入式闪存（90nm eFlash）工艺平台已成功实现量产。
2019-06-27 16:22:384416 柏燕民表示，中兴的5G芯片已经发展到了第三代产品，基于7纳米工艺，相关产品将在下半发布
2019-06-28 10:27:403883 除了台积电，三星如今在工艺方面也是十分激进：7nm 7LPP去年十月投产之后，按照官方最新给出的时间表，6nm 6LPP将在今年下半年如期投入量产，5nm 5LPE今年内完成流片、明年上半年量产，4nm 4LPE也会在年内设计完毕。
2019-08-02 15:45:433408 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:114064 高通昨晚发布了第三代5G基带芯片——骁龙X50，使用的是5nm工艺。高通对5nm工艺的代工厂来源守口如瓶，不过外媒报道称骁龙X60首发了三星的5nm工艺。
2020-02-19 15:09:363574 根据外媒WCCFTECH的报道，爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程，而不是之前报道的台积电7nm工艺，据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术，另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544 昨晚，Redmi Note 9 Pro正式发布，全球首发第三代一亿像素相机传感器三星HM2，号称将一亿像素相机高端影像技术大众化。
2020-11-27 09:43:095275 今晚，Redmi Note 9 Pro正式发布，全球首发第三代一亿像素相机传感器三星HM2，号称将一亿像素相机高端影像技术大众化。
2020-11-27 10:08:5310835 Intel首次采用10nm工艺的第三代可扩展至强“Ice Lake-SP”已经推迟到2021年第一季度，将会和AMD 7nm工艺、Zen3架构的的第三代霄龙正面对决，无论规格还是性能都讨不到什么便宜。
2020-11-30 09:56:203100 在跳票多次之后，明年第一季度，Intel将推出代号Ice Lake-SP的单/双路第三代至强可扩展处理器，首次用上10nm工艺，并有全新的Sunny Cove CPU架构。
2020-12-08 09:40:063130 
今日，七彩虹宣布 iGame 内存全面升级，正式发布了 iGame VULCAN DDR4 内存。 iGame VULCAN DDR4 延续了 VULCAN 显卡纹理设计。值得一提的是，经过网友命名
2020-12-25 10:31:313302 随着Tiger Lake处理器的量产，Intel的10nm工艺已经解决了产能、性能等问题，现在使用的是10nm SuperFin（以下简称10nm SF）工艺，下半年则会有更新的增强版10nm SF工艺，12代酷睿会首发。
2021-01-14 09:48:283786 
随着Tiger Lake处理器的量产，Intel的10nm工艺已经解决了产能、性能等问题，现在使用的是10nm SuperFin（以下简称10nm SF）工艺，下半年则会有更新的增强版10nm SF工艺，12代酷睿会首发。
2021-01-14 10:26:572757 。 中兴通讯吕钱浩指出，2020年9月上市的中兴A20不仅是全球首款商用屏下摄像手机，采用的是到现在依然全球独步的第三代屏下摄像技术！ 包含第三代CUD（Camera Under Display）屏下摄像、屏幕发声、屏下光感、屏下指纹等业界领先或首创技术。今年下半年后甚至
2021-02-22 09:03:172527 AMD将在这个月正式发布代号“Milan”（米兰）的第三代霄龙7003系列数据中心处理器，基于7nm工艺、Zen3架构，最多还是64核心128线程，支持八通道DDR4-3200内存、128条PCIe 4.0通道。
2021-03-01 11:15:542947 数据处理和计算力日益提升的需求。 第三代津逮CPU是面向中国市场设计的本土服务器处理器，适用于x86通用服务器平台，其功能、性能及可靠性与第三代英特尔至强可扩展处理器（Ice Lake）一致。相较上一代产品，第三代津逮CPU采用先进的10nm制程工艺，支
2021-04-12 14:26:293795 要比基于台积电5nm制程的芯片高出20%-30%，因此三星的5nm也被不少人认为是“翻车”的一代产品。 当然，如今各家晶圆代工厂对于工艺节点上的命名更像是玩“数字游戏”。比如三星当年的8nm工艺就跟台积电10nm的晶体管密度几乎相同，而英特尔最近也将他们原本的10nm Enh
2021-10-12 11:16:232425 的3nm工艺还得等到今年下半年才能量产，并且三星称之前饱受诟病的良率问题也已得到解决。 美国总统近日参观了三星的全球唯一能够进行3nm工艺量产的晶圆代工厂，三星为了在晶圆代工行业赶超台积电，投入了大量资金进行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 随着英特尔和amd将新的pc/笔记本电脑和服务器平台更换为ddr4， ddr4的需求开始减少。因此，三星大幅减少ddr4的生产，转向ddr5，试图巩固业界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:081808 新芯片将由三星sf4p（第三代4纳米）工艺制作，g3将由第二代sf4工艺制作。另外，xenos 2400处理器也将使用sf4p，预计将用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分机器。
2023-10-31 14:25:361349 三星已制定了Mach-1的生产计划：预计今年下半年实现量产，年底完成芯片交付，明年第一季度推出基于此芯片的推理服务器。此外，三星已获得Naver高达1万亿韩元（约合52.8亿元人民币）的预订订单。
2024-05-10 10:45:071441 近日，三星和SK海力士宣布，将于下半年停止生产并供应DDR3内存，转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563 据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:513468 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208 给大家带来一些业界资讯： 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称，三星公司DDR4内存开始涨价，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111206
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