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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>GlobalFoundries抛弃三星和意法半导体在第二代FD-SOI技术上达成合作

GlobalFoundries抛弃三星和意法半导体在第二代FD-SOI技术上达成合作

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半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作

企业法国 Soitec 半导体公司正式宣布,双方碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段,半导体将在未来 18 个月内对
2022-12-05 14:09:42929

半导体SiC MOSFET的路线图

显然特斯拉用的是半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品,第四产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向,但半导体要到2025年才开始推出。
2023-03-14 11:22:393150

第一第二代和第三代半导体知识科普

Ⅲ—Ⅴ族半导体。我国使用的“第三代半导体材料”一词,对应的是人类历史上大规模应用半导体材料所带来的次产业革命。目前,第三代半导体发展迅速,第一、第二代半导体工业中仍得到广泛应用,三代半导体中发挥着不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:276881

第八届上海FD-SOI论坛成功举行 芯原FD-SOI IP迅速成长赋能产业

于2019年举行。因特殊原因暂停了年,2023年主办方重启再次主办,第八届FD-SOI论坛,邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。年内国内外的科技环境发生了巨大的变化,FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化?   半导体工艺2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:043350

半导体与致瞻科技就SiC达成合作

今日(1月18日),半导体官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供半导体三代碳化硅(SiC)MOSFET技术
2024-01-19 09:48:161639

三星启动二代3纳米制程试制,瞄准60%良率

台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
2024-01-22 15:53:261324

Samsung研发第二代3纳米工艺 SF3

据报道,韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片,称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑,因为三星与台积电竞争下一先进工艺节点的量产主导权。韩国知名权威
2024-01-22 16:10:141629

三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”!

近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890

FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI
2024-03-17 10:10:365137

半导体携手三星推出18nm FD-SOI工艺,支持嵌入式相变存储器

据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:231482

半导体携手三星打造创新突破,推出18纳米高性能微控制器(MCU)

近日,半导体公司宣布,将推出一种基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术的新进工艺,这一技术还配备了嵌入式相变存储器(ePCM),意在为下一嵌入式处理设备提供强大支持。该技术
2024-03-21 11:59:371056

半导体突破20纳米技术节点,打造极具竞争力的新一MCU

半导体(简称ST)发布了一项基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI技术并整合嵌入式相变存储器(ePCM)的先进制造工艺,支持下一嵌入式处理器升级进化。
2024-03-25 18:13:111941

半导体将推出基于新技术的下一STM32微控制器

半导体(ST)近日宣布,公司成功研发出基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI技术,并整合了嵌入式相变存储器(ePCM)的先进制造工艺。这项新工艺技术半导体三星晶圆代工厂共同研发的成果,旨在推动下一嵌入式处理器的升级进化。
2024-03-28 10:22:191146

芯原戴伟民博士回顾FD-SOI发展历程并分享市场前沿技术

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2024年10月23日,第九届上海FD-SOI论坛浦东香格里拉酒店召开,芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士做开幕致辞,并分享了过往和当前FD-SOI发展的一些情况
2024-10-23 10:02:421288

IBS首席执行官再谈FD-SOI对AI的重要性,≥12nm和≤28nm区间FD-SOI是更好的选择

FD-SOI技术的市场发展现状与趋势,尤其是该技术AIGC时代的应用前景。通过具体分析和比较FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:161108

三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

相变存储器(ePCM)。   FD-SOI领域,三星已经深耕多年,其和半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年,半导体就曾对外宣布,选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品
2024-10-23 11:53:05990

解读芯原股份基于FD-SOI的RF IP技术平台:让SoC实现更好的通信

空间。当然,从AIoT这个应用方向也能够看出,RF IP对于基于FD-SOI工艺打造芯片是至关重要的。   第九届上海FD-SOI论坛上,芯原股份无线IP平台高级总监曾毅分享了主题为《为SoC设计提供基于FD-SOI的IP技术平台》的报告,详细介绍了芯原股份基于FD-SOI的无线
2024-10-23 16:04:441107

Quobly与半导体建立战略合作, 加快量子处理器制造进程,实现大型量子计算解决方案

 此次合作将借助半导体的28nm FD-SOI商用量产半导体制造工艺,以实现具有成本竞争力的大型量子计算解决方案 ❖ Quobly和半导体计划第一商用产品将于2027年上市,产品市场定位
2024-12-19 10:17:281151

Quobly与半导体携手推进量子计算

电子应用领域的客户提供变革性的服务。 Quobly将借助半导体先进的FD-SOI半导体工艺技术,共同推动量子计算技术的突破。这一合作不仅将使得大规模量子计算变得更加可行,同时也将显著降低其成本,为量子计算的广泛应用奠定坚实基础。 通过此次合作,Quobly和半导体
2024-12-23 15:40:411036

ST汽车MCU:FD-SOI+PCM相变存储

)和三星合作,它已经微控制器领域找到了自己的出路。早在2018年,半导体就宣布,它正在为汽车市场提供采用28nm FD-SOI工艺制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器。现在,半导体宣布了
2025-01-21 10:27:131124

类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD8004

致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD8004,单通道低内阻4.3mΩ产品。
2025-05-21 18:04:201179

类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD80012

致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012,单通道低内阻1.2mΩ产品。
2025-07-02 15:19:401138

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