8Gb DDR4生产率提高20%以上，下半年量产 据笔者此前获悉，在今年3月，三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星又宣布首次开发出第三代10nm级1z nm 8Gb双倍
2019-10-22 10:41:21
5509 三星电子宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)内存模块
2011-06-01 08:55:552760 FinFET制程技术量产阶段的台积电，也传出将投入大量研发资金确保10nm制程技术发展进度，预期将进一步与三星抗衡，至于Intel方面也确定将在 2016年下半年间进入10nm制程技术量产。
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒，成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 今日，三星电子正式宣布已经开始大规模生产基于10nm FinFET技术的SoC，这是业界内首家提供10nm工艺代工厂商。新工艺下的SoC性能可以提供27%，功耗将降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4
2016-10-20 10:55:482245 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级(10~20nm)工艺。据悉，该LPDDR5内存芯片单颗容8Gb(1GB)，8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
2018-07-17 10:15:015236 3月25日消息 三星电子（Samsung Electronics）宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-26 09:12:564442 今年2月底，长鑫存储官方宣布，符合国际标准规范的自产DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4内存芯片全面开始供货，这也是DDR4内存第一次实现真正国产，并采用国产第一代10nm级工艺制造
2020-05-22 11:47:379678 电子发烧友网综合报道，日前，日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑，全球三大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片。 数据显示，2025年1月，DDR4 8Gb颗粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5
2025-05-13 01:09:006845 号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。 根据多位半导体业界
2011-02-27 16:47:17
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
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2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
2133MT/s，运作电压在1.2V，这也是史上第一条DDR4内存。在此之前，三星电子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成为DDR4发展的关键。三个月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
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2021-07-15 19:36:21
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2021-08-20 19:11:25
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2021-01-30 17:36:35
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2021-03-17 17:59:10
开始生产。此举也创下二次击败劲敌三星、独吃苹果处理器大单的新记录，2017年营收持续增长基本没什么问题。刚刚失去苹果订单的三星，日前宣布Note6将用上基于10nm工艺的6GB LPDDR4内存，并将于今年下半年上市。这样一来，台积电和三星以及苹果的性能之争，就转移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。
2010-02-03 10:06:261010 三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 DDR4,什么是DDR4
DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。
2011-01-05 09:23:451660 本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召开的2016三星移动解决方案论坛上，这家韩国OEM厂商宣布了最新的6GB LPDDR4内存。和现有芯片和6GB内存芯片最大的区别在于使用了最新的10nm制造生产工艺，承诺带来更快更高效的内存。
2016-05-23 15:20:391455 10nm主要针对低功耗移动芯片，下下个节点7nm才是高性能工艺，是首次突破10nm极限，也是三方争抢的重点，TSMC及三星都准备抢首发。
2016-05-30 11:53:531179 导语：联发科和华为均已确定下一代处理器将采用10nm工艺制程，高通也紧追其后递交10nm芯片样品给客户，据悉，高通10nm订单均交给三星代工生产。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特尔的10nm工艺可是要完全领先台积电和三星的10nm工艺。
2017-01-09 11:46:041029 三星Galaxy S8和苹果的iPhone 8都将进入10nm时代，两者将分别搭载基于10nm工艺的骁龙835和A11芯片，不过现据台媒《电子时报》报道，业内10nm工艺陷入良品率不理想的困境，预计Galaxy S8和iPhone 8将出现供不应求的情况，而由于三星S8发布更早，遭受的影响也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量产10nm芯片的代工厂，涉及骁龙835、Exynos 8895等移动SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411824 虽然新一代电脑/智能手机用上了DDR4内存，但以往的产品大多还是用的DDR3内存，因此DDR3依旧是主流，DDR4今后将逐渐取代DDR3，成为新的主流，下面我们再来看看DDR4和DDR3内存都有哪些区别。相比上一代DDR3，新一代DDR4内存主要有以下几项核心改变：
2017-11-08 15:42:2332470 昨天上午，三星官方发言，宣称已经成功研制开发出全球第一个10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并将在2019年批量生产。众所周知，三星企业在批量生产8GB LPDDR4内存之后，就已经开始着手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 三星利用二代10纳米工艺研发出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10纳米级芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 DRAM内存制造技术一直都是国家最为关注的重要战略之一。在内存市场中国没有足够的话语权，都被三星、SK海力士、美光几家企业几乎垄断。据报道，紫光打造的中国第一款自主的PC DDR4内存条终于问世，让我们看到了国产内存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261933 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:381145 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 据报道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套装被称之为是目前频率最高的DDR4内存套装，采用三星B-die颗粒，开启XMP功能就可以达到4700MHz的工作频率。
2018-02-06 11:47:382139 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281625 4月25日，三星电子宣布已开始批量生产汽车用10nm级16Gb LPDDR4X DRAM。这款最新的LPDDR4X产品具备高性能，同时还显著提高需要在极端环境下工作的汽车应用的耐热性水平。这款
2018-08-23 15:48:262837 本文介绍了DDR4技术的特点，并简单介绍了ANSYS工具用来仿真DDR4的过程。文章中主要介绍的对象为DDR4 3200MHz内存，因为硬件极客对DDR4性能的不断深挖，目前已经有接近5000MHz的量产内存。
2018-10-14 10:37:2827840 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 晶圆代工领域10nm已成分水岭，随着英特尔的10nm制程久攻不下，联电和格芯相继搁置7nm及以下先进制程的研发后，10nm以下的代工厂中只有三星在继续与台积电拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 今年11月15日，SK海力士发布第一个符合JEDEC规格的DDR5 DRAM，而三星则在7月份成功开发出10nm级别的LPDDR5 DRAM，在技术上进一步领先于世界同类企业。据业内人士介绍，SK
2018-11-23 17:27:118023 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01592 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:004364 随着紫光、合肥长鑫正式进军DRAM内存行业，国产自主的DRAM芯片未来也会迎来一波爆发。除此之外，紫光旗下的西安国芯本身也有DDR内存芯片研发，他们将在集邦科技的2020存储产业趋势峰会上公开展示自研的内存，包括最新的16GB DDR4内存等。
2019-11-19 09:37:095571 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 9 月份合肥长鑫宣布量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存。对于国产内存，市场预期不会对三星、SK 海力士及美光三大内存巨头带来太大影响，但是会挤压第四大内存厂商南亚科的空间。对此南亚科予以否认，表示短时间内没什么大影响。
2019-11-19 10:44:313626 随着紫光、合肥长鑫正式进军DRAM内存行业，国产自主的DRAM芯片未来也会迎来一波爆发。除此之外，紫光旗下的西安国芯本身也有DDR内存芯片研发，他们将在集邦科技的2020存储产业趋势峰会上公开展示自研的内存，包括最新的16GB DDR4内存等。
2019-11-19 14:54:145108 根据外媒WCCFTECH的报道，爆料消息称英伟达的下一代GPU架构将基于三星10nm制程，而不是之前报道的台积电7nm工艺，据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术，另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。
2020-03-25 15:33:342935 三星电子（Samsung Electronics）今天宣布，已经出货100万业界首款10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572848 韩国三星电子于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
国产化内存的品质之路 FORESEE国产化内存的核心DRAM率先采用长鑫存储的10nm级最新版本8Gb颗粒，该颗粒已
2020-05-22 15:24:523650 EUV，依靠现有的DUV（深紫外光刻）是玩不转的。 有意思的是，三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合，用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉，三星的新一代内存芯片是基于第三代10nm级（1z）工艺打造，请注意16Gb容量的后缀，是Gb而不是GB，16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544 今日，七彩虹宣布 iGame 内存全面升级，正式发布了 iGame VULCAN DDR4 内存。 iGame VULCAN DDR4 延续了 VULCAN 显卡纹理设计。值得一提的是，经过网友命名
2020-12-25 10:31:313302 厂商都专心研究28nm DRAM芯片时，三星同样跨过了28nm，直接开始研发25nm工艺，最终取得了成功。 这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距，占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。 综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯 审核编辑
2022-04-18 18:21:582244 该机构表示，目前已经在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
2022-09-19 15:14:482099 （nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 “ 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示： 三星12nm级
2022-12-21 11:08:291205 款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:541342 
DDR5的主板不支持使用DDR4内存。DDR5（第五代双倍数据率）和DDR4（第四代双倍数据率）是两种不同规格的内存技术，它们在电气特性和引脚布局上存在明显差异。因此，DDR5内存模块无法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4内存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 随着英特尔和amd将新的pc/笔记本电脑和服务器平台更换为ddr4， ddr4的需求开始减少。因此，三星大幅减少ddr4的生产，转向ddr5，试图巩固业界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:081808 DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842 在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035 近日，据韩国媒体报道，三星在其1b nm（即12nm级）DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前，该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%，仅达到五成左右。为了应对这一局面，三星已在上月成立了专门的工作组，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 据韩国媒体最新报道，三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201 DDR4内存模块是计算机内存技术的一项重要进步，它是Double Data Rate（双倍数据速率）第四代内存技术的具体实现形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4内存频率的最高值是一个随着技术进步而不断演变的指标。目前，DDR4内存的频率已经取得了显著的提升，但具体到最高频率，则需要结合多个方面来讨论。
2024-09-04 12:37:1512516 DDR4内存的工作频率是指DDR4内存条在运行时所能达到的速度，它是衡量DDR4内存性能的一个重要指标。DDR4内存作为目前广泛使用的内存类型之一，其工作频率经历了从最初的低频率到当前的高频率的不断发展。
2024-09-04 12:45:396941 三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露，三星计划在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR内存，该制程将支持高达32Gb的颗粒容量，标志着内存性能与密度的双重飞跃。
2024-09-09 17:45:491153 随着技术的不断进步，计算机内存技术也在不断发展。DDR（Double Data Rate）内存条作为计算机的重要组成部分，其性能直接影响到电脑的运行速度和稳定性。DDR3和DDR4是目前市场上最常
2024-11-20 14:24:2211362 DDR5内存与DDR4内存性能差异 随着技术的发展，内存技术也在不断进步。DDR5内存作为新一代的内存技术，相较于DDR4内存，在性能上有着显著的提升。 1. 数据传输速率 DDR5内存的最大数
2024-11-29 14:58:405418 ，这些主板通常支持较新的Intel处理器，并具备较高的性能和扩展性。它们通常配备4个或更多的DDR4内存插槽，支持较高的内存频率和容量。 B系列主板 ： 如B360、B365、B450、B460
2024-11-29 15:03:4715990 近日，据韩媒最新报道，三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时，已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状，三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上，全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411 据韩媒MoneyToday报道，三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109 据DigiTimes报道，三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）的报道予以否认。 此前，ETNews曾有报道称，三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 据报道，三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出，三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923 据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:513468 给大家带来一些业界资讯： 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称，三星公司DDR4内存开始涨价，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件，明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束（EOL）阶段，最后订购日期定于 6 月上旬，最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
2025-10-14 17:11:371046 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）前段时间，三星、SK海力士、美光等DRAM大厂已计划陆续退出部分DDR4市场，将产能转向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引发DDR4供应链波动，同时在供给不足的担忧
2025-06-19 00:54:0010160 
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