电子发烧友网综合报道,据报道,有业内人士透露,三星在上个月向英伟达提供了HBM4样品,目前已经通过了初步的质量测试,将于本月底进入预生产阶段。如果能通过英伟
发表于 08-23 00:28
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我们来看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 数码博主“刹那数码”爆料称,三星Exynos 2600芯片已进入质量测试阶段,计划在今年
发表于 07-31 19:47
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深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
发表于 05-19 10:05
较为激进的技术路线,以挽回局面。
4 月 18 日消息,据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率,这高于
发表于 04-18 10:52
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
发表于 03-23 11:17
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电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
发表于 03-22 00:02
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据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4
发表于 03-12 16:07
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近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达
发表于 02-18 11:00
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据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其
发表于 01-23 15:05
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据韩媒QUASAR ZONE报道,在韩国当地时间1月20日举办的2025 NVIDIA RTX AI日活动中,英伟达就RTX 40系列显卡供电接口烧熔问题作出重要回应。 此前,RTX 40系列尤其是
发表于 01-23 14:43
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工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2nm
发表于 01-23 11:32
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据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临
发表于 01-23 10:04
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近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm
发表于 01-22 14:04
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据外媒最新报道,三星电子预计其第四季度的利润增长将呈现放缓趋势,主要原因在于难以满足英伟达对人工智能(AI)芯片的强劲市场需求。 三星电子已发布预测,其截至12月的季度营业利润将达到8
发表于 01-08 14:33
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近日,据SamMobile的最新消息,英伟达和高通两大芯片巨头正在考虑对其2纳米工艺芯片的生产策略进行调整。具体来说,这两家公司正在评估将部分原计划在台积电生产的2纳米工艺订单转移至
发表于 01-06 10:47
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