韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也
2019-05-22 10:25:42
5349 数据速率的DDR4。 这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来，仅仅16个月就开
2019-10-22 10:41:215509 三星电子宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)内存模块
2011-06-01 08:55:552760 最近三星公司刚刚公布了旗下首个8GB低功率的LPDDR4内存芯片，并且可以在移动设备大小的多层结构芯片中肩负4GB运行内存的功能。
2014-01-02 09:33:44919 在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:272068 三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。台积电计划在2017年上半年试产7nm工艺，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 据三星官网新闻，韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒，10nm级（10nm~20nm之间）工艺制造，可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:482245 网上对Galaxy S8的三大预测：1、Galaxy S8手机将配置8GB运行内存，内存芯片采用三星自家10纳米工艺制造；2、据高盛预测，由于原材料成本较高、安全性检查等多因素影响，三星可能将Galaxy S8的零售价格提高15%-20%；3、2017年三星会推出6英寸的S8 Plus。
2016-12-26 11:26:391140 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-27 10:04:491826 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级(10~20nm)工艺。据悉，该LPDDR5内存芯片单颗容8Gb(1GB)，8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
2018-07-17 10:15:015236 ，支持现代服务器不断增长的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔（TSV） 8 层技术，与DDR4相比，该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块（DIMM）还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s，专门用于
2020-02-16 07:34:001980 ，这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据产品介绍，目前两款 DDR4 颗粒单颗容量均为 8Gb（1GB），频率 2666MHz，工作电压 1.2V，工作温度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 转向三星4纳米工艺代工。报道指出，第二代骁龙4是该系列首款以4纳米制程工艺打造的处理器，高通产品管理总监Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延长电池续航，提升整体效率，最高主频可达到2.2 GHz，CPU效能相较上一代提高10%，还将首次在骁龙4系列中支持DDR5，带
2023-06-29 10:54:293316 电子发烧友网综合报道，日前，日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑，全球三大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片。 数据显示，2025年1月，DDR4 8Gb颗粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5
2025-05-13 01:09:006845 ，近期同样规格的16Gb产品中，DDR4 16Gb（1GX16）与DDR5 16G（2Gx8）的价格差距已达到1倍。 CFM闪存市场表示，去年三
2025-06-27 00:27:004541 ，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的3D性能及视频处理能力，将成为三星高端市场的主力处理器。S5P6818 核心板尺寸为标配了1GB DDR3内存、8GB EMMC存储并配备有三星电源
2017-06-29 09:30:45
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2021-10-26 19:13:52
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2021-05-08 17:42:19
2133MT/s，运作电压在1.2V，这也是史上第一条DDR4内存。在此之前，三星电子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成为DDR4发展的关键。三个月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
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2021-12-27 19:25:08
我们使用i.MX8MPlus运行Windows 10 IoT系统，遇到了三星eMMC的兼容性问题。如何解决？详情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1无法运行
2023-03-17 09:03:23
量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。也是在这一年，三星成功生产了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量产首款商用eMRAM。 据三星介绍，利用其28nmFDS工艺技术制作
2023-03-21 15:03:00
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2021-01-30 17:36:35
级缓存、单/双精度浮点性能超过6/3TFlops、六通道DDR4和多通道16GB MCDRAM高带宽内存、Omni-Path全新自主光纤互连等。 在该芯片解密项目进行中，我们深刻的认识到国内超级计算机研发
2015-11-30 14:54:14
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2021-03-17 17:59:10
季度开始生产。此举也创下二次击败劲敌三星、独吃苹果处理器大单的新记录，2017年营收持续增长基本没什么问题。刚刚失去苹果订单的三星，日前宣布Note6将用上基于10nm工艺的6GB LPDDR4内存，并将于今年下半年上市。这样一来，台积电和三星以及苹果的性能之争，就转移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
UltraScale+芯片将配备8GB HBM 2显存，带宽460GB/s，号称是DDR4内存带宽的20倍，不过该芯片本身还是配有DDR4内存，频率2666Mbps。 值得注意的是，虽然赛灵思没有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
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2021-07-06 19:32:41
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星电子今天宣布，已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。
2011-01-05 09:23:451660 骁龙 820 此前已经传闻将会由三星代工生产，今天三星官方正式确认了这个消息，并且表示大规模生产使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工艺。
2016-01-15 17:24:241377 现在有消息称，三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，而今年的10月份，他们就曾发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 一直以来，三星的旗舰产品在配置方面几乎都是顶级的，唯独在运存方面，今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的运存，或许在明年运存将不再是三星手机的槽点，因为近日有消息称三星Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片。
2016-12-27 09:08:45713 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。
2017-04-25 01:08:11746 前进的步伐还是不会被彻底推翻的。科技的创新也不会因此而止步。日前，三星官方正式宣布他们将会开产第二代10nm工艺制程的芯片，三星电子在4月20日正式宣布，他们已经完成了第二代10nm制程的验证工作，同时即将正式量产。
2017-04-25 09:50:22852 据韩媒报道，高通已经与三星携手，合作开发下一代手机处理器。继去年10月份三星率先量产第一代10nm LPE（low-power early）工艺处理器后，日前已经完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11815 A30的主要亮点一是高频，二是自主研发的散热装甲（御风者）。据悉，极光A30 DDR4内存分为4GB/8GB/16GB可选，频率达到2400MHz，比常规普条（2133Mhz）更高。
2017-11-09 14:07:021670 昨天上午，三星官方发言，宣称已经成功研制开发出全球第一个10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并将在2019年批量生产。众所周知，三星企业在批量生产8GB LPDDR4内存之后，就已经开始着手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 据报道，三星第二代10nm级别的1y-nm 8Gb DDR4颗粒已经正式投产了，8Gb DDR4颗粒采取了先进的专用电路设计技术，比初代10nm级别（1x-nm）的高30%，并且高频内存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道，三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片，这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一，三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市场表现十分强劲，并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求，三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:381145 据韩联社北京时间12月20日报道，三星电子今天宣布，已开始量产第二代10纳米级制程工艺DRAM内存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三月份首次公开展示之后，三星电子今天宣布，已经全球第一个开始量产基于16Gb(2GB) Die颗粒的新一代64GB DDR4 RDIMM内存条，主要面向企业和云服务应用。
2018-06-13 15:09:004819 之前传闻三星Galaxy Note 9将会采用7nm芯片组，但是根据今日最新消息，或将不在采用7nm芯片组，同时三星宣布Galaxy S9智能手机将使用第二代10纳米LPP处理器，并且10纳米LPP芯片已经进行批量生产了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星电子 30 日宣布，已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组（SoDIMM）规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造，可以用户享受丰富的电竞游戏之外，并具有更大的容量与更快的速度，而且佣有更低的耗能表现。
2018-06-11 11:49:001095 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 此次研发出的8Gb LPDDR5DRAM速度比现有高端手机所采用的DRAM(LPDDR4X, 4266Mb/s)高出1.5倍，可达6400Mb/s的速度。1秒即可传输14篇FHD电影（相当于51.2GB）。
2018-07-23 15:01:005201 根据报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10％，可使手机平板等移动设备更省电。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM内存模组，用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条，频率2666MHz，结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来，三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前预告的那样，在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件
2018-08-13 11:16:004093 台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进，完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通过个人电脑（PC）客户认证，本月开始出货，为南亚科转攻利基型DRAM多年后，再度重返个人电脑市场，明年农历年后将再切入服务器市场，南亚科借此成为韩系和美系大厂之后，另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:213452 三星前硬件设计工程师近日在LinkedIn透露，三星已经完成第二代NPU解决方案的开发。目前三星第二代NPU规格和其它细节仍不得而知，但据悉将应用于新的Exynos 9820高阶智能手机SoC，核心配置核心为2、2和4个。
2018-10-11 10:39:134633 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 3月21日，三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840 ，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320 关键词：DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，将服务于高端应用场景，这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01592 日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
2019-09-27 17:23:291500 10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 最近一年来，DDR4内存芯片持续降价，如今8GB DDR4单条内存也不复三年前接近千元的售价之勇，只要200多块就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006891 9 月份合肥长鑫宣布量产 8Gb 颗粒的国产 DDR4 内存。对于国产内存，市场预期不会对三星、SK 海力士及美光三大内存巨头带来太大影响，但是会挤压第四大内存厂商南亚科的空间。对此南亚科予以否认，表示短时间内没什么大影响。
2019-11-19 10:44:313626 12月8日消息，近日，七彩虹推出了两款DDR4 普条，都是DDR4 2666频率，8GB单条售价188元，16GB单条售价299元。
2019-12-09 15:49:497054 随着现代计算机能力的不断发展，推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者，能支持更快的传输速率和更高的容量。近日，三星电子宣布成功开发DDR5芯片，可提供更强大、更可靠的性能，支持现代服务器不断增长的需求。
2020-02-22 09:40:471128 长鑫存储正使用其10G1工艺技术（即19nm工艺）来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。现在，一名用户就曝光了新款内存的外观和参数。
2020-02-26 15:01:139620 FORESEE DDR4 SO-DIMM采用了黑色面板，颇具科技神秘感。内存采用了单颗8Gb bit颗粒，正反共8颗，组成8GB的容量。颗粒为三星品牌，质量及稳定性方面都让我们足够信任。 另一面标签
2020-04-13 11:33:003453 在量产国内首个8Gb DDR4芯片之后，合肥长鑫日前又获得了156亿元的巨额投资，将加速开发17nm工艺的DDR5内存研发及生产。
2020-12-18 09:53:145086 的接触点都采用了超量镀银金属，增加高频稳定性。 IT之家了解到，本次共发布了两个型号，分别为 iGame Vulcan DDR4 8
2020-12-25 10:31:313302 三星8GB LPDDR3 SDRAM产品规格书
2021-06-03 09:49:46
41 据媒体报道称，谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产，代工方为三星，将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片，第一代在去年8月发布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 利用Arm内核并采用客户开发的相关知识产权（IP）和软件，三星第二代SmartSSD可实现更高效的数据处理。相较于三星传统的数据中心SSD，对数据库进行重度扫描的查询时长可缩短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高达97%。
2022-07-21 10:11:091229 据消息报道，三星电子近日宣布，该公司已与AMD共同研发第二代智能固态硬盘（SmartSSD），这将抢占未来市场。
2022-07-22 17:03:433079 本文档定义了DDR4 SDRAM规范，包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准旨在定义符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM设备通过16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 -三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布 2022年12月21日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291205 款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。 三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM 三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人
2022-12-21 21:19:541342 
随着英特尔和amd将新的pc/笔记本电脑和服务器平台更换为ddr4， ddr4的需求开始减少。因此，三星大幅减少ddr4的生产，转向ddr5，试图巩固业界第一的位置。
2023-09-15 11:40:331381 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:081808 新芯片将由三星sf4p（第三代4纳米）工艺制作，g3将由第二代sf4工艺制作。另外，xenos 2400处理器也将使用sf4p，预计将用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分机器。
2023-10-31 14:25:361349 台积电是全球领先的半导体制造企业，也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户，并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
2024-01-22 15:53:261324 据报道，韩国三星代工厂已经开始试制其第二代 3 纳米级别工艺技术的芯片，称为 SF3。这一发展标志着半导体行业的一个重要里程碑，因为三星与台积电竞争下一代先进工艺节点的量产主导权。韩国知名权威
2024-01-22 16:10:141629 
近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890 据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:513468 给大家带来一些业界资讯： 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称，三星公司DDR4内存开始涨价，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207 三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件，明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束（EOL）阶段，最后订购日期定于 6 月上旬，最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
2025-10-14 17:11:371046 三星公布了即将推出的首代2nm芯片性能数据；据悉，2nm工艺采用的是全栅极环绕（GAA）晶体管技术，相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积缩小5%。
2025-11-19 15:34:341119 2025 年 12 月 3日，中国苏州 — 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，该产品采用华邦自有先进 16nm 制程技术，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
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