3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
第三代10nm级工艺即1z nm(在内存制造中,用x/y/z指代际,工艺区间是10~20nm),整合了EUV极紫外光刻技术,单芯片容量8Gb(1GB)。
三星表示,1z nm是业内目前最顶尖的工艺,生产效率较1y nm提升了20%,可以更好地满足日益增长的市场需求。
量产时间敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模组也在验证中,目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。
三星还表示,将在平泽市(Pyeongtaek)提高DRAM芯片的产能,同时上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。
不过,就在昨天(3月20日),三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)还指出,由于智能机市场增长乏力,数据中心公司削减投资,公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
DRAM
+关注
关注
40文章
2181浏览量
182042 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15605浏览量
180129 -
内存芯片
+关注
关注
0文章
122浏览量
21711
发布评论请先 登录
相关推荐
传三星获谷歌Tensor G4 AP订单 将使用第三代4nm工艺制造
新芯片将由三星sf4p(第三代4纳米)工艺制作,g3将由第二代sf4工艺制作。另外,xenos 2400处理器也将使用sf4p,预计将用于g
高通第三代骁龙8采用4纳米工艺 支持在终端侧运行超100亿参数的生成式AI
高通第三代骁龙8采用4纳米工艺 支持在终端侧运行超100亿参数的生成式AI 前两天高通公司在骁龙峰会发布了针对笔记本电脑的骁龙X Elite和针对手机移动端的第三代骁龙8。 高通第三代
一加 12 首批搭载第三代骁龙8移动平台,产品力同档位没有对手
10月25日,一加宣布下一代旗舰产品一加 12 将首批搭载第三代骁龙8移动平台。一加中国区总裁李杰表示:“一加 12 作为一加十年旗舰之作,将会把这颗芯片的实力发挥到极致,一加 12
芯科科技第三代无线开发平台满足开发人员和设备制造商的需求
Silicon Labs(亦称“芯科科技”)展望未来的物联网开发需求,近期在其主办的第四届Works With开发者大会中揭晓专为嵌入式物联网设备打造的第三代无线开发平台,并正式向22
中兴宣布已成功自研7nm芯片,已拥有芯片设计和开发能力
除了中兴通讯和华为之外,国内还有其他拥有自研芯片设计和开发能力的公司。例如,小米旗下的松果电子于2017年发布了其首款自研芯片澎湃S1。虽然与7nm
SiliconLabs推出第三代无线平台提升AI百倍算力,打造更智能高效的物联网
向 22 纳米( nm )工艺节点迁移,新的芯科科技第三代平台将提供业界领先的计算能力、无线性能和能源效率,以及为芯片构建的最高级别物联网安全性。为了帮助
芯科科技宣布推出下一代暨第三代无线开发平台,打造更智能、更高效的物联网
一年一度的第四届 Works With开发者大会 上,宣布推出他们专为嵌入式物联网(IoT)设备打造的下一代暨第三代无线开发平台。随着向22纳米(n
发表于 08-23 11:40
•136次阅读
今日看点丨传三星3纳米工艺平台第三款产品投片;vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3
1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道,尽管受NAND和DRAM市场拖累,三星电子业绩暴跌,但该公司已开始生产其
发表于 07-31 10:56
•512次阅读
国产第二代“香山”RISC-V 开源处理器计划 6 月流片:基于中芯国际 14nm 工艺,性能超 Arm A76
、中兴通讯、中科创达、奕斯伟、算能等形成了联合研发团队,开展第三代香山(昆明湖架构)的联合开发。官方还透露,我国已有一批企业正在基于“香山”开发高端芯片,如AI
发表于 06-05 11:51
如何开发智能家居语音控制方案
技术支持, 并适配海量语音终端应用方案,为客户定制化产品开发提供全方位的技术支持。
方案应用广泛,性价比更高
启英泰伦第三代智能语音芯片支持作为独立主控,与MCU通过串口实现语音交互控制等方案设计
发表于 05-31 09:50
MLCC龙头涨价;车厂砍单芯片;台积电28nm设备订单全部取消!
%提高到70%以上。三星此前表示,已确保4nm第二代和第三代的稳定良率,准备于2023年上半年量产。
此外,三星计划在2023年4月、8月、
发表于 05-10 10:54
评论