人员接手试产及量产作业的种子团队，推动新竹宝山和高雄厂于 2024年同步南北试产、2025年量产。 从1971的10000nm制程到5nm，从5nm向3nm、2nm发展和演进，芯片制造领域制程工艺的角逐从来未曾停歇，到现在2nm芯片大战已经全面打响。 先进制程工艺演
2023-08-20 08:32:07
2089 
李时荣声称，“客户对代工企业的产品竞争力与稳定供应有严格要求，而4nm工艺已步入成熟良率阶段。我们正积极筹备后半年第二代3nm工艺及明年2nm工艺的量产，并积极与潜在客户协商。”
2024-03-21 15:51:4381 电子发烧友网站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L内存电源解决方案同步降压控制器TPS51216数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:58:12
0 电子发烧友网站提供《适用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF缓冲基准的TPS51206 2A峰值灌电流/拉电流DDR终端稳压器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 13:53:030 该内存速度高达5600MT/s，并可同时兼容5200和4800 MT/s。据详情页介绍，其工作电压仅为1.1V，相较于DDR4 3200内存，性能提升幅度为1.5倍，且将于本月底开始出货。
2024-03-13 11:43:0589 电子发烧友网站提供《具有同步降压控制器、2A LDO和缓冲基准的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存电源解决方案数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 11:13:440 电子发烧友网站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3内存电源解决方案同步降压控制器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-13 10:16:450 使用STM32CubeMx 配置4Gb DDR3L，目前是这样配置的
2024-03-11 08:35:45
计划与国内通信企业展开深度合作。
其FPGA从55/40nm进入主流28nm工艺平台，在器件性能和容量上也都有较大的提升，相应地对FPGA编译软件和IP也提高了要求，28nm器件预计在2020年批量供应。
2024-01-24 10:46:50
高性能FPGA芯片Titan系列，采用40nm工艺，可编程逻辑资源最高达18万个，已广泛应用于通信、信息安全等领域。
Titan系列高端FPGA产品PGT180H已向国内多家领先通信设备厂商批量供货
2024-01-24 10:45:40
值得关注的是，三星已不再从事 NOR flash、DDR3 等工艺成熟的存储芯片加工，转而转向使用华邦生产的产品。近期，随着 NOR flash 和 DDR3 的市场行情有所好转，华邦与三星依然保持着紧密合作
2024-01-15 09:34:03287 的型号。 首先，我们来看一下DDR6内存。DDR6是目前市场上最新的内存技术，它在DDR5的基础上进行了一些改进。DDR6内存的关键特点如下： 1. 带宽更大：DDR6内存的带宽比DDR5内存更大。DDR6内存的带宽可以达到每秒14.4 GB，而DDR5内存的带宽则为每秒12.8 GB。这意味着DDR6内存可
2024-01-12 16:43:052849 ）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3内存条，240引脚（120针对每侧）
DDR4内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR5内存条，288引脚（144针对每侧）
DDR芯片引脚功能如下图所示：
DDR数据线的分组
2023-12-25 13:58:55
MP4@?MHz
内存
长鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4
海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4
三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1)
佰维
2023-12-14 23:33:28
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45:311591 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 
法人方面解释说：“标准型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨国企业主导，因此，中台湾企业在半导体制造方面无法与之抗衡。”在ddr3 ddr3的情况下，台湾制造企业表现出强势。ddr3的价格也随之上涨，给台湾半导体企业带来了很大的帮助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3内存都有哪些区别？ 随着计算机的日益发展，内存也越来越重要。DDR3和DDR4是两种用于计算机内存的标准。随着DDR4内存的逐渐普及，更多的人开始对两者有了更多的关注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 在台积电的法人说明会上据台积电总裁魏哲家透露台积电有望2025年量产2nm芯片。 目前，台积电已经开始量产3nm工艺; 台湾新竹宝山、高雄两座工厂的2nm芯片计划2024年试产
2023-10-20 12:06:23930 N2，也就是2nm，将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，预计2025年实现量产。 2nm芯片是指采用了2nm制程工艺所制造出来的芯片，制程工艺的节点尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。这意味着芯片上的晶体管和其他电子元件的尺寸可以达到2纳米级别。 2nm芯片手机
2023-10-19 17:06:18799 可以容纳更多的晶体管在同样的芯片面积上，从而提供更高的集成度和处理能力。此外，较小的节点尺寸还可以降低电路的功耗，提供更高的能效。可以说，2nm芯片代表了制程工艺的最新进展和技术创新。 2nm芯片什么时候量产 2nm芯片什么时候量产这
2023-10-19 16:59:161958 DDR3是2007年推出的，预计2022年DDR3的市场份额将降至8%或以下。但原理都是一样的，DDR3的读写分离作为DDR最基本也是最常用的部分，本文主要阐述DDR3读写分离的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
的24个GTY，LVDS信号，DSP的1路以太网
三、软件系统
•提供FPGA的接口测试程序，包括 DDR4、光纤、RapidIO、FMC等接口
•提供DSP接口测试程序，包括DDR3、Flash
2023-10-16 11:12:06
摘要：本文将对DDR3和DDR4两种内存技术进行详细的比较，分析它们的技术特性、性能差异以及适用场景。通过对比这两种内存技术，为读者在购买和使用内存产品时提供参考依据。
2023-09-27 17:42:101088 我们在买DDR内存条的时候，经常会看到这样的标签DDR3-1066、DDR3-2400等，这些名称都有什么含义吗？请看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面
2023-09-19 14:49:441478 
Memory）： 指BM1684的片外存储DDR，通常为12GB，最大支持定制为16GB。PCIe模式：4GB TPU专用 + 4GB VPU专用 + 4GB VPP/A53专用；SoC模式：4GB
2023-09-19 07:47:54
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3带宽计算之前，先弄清楚以下内存指标。
2023-09-15 14:49:462497 
在全默认设置的情况下，影驰HOF OC Lab幻迹S DDR5 8000内存的工作速率为DDR5 4800，延迟设定为40-40-40-76，因此在这个设置下它的内存性能并不突出，与普通的DDR5 4800内存相当。
2023-09-15 10:40:42750 
首搭国内首款自研车规级7nm量产芯片“龙鹰一号”，魅族车机系统首发上车。
2023-09-14 16:12:30484 Z20K11xN采用国产领先半导体生产制造工艺SMIC 车规 40nm工艺，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封装，CPU主频最大支持64MHz，支持2路带64个邮箱的CAN-FD通讯接口，工作电压3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081073 
128MB DDR3
256MB Nand Flash
-40℃~+85℃
MYC-YT113S3-4E128D-110-I
T113-S3
128MB DDR3
4GB eMMC
-40℃~+85℃
开发板
2023-09-09 18:07:13
最新的32Gb DDR5内存芯片，继续采用12nm级别工艺制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款内存产品，容量已经增加了50多万倍！
2023-09-04 14:28:11264 日前有信息称，三星将采用 12纳米 (nm) 级工艺技术，生产ERP开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而这样就可以在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍。
2023-09-04 10:53:46470 本文介绍一个FPGA开源项目：DDR3读写。该工程基于MIG控制器IP核对FPGA DDR3实现读写操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文开源一个FPGA项目：基于AXI总线的DDR3读写。之前的一篇文章介绍了DDR3简单用户接口的读写方式：《DDR3读写测试》，如果在某些项目中，我们需要把DDR挂载到AXI总线上，那就要通过MIG IP核提供的AXI接口来读写DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
MCU200T的DDR3在官方给的如下图两份文件中都没有详细的介绍。
在introduction文件中只有简略的如下图的一句话的介绍
在schematic文件中也没有明确表明每个接口的具体信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3时，一些关键参数的选择在手册中并没有给出，以及.ucf引脚约束文件也没有提供，请问这些信息应该从哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平台DDR3设计教程之设计篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
以下内存设备：
•双倍数据速率3（DDR3）SDRAM。
•低压DDR3 SDRAM。
•双倍数据速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
营收大幅下降，同比下降22%至469.15亿美元，三星半导体部门（包括内存、SoC和代工业务）的营收下降至298.6亿美元，同比下降48%，业务亏损34亿美元。作为三星收益报告的一部分，该公司还透露其第三款3nm(GAAFET)芯片已开始生产：“得益于3nm工艺的稳定，我们的第三款
2023-07-31 10:56:44480 DDR是运行内存芯片，其运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法。 DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
电子发烧友网站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 09:50:470 一篇拆解报告，称比特微电子的Whatsminer M56S++矿机所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工艺。这一发现证实了三星3nm GAA技术的商业化应用。
2023-07-21 16:03:571012 三星3nm GAA商业量产已经开始。
2023-07-20 11:20:001124 
大约一年前，三星正式开始采用其 SF3E（3nm 级、早期全栅）工艺技术大批量生产芯片，但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。
2023-07-19 17:13:331010 IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 DDR3的速度较高，如果控制芯片封装较大，则不同pin脚对应的时延差异较大，必须进行pin delay时序补偿。
2023-07-04 09:25:38312 
外媒在报道中提到，根据公布的计划，三星电子将在2025年开始，采用2nm制程工艺量产移动设备应用所需的芯片，2026年开始量产高性能计算设备的芯片，2027年则是利用2nm制程工艺开始量产汽车所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 开箱大吉#紫光同创PGL22G关键特性评估板@盘古22K开发板 开箱教程来啦！详细教程手把手来教啦！#紫光盘古系列开发板@盘古22K开发板 基于紫光同创40nm工艺的FPGA主控芯片（Logos系列
2023-06-28 10:46:17
【视频】盘古Logos系列PGL22G关键特性评估板@盘古22K开发板#紫光同创FPGA开发板#基于紫光同创40nm工艺的FPGA主控芯片（Logos系列: PGL22G-MBG324），挂载
2023-06-12 17:38:43
参考： KLMAG1JETD-B041(eMMC 5.1) | eMMC | 三星半导体官网 (samsung.com)
内存芯片
开发板上的闪存芯片是：K4A8G165WC-BCTD
主要规格信息如下
2023-06-10 12:26:35
该芯片基于40nm工艺，将会在今年二季度小规模量产，2023年三季度客户导入，2024年二季度规模出货。
2023-06-05 14:38:18291 
解决方案，配置方式比较灵活，采用软核实现 DDR memory 的控制，有如下特点：
➢支持 DDR3
➢支持 x8、x16 Memory Device
➢最大位宽支持 32 bit
➢支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用带有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 连接到 T1040 处理器 DDR 控制器。
我尝试了这个序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校验错误：
步骤1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
供应XPD320B 20w协议芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 协议，广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-30 14:24:29
供应XPD319BP18 三星18w快充协议芯片支持三星afc快充协议-一级代理富满，广泛应用于AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 11:37:36
供应XPD318BP25 三星25w充电器协议芯片单c口支持三星25w方案 ，广泛应用于AC-DC 适配器、USB 充电设备等领域，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
2023-05-29 10:09:46
S32G3开发板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我们的开发板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
MES50HP 开发板简介
MES50HP 开发板集成两颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
%。西安二厂预计将生产13.5万片，比之前的14.5万片减少了约7%。业界观察人士认为，三星选择砍掉部分NAND产能，因为当前内存市场形势惨淡。
【台积电28nm设备订单全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
在 i.MX6 SOLO 中有没有办法读取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
我有一块使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（总计 4GB DDR 内存）并且它可以正常工作。
现在我想把内存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
：PGL50H-6IFBG484),交互时钟频率最高到400MHz, DDR3的数据位宽32bit，总数据带宽高达25600（800×32）Mbps；4路HSST高速收发器，每路速度高达6.375Gb/s，适合用于光纤、PCIe数据通信；外围接口丰富，满足全方位的开发需求。
联系我们：
2023-04-26 17:19:06
的最小系统运行及高速数据处理和存储的功能。FPGA选用的是紫光同创40nm工艺的FPGA （logos系列：PGL5OH-61FBG484），PGL5OH和DDR3之间的数据交互时钟频率最高到
2023-04-19 11:45:57
搞定2nm工艺需要至少3方面的突破，一个是技术，一个是资金，一个是市场，在技术上日本是指望跟美国的IBM公司合作，后者前两年就演示过2nm工艺，但IBM的2nm工艺还停留在实验室级别，距离量产要很远。
2023-04-14 10:24:55507 型号：JFMK50TFGG484PL端内存：1GB DDR3,数据速率1600Mbps，32bitGTX收发器：4X速度等级：对标进口-2 芯片级别：工业级工作温度：-40℃-100℃逻辑单元数量
2023-04-13 16:04:38
DDR内存1代已经淡出市场，直接学习DDR3 SDRAM感觉有点跳跃；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之间的对比。
2023-04-04 17:08:472867 
我们使用 10*MT40A1G16 获得 16GB 内存，一个 ddr 控制器连接 8GB。三个问题：1)在codewarrior ddr config上，我们应该选择什么dram类型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
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