三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

（文章来源：DeepTech深科技）

三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。

自开始批量生产第二代 10nm 级 8Gb DDR4 以来仅仅 16 个月，就得到了突破性进展，开发出 1z-nm 8Gb DDR4，而不使用 Extreme Ultra-Violet（EUV）处理，突破了 DRAM 存储器扩展的极限。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jung-Bae-Lee 表示：“我们致力于突破技术领域的最大挑战，推动实现更大的创新。很高兴能再次为稳定生产下一代 DRAM奠 定基础，确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出 10nm 级别的制程工艺（1z-nm）的 DRAM 系列产品。未来，三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统，并推动高端内存市场的增长，为重要目标。”

上面多次提到的 DRAM，中文名叫动态随机存取存储器，这是一种随机存取的半导体存储记忆器，它将每一位数据存储在集成电路内的单独的微小电容器中。DRAM 的主要作用原理，是利用电容内储存电荷的比特值，代表一个二进制位元（bit）是1还是0。

由于在现实中，电晶体会有漏电电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别资料，而导致资料毁损。因此，通过 DRAM 进行充电是一个无可避免的事情。这种产品的必要性和技术性，是非常高的，也是存储芯片中最值得关注的点。

DRAM 广泛用于需要低成本和高容量存储器的数字电子设备中。最典型的是在 RAM 中内置。与大部分的随机存取记忆体（RAM）一样，由于存在 DRAM 中的资料会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种挥发性记忆体（volatile memory）设备，没有长期的记忆保存。

据悉，三星开发的 10nm 级别的（1z-nm）DRAM，将为整个行业的技术改进做出了巨大的贡献，也为下一代 DRAM 接口（如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6）过渡铺平了道路，这些接口将推动未来的数字创新。