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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>芯片巨头技术升级 三星投产二代10nm技术

芯片巨头技术升级 三星投产二代10nm技术

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在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工艺进入量产,并表示基于EUV光刻技术的7LPP工艺对比现有的10nm FinFET工艺,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面积能效。
2018-10-22 10:05:404449

10nm以下先进制程 台积电和三星采取怎样的策略

晶圆代工领域10nm已成分水岭,随着英特尔的10nm制程久攻不下,联电和格芯相继搁置7nm及以下先进制程的研发后,10nm以下的代工厂中只有三星在继续与台积电拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463

三星采用第二代10nm工艺级别的DRAM芯片量产

三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片
2018-12-11 09:40:551196

三星Exynos9810解读 与骁龙845哪个更好

1月4日,三星正式发布了Exynos 9810顶级移动处理器,基于三星二代10nm FinFET LPP工艺打造,与高通骁龙845使用相同的制造工艺。仅在制程层面,相较第一LPE (Low Power Early),新工艺就可让芯片性能提升10%,功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659

主流代工厂芯片制造工艺主要晶圆厂的最新工艺进展

在2018年初,三星宣布开始批量生产名为0LPP(low power plus)的第二代10nm工艺。在2018年晚些时候,三星推出了名为10LPU(low power ultimate)的第三代
2019-02-25 16:29:087303

三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的扩展极限 成功研发10nm级DDR4内存

,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:542123

三星电子将开发首款基于第三代10nm级工艺DRAM内存芯片,下半年量产

三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:164320

三星三代10nm工艺DDR4内存下半年量产

关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01588

Intel正式宣布第二代10nm工艺的处理器TigerLake 使用全新的CPU内核及GPU内核

2019年就要正式量产了,6月份就会发布10nm Ice Lake处理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake,将会使用全新的CPU内核及GPU内核。
2019-05-09 15:19:032265

三星的下一芯片将重点放在AI和5G技术

本周早些时候,这家韩国科技和电子巨头宣布将批量生产下一RAM。即将上市的RAM将配备三星的高端智能手机,但不会是我们在三星Galaxy Note 10中找到的芯片。下一芯片旨在适应AI和5G技术
2019-07-27 09:26:134237

三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第三代 10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:291500

Intel第二代10nm Tiger LakeU系列或超越AMD桌面高端锐龙9 3900X

10nm Ice Lake还没有全面铺开,Intel第二代10nm Tiger Lake已经频频亮相,不过首发还是面向轻薄本等设备的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331

英特尔10nm服务器CPU问世,多核性能极强

英特尔10nm制程Ice Lake处理器已经发布,不过首批10nm主要应用于低功耗平台。而第二代10nm平台将于今年或四季度发售,即早前CES公布的Tiger Lake平台。
2020-02-13 23:04:483333

Intel 10nm工艺有点神 CPU及GPU架构也会全面升级

随着Ice Lake处理器的成功,Intel的10nm工艺总算可以长舒一口气,产能已经没什么问题了。今年的重点是Tiger Lake处理器,这是第二代10nm工艺,CPU及GPU架构也会全面升级
2020-03-04 15:31:041845

Intel今年将推最少9款10nm新品

随着Ice Lake处理器的成功,Intel的10nm工艺总算可以长舒一口气,产能已经没什么问题了。今年的重点是Tiger Lake处理器,这是第二代10nm工艺,CPU及GPU架构也会全面升级
2020-03-04 15:35:203486

英伟达安培显卡或基于三星10nm工艺

根据外媒WCCFTECH的报道,爆料消息称英伟达的下一GPU架构将基于三星10nm制程,而不是之前报道的台积电7nm工艺,据称使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技术,另外新的Tegra芯片也将使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370

三星3nm工艺投产延迟,新技术芯片功耗下降约50%

4月7日消息,在 5nm 工艺即将大规模量产的情况下,3nm 工艺就成了台积电和三星这两大芯片代工商关注的焦点。三星电子旗下的三星晶圆代工,此前设定的目标是在2021年大规模量产 3nm工艺。
2020-04-08 14:41:143230

三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。 有意思的是,三星最近竟然将EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉,三星的新一内存芯片是基于第三代10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是
2020-09-01 14:00:293544

三星要将借助3nm节点超越台积电​明年上半年量产

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在10nm及以下先进制程的竞争中,台积电与三星已经成为了唯的对手。在2020年5nm实现量产时,同样的Cortex-A76内核在基于三星的5nm制程芯片上,同频功耗
2021-10-12 11:16:232425

谷歌第二代Tensor将由三星以4nm制程工艺代工,本月开始量产

据媒体报道称,谷歌第二代Tensor芯片将于这个月开始量产,代工方为三星,将会采用4nm制程工艺大规模生产该芯片。 Tensor是谷歌公司为其智能手机自研的芯片,第一在去年8月发布,而第二代
2022-06-02 14:52:451942

三星3nm芯片量产 2nm芯片还远吗

(FinFET)的进阶,4D(GAA)技术被认为是“下一”的晶体管技术。根据三星的数据,相较三星5纳米(nm)而言,优化的3纳米(nm)工艺,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积减少16%。 另外,每一个新工艺新制程的成本和良品率,都是影响新工艺新制程是否能够大范围普及的重
2022-06-30 20:21:522069

三星与AMD共同研发第二代智能固态硬盘

  据消息报道,三星电子近日宣布,该公司已与AMD共同研发第二代智能固态硬盘(SmartSSD),这将抢占未来市场。
2022-07-22 17:03:433079

三星即将公布首颗3nm芯片,或将扭转订单数量

采用了GAA晶体管,芯片整体尺寸得到了缩减,性能和功耗方面也比上一芯片优化了不少,并且三星已经在着手于第二代3nm芯片技术的研发了,相较之下,台积电的3nm芯片目前还没有量产的消息,而且台积电的3nm芯片还是会采用FinFET晶体管,因此目前来
2022-07-25 11:46:102256

三星半导体将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”!

近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:141890

消息称三星二代3nm产线将于下半年开始运作

三星电子近日宣布,将在7月的巴黎Galaxy Unpacked活动中,向全球展示其最新研发的3nm技术芯片Exynos W1000。这款尖端芯片将首次应用于下一Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手机Galaxy S25,标志着三星在智能设备核心技术领域的重大突破。
2024-05-14 10:27:39776

三星已量产第四4nm芯片

据外媒曝料称三星已量产第四4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术三星现在使用的是其最新的第四4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208

三星公布首批2纳米芯片性能数据

三星公布了即将推出的首2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比第二代3nm工艺,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面积缩小5%。
2025-11-19 15:34:341119

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