近日,据韩媒报道称,三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令,要求直接研发1c工艺DRAM芯片,也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。
在此之前,三星也做出过类似的决定。曾经各大厂商都专心研究28nm DRAM芯片时,三星同样跨过了28nm,直接开始研发25nm工艺,最终取得了成功。
这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距,占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。
综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯
审核编辑 黄昊宇
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