【2022年5月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC™技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
3009 
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 （UPS） 应用进行了优化。
2013-06-14 15:22:001842 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的技术开发概要。
2024-12-04 10:50:432592 
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-20 15:18:002040 CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET，以提高系统可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。
2020-12-11 17:01:081369 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。7月26日，宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V，已进入
2024-07-31 01:06:005182 我们也发现Schweizer在更早前其实就已经推出了名为P²的封装方案，这个方案同样是将功率半导体嵌入PCB中。他们在2023年开始与英飞凌合作开发，将英飞凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技术，并应用到电动汽车上。 P ²封装的优势和应用 根据
2025-01-07 09:06:134391 
电子发烧友网综合报道 近日，三安光电在投资者平台上表示，其主驱逆变器用SiC MOSFET从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已完
2025-08-10 03:18:008201 采用了CoolMOS™ C7和TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术的半导体器件，以及采用D²PAK 7引脚表面贴装封装的1200V CoolSiC™ MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
变压器进行限制。主要特色针对多个光伏串的隔离式高侧电流感应能够以小于 1% 满量程的精度监测电流通过智能汇流箱中的 I2C 支持 1200V 隔离式电流感应可将其他 INA260 器件连接到 I2C 总线
2018-10-25 16:24:34
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54:37
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：
2021-11-10 09:10:42
RD-354，参考设计使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:23:30
RD-354，参考设计使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:46:31
对江苏中科君芯科技有限公司(以下简称中科君芯)针对焊机领域开发1200V系列产品性能、和国外主流器件的参数比对、实际焊机测试比对展开讨论。1电路拓扑工业用焊接电源电路拓扑有半桥和全桥(图1,图2)两种
2014-08-13 09:01:33
试验，以在实际应用条件下，评估1200V/45mΩ CoolSiC™ MOSFET在TO-247 3引脚和4引脚封装中的寄生导通特性。所有试验均在栅极关断电压为0V的条件下开展。 图2. 用于特性测试
2023-02-27 13:53:56
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
。在今年 7 月的 PCIM（电力元件、可再生能源管理展览会）虚拟展位上，展示了采用CoolSiC™汽车 MOSFET 技术的 EasyPACK™模块，即 1200V/8mΩ(150A)的半桥模块
2021-03-27 19:40:16
输出1200V,800W，输出脉宽可调的电源电路:由芯片SG3525A组成。
2008-12-07 19:20:001958 
IR全新坚固耐用的1200V控制集成电路
电源管理技术领先供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出用于工业电机驱动控制的额定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:281142 IR针对汽车应用推出1200V绝缘IGBT AUIRG7CH80K6B-M
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498625 1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天
2017-01-08 14:36:35
7 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:004336 
新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:2910826 据外媒报道，最近，日本罗姆半导体公司（ROHM）宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管（IGBT），此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器，以及正温度系数（PTC）加热器中的开关电路。
2019-05-27 08:41:501845 模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:005286 该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-19 16:11:224353 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:023163 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 现已推出采用TO-2472脚封装的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二极管，可轻松替换当前常用的硅二极管。新的封装将爬电距离和电气间隙增至 8.7 mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性
2021-01-11 08:00:003 英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301618 与业内人士交流互动产品和应用技术。 借英飞凌碳化硅20周年之际，9月10日，我们在展会会场，隆重举办第三届碳化硅应用技术发展论坛，敬请莅临。 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置
2021-08-24 09:31:503563 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极
2022-02-01 20:22:025818 CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22:225141 
值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:161791 30 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:333850 
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:241124 提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS
2023-07-06 09:55:401862 
新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测
2023-07-31 16:57:591729 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:481029 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310 电子发烧友网站提供《具有2mA雪崩额定值的1200V、50mA 汽车类隔离开关TPSI2140-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 16:48:340 近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
2024-04-07 11:37:323562 
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，
2024-04-11 09:22:271998 
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种
2024-04-17 13:37:49873 
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
2024-04-17 14:02:491619 
纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式，满足车规与工规不同等级的需求。
2024-05-06 15:20:521273 在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后，先导中心再度展现了其技术实力，推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块。
2024-05-09 14:25:261354 纳芯微近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列，该系列产品的RDSon值低至60mΩ，展现了出色的性能。这款MOSFET提供了两种封装形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面贴装的TO-263-7L，以满足不同应用场景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
2024-06-24 09:13:201944 
新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服电机的驱动器REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用
2024-09-05 08:03:27986 1200V三相全桥碳化硅功率模块，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势，性价比超国外产品，适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。
2024-09-18 17:18:171724 
驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiC™ MOSFET。 采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能
2024-10-29 17:41:42940 
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
2024-10-29 13:54:371064 
电子发烧友网站提供《用于Wolfspeed 1200V SiC平台的UCC217xx和ISO5x5x半桥EVM用户指南.pdf》资料免费下载
2024-11-09 14:15:360 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。
2024-11-21 18:10:251354 
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
2024-11-27 14:58:201444 
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为
2024-11-29 01:03:07830 英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136 Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiCMOSFETM1H增强型1代、集成NTC温度传感器
2025-04-17 17:05:15805 近日，半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计，具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗，适用于
2025-04-25 11:39:28987 
新品EasyDUAL1B和2B，1200V共发射极IGBT模块EasyDUAL1B，2B1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技术，电流等级涵盖75A
2025-05-13 17:04:461315 ，闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET，为电动汽车行业注入强劲新动能。
2025-05-14 17:55:021063 新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品，专为各种工业应用开发，包括工业
2025-05-27 17:03:361257 新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动
2025-05-29 17:04:211048 新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
2025-07-16 14:08:231048 
CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A，配备
2025-07-31 17:04:34837 新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封装分立器件产品扩展CoolSiC1200VMOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏
2025-08-11 17:04:311132 近日，山东大学&华为联合报道了应用氟离子注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT-MOS）。氟离子注入终端（FIT）区域固有的具有负性电荷成为高阻区域，天然地隔离
2025-08-26 17:11:42760 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性，专为高压、高频、高温应用设计。相比传统硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引脚IMZA封装，确保安装兼容性并可轻松替换现有
2025-09-08 17:06:34933 基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术，在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上，通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感，使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。
2025-09-15 16:53:03983 
11月25日，英飞凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模块荣获2025年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半导体
2025-11-26 09:32:50573 在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天，我们就来深入探讨安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05417 
EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板：2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台 在电力电子领域，工程师们一直在寻找性能更优、可靠性更高的功率器件及测试方案。今天，我们就来深入
2025-12-19 17:00:15450 EiceDRIVER™ 1200V高压侧和低压侧驱动器.pdf 产品概述 这两款驱动器属于2ED132x系列，专为控制半桥配置中最大阻断电压为+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而设计
2025-12-20 11:15:12666 （Silicon - on - Insulator）技术，可在高达+1200V的电压下全功能运行。它专为IGBT和SiC MOSFET优化设计，集成了超浮通道，适用于自举操作。其输出源/灌电流能力
2025-12-20 14:25:02658 （Infineon）的1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台，它在开关损耗提取等方面有着出色的表现，对于功率电子领域的研发工作有着重要的意义。 文件下载： Infineon
2025-12-21 10:45:06472 1200V CoolSiC™ MOSFET评估平台：深入解析与使用指南 在电力电子领域，准确评估MOSFET、IGBT及其驱动的开关特性至关重要。英飞凌的1200V CoolSiC™ MOSFET
2025-12-21 10:50:03596
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