新品
EasyDUAL 1B和2B,1200V
共发射极IGBT模块


EasyDUAL 1B,2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP IGBT T7和Emcon 7芯片技术,电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。
EasyDUAL 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。
产品型号:
■FF75R12W1T7E_B11
■FF100R12W1T7E_B11
■FF150R12W2T7E_B11
■FF200R12W2T7E_B11
■FF300R12W2T7E_B11
产品特点
高度为12毫米的Easy系列模块
杂散电感极低
采用IGBT T7技术过载能力高达175°C
PressFIT针脚
应用价值
易于设计
提高功率密度
最佳性价比,降低系统成本
产品优势
采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP IGBT T7技术的共射极结构,尤其适用于矩阵变换器应用。
该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。
应用领域
矩阵变换器
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
463文章
54441浏览量
469433 -
IGBT
+关注
关注
1291文章
4452浏览量
264414
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
onsemi NXH300B100H4Q2F2系列模块:高效功率解决方案
-D.PDF 模块概述 NXH300B100H4Q2F2系列模块是一款高密度、集成化的功率模块,它将高性能IGBT与
onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G模块:Si/SiC混合技术的卓越之选
概述 NXH600B100H4Q2F2S1G是一款三通道飞电容升压模块,采用了Si/SiC混合技术。每个通道包含两个1000 V、200 A的IGBT和两个
新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模块,专为暖通空调与热泵设计
新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模块,专为暖通空调与热泵设计EasyPACK2B650V,35A模块采用T
新品 | 储能系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模块
新品储能系统EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模块两款新型EconoPACK3B模块采用
新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V
温度传感器,具有1200V耐压和4mΩ导通电阻,专为电动汽车电驱动系统与电动航空生态系统中的功率转换应用而设计。产品型号:■FF4MR12W2M1HP_B11_A
FS75R17W2E4P_B11 EasyPACK™模块:特性、应用与参数解析
™模块.pdf 一、模块概述 FS75R17W2E4P B11 EasyPACK™模块集成了Trench/Fieldstop
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC栅极驱动器解析 在电力电子领域,栅极驱动器是驱动功率半导体器件(如IGBT和SiC MOSFET)的关键组件。今天我们来详细探讨英飞凌
新品 | 搭载2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模块 - FP75R17N3E4_B20
新品搭载2.2kV整流器的EconoPIM3模块-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模块
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT扩散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三电平模块、EasyPACK2C1200
新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块
新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥
新品 | 储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
新品储能用1200V500ANPC2三电平IGBTEasyPACK3B模块1200V500ANPC2三电平
龙腾半导体推出1200V 50A IGBT
在功率器件快速发展的当下,如何实现更低的损耗、更强的可靠性与更宽的应用覆盖,成为行业关注焦点。龙腾半导体推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,专为高频应用场景设计。依托先进工艺平台与系
新品 | EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块
评论