新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

新品

采用顶部散热Q-DPAK封装的

CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。

产品型号：

■IMCQ120R026M2H

■IMCQ120R034M2H

■IMCQ120R040M2H

■IMCQ120R053M2H

■IMCQ120R078M2H

产品特点

SMD顶部散热封装

杂散电感低

CoolSiC MOSFET 1200V G2技术具有优化的开关性能和FOM因子

.XT扩散焊

最低RDS(on)

封装材料CTI>600

爬电距离>4.8mm

耐湿性

雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

应用价值

更高的功率密度

实现自动装配

不需要太复杂的设计

与底部散热封装相比，具有出色的热性能

改善系统功率损耗

电压有效值950V，污染度为2

可靠性高

降低TCO成本或BOM成本

应用领域

电动汽车充电

太阳能

UPS

SSCB

工业驱动器

人工智能

CAV