国产SIC MOSFET功率器件推出1200V大电流MOSFET获得车规认证

2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。

这款SiC MOSFET是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，最大电流(Ids)为111A@25℃，工作温度范围是-55℃-175℃，非常适合新能源汽车主电机驱动，能显著提高主驱系统的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，从而显著减少系统总成本。

值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。

分立器件的车规级可靠性认证，主要参照AEC-Q101标准，约有 23项测试内容，其中多项要求在高温、高湿度等恶劣环境下，通过 1000 小时的严格测试后仍可正常工作，这表明产品能适应复杂恶劣的车载应用环境。

面向车载应用市场，瞻芯电子已开发了一系列按车用标准设计的SiC MOSFET，SiC SBD和栅极驱动芯片产品，如下表，其中标蓝色的5款产品已通过车规级可靠性认证，还有部分产品大批量“上车”应用。

此外，在近期上海集成电路行业协会发布的《长三角汽车电子芯片产品手册（2022年）》中，有3款瞻芯电子开发的车规级产品被收录，包括：IV1Q12080T3Z, IV1D12040U3Z, IVCR1402DPQR。该手册征集共收集了69家企业、13个大类符合车规级要求的215款产品。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂，将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

审核编辑黄宇