德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源（且无需降低高达125°C的额定环境温度），该栅极驱动器可以驱动频率高达100KHz的XM3模块，从而实现高功率密度。
2020-01-15 08:09:001117 CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET，以提高系统可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。
2020-12-11 17:01:08971 的丰富产品组合。为了进一步壮大产品阵容，英飞凌推出了MOTIX三相栅极驱动器IC 6ED2742S01Q。这款160V的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器集成了一个电源管理单元（PMU），并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装，具有良好的导热性能。得益于此，该半导体器件易于集成，非常适用于各种电池供电
2023-02-07 10:28:33463 
通讯应用使用基于半桥、全桥或同步降压功率拓扑的电源模块。这些拓扑使用高性能半桥驱动器实现高频操作和高效率。半桥栅极驱动器采用的技术已在业界成功应用了数十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
12V单通道全桥驱动器GC8838芯片描述GC8838 是一款 12V 直流电机驱动芯片，为摄像机、 消费类产品、 玩具和其他低压或者电池供电的运动控制类应用提供了集成的电机驱动解决方案。 芯片一般
2021-09-22 15:51:07
半桥驱动器IR2103和IR2101S有什么区别吗？可以代替IR2001S吗？
2017-04-28 11:10:05
光耦合隔离器不会产生这种情况。为缓冲器供电的最直观的方法，是为半桥的每一个浮动区域提供专用的隔离式DC-DC转换器。对于多引脚系统，低端栅极驱动器可以共享一个电压源，只要有足够的电流输出即可，如图2中
2018-10-16 13:52:11
本帖最后由 今夕何夕1213213 于 2022-1-14 17:45 编辑
各位大佬好，本人萌新一枚，最近做一个1200VDC的半桥电路，遇到一些瓶颈，拜托大佬能帮忙提示一下，具体问题描述
2022-01-14 17:28:17
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机驱动应用。在这种设置中，如果Q1 和 Q2同时导通，有可能因为电源和接地引脚短路而发生直通。这可能会永久损坏
2021-07-09 07:00:00
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
欧姆定律，这将导致一定的损耗，具体取决于这些状态的持续时间（参见图2）。栅极驱动器的一个目标是要尽可能缩短这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为实现开关必须对其进行充电/放电。增大瞬态
2021-11-11 07:00:00
Application Kit》搭建了驱动电路，驱动芯片外围信号均满足芯片datasheet 要求，现在6ed003L02的上桥臂HO1\2\3总是输出9V左右的电平、LO1\2\3是正常的，有没有那位大神帮忙看一下，非常感谢！[/td][/tr]
2018-12-13 17:12:44
，2ED020I06-FI还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都
2023-08-24 18:21:45
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥
2022-01-04 14:16:57
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
特征 •三个1/2小时桥式驱动器IC –三相无刷直流电机 –电磁阀和有刷直流电机 •高电流驱动能力：2.5-A峰值 •低MOSFET导通电阻 •独立1/2 H桥控制 •非承诺比较器
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
如图，这个IR2110的驱动半桥电路下面给到的说明是：C2为自举电容,Vcc经过D2、C2、负载、T2给C2充电，以确保T2关闭、T1导通时，T1管的栅极靠C2上足够的储能来驱动。请问这里的T1导通如何理解，栅极电压不够的话，就不能导通吗？
2019-01-24 10:05:02
概述：IR2111是International Rectifier公司生产的一款半桥驱动器，它为双列直插或贴片8脚封装。驱动电压10-20V，电流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
■ 产品概述LN4318 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的 250V高压三相栅极驱动器，具有三路独立的高低边输出，可以用来驱动半桥电路中的高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封装形式，给方案设计带来更多的选择。半桥/全桥转换器同步降压、升降压拓扑电子烟、无线充 MOSFET 驱动器电源电压工作范围为 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-12-20 14:28 编辑
NCV7721D2R2G是一款完全受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立
2021-12-20 14:28:27
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极峰。
2023-09-05 06:59:59
0.5us，输出电流达0.5A，可直接驱动50A/1200V以内的IGBT。驱动器体积小，价格便宜，是不带过电流保护的IGBT驱动芯片中的理想选择。2）英飞凌1ED020I12-F2芯片
英飞凌公司
2023-10-07 17:00:40
两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图2. 双光耦合器半桥栅极驱动器光耦合器的响应速度受到原边发光二极管(LED)电容的限制，而且将输出驱动至高
2018-07-03 16:33:25
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压，能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统：栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
对江苏中科君芯科技有限公司(以下简称中科君芯)针对焊机领域开发1200V系列产品性能、和国外主流器件的参数比对、实际焊机测试比对展开讨论。1电路拓扑工业用焊接电源电路拓扑有半桥和全桥(图1,图2)两种
2014-08-13 09:01:33
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
FTA和2ED020I12FA汽车栅极驱动器为主要针对该应用开发的产品。向更智能、更安全的驱动器迈进微控制器和功率器件需要实现电气绝缘。英飞凌开发出无芯变压器技术（CLT），可实现高达6kV的电流隔离（遵照EN50178
2018-12-06 09:57:11
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
来设置单极或双极 PWM 栅极驱动器延迟时间短，上升和下降时间短提供用于驱动半桥的信号和电源反激式恒定导通时间，无需环路补偿可以在 24V±20% 范围内宽松调节输入此电路设计经过测试并包含测试结果
2018-12-21 11:39:19
IRAUDAMP6，双通道250 W（8欧姆）半桥D类音频功率放大器，使用IRS20957S和IRF6785。该参考设计演示了如何使用IRS20957S D类音频控制器和栅极驱动器IC，实现保护电路，并使用IRF6785直接FET MOSFET设计最佳PCB布局
2020-08-26 15:17:16
通特性。 图2.对于不同的ROUTREF值，使用恒流源驱动器BM60059和1200V IGBT在空载时测量栅极电流和栅极电压。 图2显示了三种不同R的栅极电流和栅极电压波形奥特雷夫
2023-02-21 16:36:47
关系。 围绕MinDCet MDC901栅极驱动器构建的48V至3.3V降压转换器、GaN Systems GS61008P半桥和WE-HCF 1.4uH/31.5A功率电感器证明了这种效果，如图5
2023-02-24 15:09:34
是独立制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。图2. 双光耦合器半桥栅极驱动器光耦合器的响应速度受到原边发光二极管(LED)电容
2018-10-23 11:49:22
电压。在下桥臂开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS降至地电压以下。发生这种情况时，上桥臂驱动器可能发生闩锁，并永久性损坏。 图1. 高压半桥栅极驱动器光耦合器栅极驱动器另一种方法(如图2
2018-10-16 16:00:23
制造的，从而限制了匹配两个通道的能力。这种失配会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的停滞时间，从而导致效率下降。 图2. 双光耦合器半桥栅极驱动器 光耦合器的响应速度受到原边发光二极管（LED
2018-09-26 09:57:10
FD6288T&Q 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动 MOSFET 设计，可在高达+250V 电压下工作。FD6288T&Q 内置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
=oxh_wx2、张飞软硬开源：基于STM32的BLDC直流无刷电机驱动器（视频+硬件）http://t.elecfans.com/topic/42.html?elecfans_trackid
2018-12-07 15:30:46
栅极驱动器解决方案TI提供专为电动座椅设计的多电机汽车栅极驱动器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半桥栅极驱动器分别具有四个通道和八个通道。它们集成了电荷泵、电流检测放大器和可用于多个负载
2022-11-03 07:05:16
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54:37
L6390，用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
Portfolio系统，跨越12v 到80v 的范围往往需要一个司机与较高的供应额定值，支持高功率18v 钻头和80v 割草机。虽然选择合适的集成三相无刷直流电机驱动器是有限的，一套有能力的100伏半桥可以
2022-04-14 14:43:07
驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半桥驱动器的套路吗？最近看电瓶车控制器里的驱动模块没有类似半桥驱动器的芯片，应该是自己搭建的，网上看了看也没有类似的东西，来请教一下
2017-01-14 18:03:50
西门子1200PLC与V90伺服驱动器TO控制模式怎么设置？
2021-10-12 07:54:26
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计？
2021-06-17 06:45:48
了 MP18831、MP18851 和 MP18871 之间的主要区别。表 1：MP188x1 系列产品比较产品型号描述功能MP18831隔离式双输入半桥栅极驱动器重叠保护、可调死区时间MP18851隔离式独立
2022-09-30 14:05:41
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
长期高价回收英飞凌IGBT模块FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?无锡不限量收购回收英飞凌IGBT模块FF400R12
2021-09-17 19:23:57
通道的器件，此规格的表述方式相同，但被称为通道间偏斜。传播延迟偏斜通常不能在控制电路中予以补偿。图6显示了ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机
2018-10-25 10:22:56
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
6显示了ADuM4121栅极驱动器的典型设置，其结合功率MOSFET使用，采用半桥配置，适合电源和电机驱动应用。在这种设置中，如果Q1和Q2同时导通，有可能因为电源和接地引脚短路而发生直通。这可
2018-11-01 11:35:35
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
，低侧FET导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在DC / DC电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。负责高速接通的一个重要的栅极驱动器参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端
2019-03-08 06:45:10
具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器
2022-12-14 14:43:02
4-A、600V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
具有死区控制的 30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:08
具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 30 Power switch MOSFET Input VCC (Min
2022-12-14 14:43:19
具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
展上，英飞凌科技股份有限公司推出针对绝缘电压高达1200伏的应用的1EDI EiceDRIVERTM Compact单通道栅极驱动器。该款电气绝缘驱动器的组件采用英飞凌研发的无磁芯变压器技术，该技术可以在独立的输出引脚上实现高达6安培的输出电流。
2013-12-04 15:02:35856 观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉！该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍
2017-04-26 15:18:383420 
本文主要介绍了英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的组成部分以及三个优势。
2019-07-24 14:47:554962 
2021年3月22日，STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅（SiC） MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生
2021-03-22 18:11:333458 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了EiceDRIVER X3 Enhanced系列analog（1ED34xx）和digital（1ED38xx）栅极驱动器IC
2021-01-08 14:09:212104 PrestoMOS。 采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性 非隔离型栅极驱动器 ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺
2021-08-09 14:30:512409 追求最高效率是当今电力电子产品的关键需求，近日，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出了最新的隔离EiceDRIVER 2L-SRC紧凑型（1ED32xx）栅极驱动器系列
2021-08-24 09:37:372859 SOI在1964年由C.W. Miller和P.H. Robinson提出，经过几十年的发展，逐渐成熟。英飞凌采用了SOI的独特设计的栅极驱动IC，从设计上带来了诸多优势。
2022-04-13 15:55:273561 
1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
新品1ED332x--8.5A2300V单通道隔离型驱动器1ED332x系列隔离型栅极驱动器，8.5A2300V，包括短路保护(DESAT)，软关断和有源米勒钳位等保护功能，其短路保护功能适用于
2022-02-20 14:52:41619 
板EVAL-PSIR2085是为了给EiceDRIVER隔离栅极驱动器评估板（如EVAL-1ED3122MX12H）提供电源。这是一块默认的电源板，用于各种不同的EiceDRIV
2022-02-20 14:51:54672 ：6ED2742S01QMOTIX6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V栅极驱动器，用于三相无刷直流电动机驱动应用。集成的自举二极管用于为三个外部高边充电
2023-01-31 10:35:57478 
，适用于IGBT（绝缘栅双极晶体管）/SiC（碳化硅）模块和分立器件驱动。产品型号：6ED2231S12TEiceDRIVER1200V三相栅极驱动器，典型的0.3
2023-02-22 11:11:49569 新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)单通道隔离栅极驱动器X3Compact(1ED31xx)隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列
2023-03-31 10:49:16735 新品带有集成自举二极管和OCP的1200V半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列带有集成自举二极管和过流保护OCP的1200VSOI半桥栅极驱动器2ED132xS12x系列产品型号：2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列诞生了首批1200VSOI半桥产品，用于高功率应用，如商用
2023-05-18 09:42:01716 新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56431 作者简介作者:SrivatsaRaghunath翻译：赵佳MOTIX三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX品牌的新成员，该品牌通过可扩展的产品组合提供低压电机控制解决方案
2023-07-31 22:55:20466 驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为
2024-01-08 08:13:50150
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