IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30
228 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31
2024-02-27 16:04:04458 
第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体
2024-02-27 15:42:11121 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能功率模块 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 驱动器、逆变器和电动汽车等。 识别IGBT绝缘栅双极型晶体管可以通过以下步骤进行： 1. 外形识别 IGBT晶体管通常有有特定的外观特征，其封装一般较大且多为模块封装。最常见的封装类型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封装上通常会标有器件型号、厂商标志或批次号等
2024-01-12 11:18:10350 本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生
2024-01-09 14:24:50232 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
2023-11-01 14:51:08
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
各位大佬，请教一下 IGBT 模块的绝缘耐压如何测试？
2023-10-23 10:19:00
随着新能源汽车（NEV）的崛起，绝缘栅双极晶体管（IGBT）已成为这一领域的核心元件。目前我国新能源汽车快速发展已经使IGBT已成为我国最重要的应用领域，占据约30%的市场份额。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:001085 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
、电磁炉、工业电源、逆变焊机等领域；针对中大功率产品，芯能也能提供系统化解决方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模块、34mm模块、62mm模块等产品均
2023-10-16 11:00:14
来源：半导体芯科技编译 Magnachip开始全面量产用于电动汽车PTC加热器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V绝缘
2023-09-19 16:04:38306 继英飞凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200VIGBT7P7芯片，并将其应用在PrimePACK模块中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
型号：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管，产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部电路拓扑如下图所示。
2023-08-25 15:40:571056 
NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104，提供ID7U603SEC-R1关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐资本项目伙伴「量芯微半导体（GaNPower）」（以下简称「量芯微」）在全球范围内率先实现1200V 硅基GaN HEMT的商业化量产，并于近日与泰克科技（Tektronix Inc.）合作进行了器件测试。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:50
0 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。 针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块（B3模块）, 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27636 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和绝缘
2023-05-20 15:19:12583 
EiceDRIVER SOI系列诞生了首批1200V SOI半桥产品，用于高功率应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机（高达10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作关系。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 数据表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 数据表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 数据表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 数据表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中，采用了罗姆的新产品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常务执行官 CFO 伊野和英（左）赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 随着全球电动化技术的快速发展，对功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 （左） 赛米控丹佛斯
2023-04-26 09:17:51606 
以下文章来源于安森美，作者安森美领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能
2023-04-06 16:07:10367 
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:28:40
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
2023-03-29 15:23:12
IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
2023-03-29 15:16:31
IGBT MODULE 1200V 105A SMPD
2023-03-29 15:16:29
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:38
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
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IGBT MODULE 1200V 250A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
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IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 60A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 30A
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
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IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35
IGBT 1200V 80A TO247-4
2023-03-27 13:19:13
IGBT 1200V 150A TO247-4
2023-03-27 13:15:25
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