Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。

这款新型MOSFET采用D2PAK-7表面贴装器件（SMD）封装，提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客户选择。这一灵活的封装和多样化规格满足了不同应用场景的需求。

Nexperia在2023年底发布的两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件基础上，进一步丰富了其SiC MOSFET产品组合。此次推出的新品不仅扩展了RDson值的范围（包括17、30、40、60和80 mΩ），还提供了更加灵活的封装选择。

Nexperia的持续创新和技术进步，将进一步推动碳化硅MOSFET在电力电子、新能源汽车等领域的应用和发展。